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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105529342A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510673228.1
申请日：2015-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器的像素和包括该像素的图像传感器。所述像素可以包括：光电二极管，被配置为在第一时间段期间累积在光电二极管中生成的与入射光对应的光电荷；存储二极管，被配置为存储在光电二极管中累积的光电荷；以及存储栅极，被配置为控制在光电二极管中累积的光电荷转移到存储二极管。存储栅极可以包括向着光电二极管延伸的垂直栅极结构。
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公开(公告)号：CN105529342B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201510673228.1
申请日：2015-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器的像素和包括该像素的图像传感器。所述像素可以包括：光电二极管，被配置为在第一时间段期间累积在光电二极管中生成的与入射光对应的光电荷；存储二极管，被配置为存储在光电二极管中累积的光电荷；以及存储栅极，被配置为控制在光电二极管中累积的光电荷转移到存储二极管。存储栅极可以包括向着光电二极管延伸的垂直栅极结构。
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公开(公告)号：CN105390513A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510520083.1
申请日：2015-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H04N5/37452 , H04N5/37457
Abstract: 提供了以全局快门模式操作的图像传感器的单位像素。所述单位像素包括：光电二极管区域，包括被配置为累积在第一时间段期间从入射光生成的光电荷的光电二极管；以及存储二极管区域，包括被配置为从光电二极管接收和存储光电荷的存储二极管。光电二极管对应于聚焦入射光的微镜。
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公开(公告)号：CN107017270A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610886029.3
申请日：2016-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 郑荣友
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种图像传感器。该图像传感器包括基板，基板进一步包括传感器阵列和在基板的表面上的散热层。散热层可以包括人造金刚石层、石墨烯层和类金刚石碳(DLC)层中的一个或多个。散热层能够使热在传感器阵列的至少一部分基本上均匀地分布。这样的基本上均匀的热分布能够在传感器阵列的该部分上使暗电流基本上均匀，从而在传感器阵列的该部分中减少暗阴影的概率。传感器阵列的该部分可以包括有源像素传感器区域。传感器阵列的该部分可以包括光学黑传感器区域。
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公开(公告)号：CN107017270B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201610886029.3
申请日：2016-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 郑荣友
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种图像传感器。该图像传感器包括基板，基板进一步包括传感器阵列和在基板的表面上的散热层。散热层可以包括人造金刚石层、石墨烯层和类金刚石碳(DLC)层中的一个或多个。散热层能够使热在传感器阵列的至少一部分基本上均匀地分布。这样的基本上均匀的热分布能够在传感器阵列的该部分上使暗电流基本上均匀，从而在传感器阵列的该部分中减少暗阴影的概率。传感器阵列的该部分可以包括有源像素传感器区域。传感器阵列的该部分可以包括光学黑传感器区域。
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