公开(公告)号：CN101661525B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN200910170609.2

申请日：2009-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都炅兑 ,  崔晶然 ,  李奉炫 ,  金颖焕 ,  元孝植 ,  金郁

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5036

Abstract: 本发明提供一种估计半导体装置中的泄漏电流的方法。在估计半导体装置的泄漏电流的方法中，通过网格模型将包括多个单元的芯片划分为段。空间相关性被确定为涉及每个单元中的泄漏电流的工艺参数之间的空间相关性。通过算术地运算实际泄漏特性函数来产生单元的虚拟单元泄漏特性函数。通过算术地运算段中的每个单元的虚拟单元泄漏特性函数来产生段泄漏特性函数。然后，通过以统计学方式运算芯片中的每个段的段泄漏特性函数来产生全芯片泄漏特性函数。因此，可以显著地减小用于产生全芯片泄漏特性函数的Wilkinson的方法的计算负荷。

公开(公告)号：CN103576717A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310316370.1

申请日：2013-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨沃 ,  金郁 ,  西门浚 ,  吴忠基 ,  全宰汉 ,  都炅兑 ,  崔晶然 ,  元孝植 ,  金基涉

IPC: G05D23/20

CPC classification number: G06F1/3206 ,  G05D23/1919 ,  G06F1/20 ,  G06F1/324 ,  Y02D10/126

Abstract: 提出了一种半导体器件的温度控制方法。该温度控制方法包括：检测半导体器件的温度；当检测的温度高于第一温度水平时激活反向体偏置操作，在所述反向体偏置操作中对施加至半导体器件的功能模块的体偏置电压进行调节；以及当检测的温度高于与第一温度水平不同的第二温度水平时，激活热节流操作，在所述热节流操作中对提供给半导体器件的功能模块的驱动时钟频率以及施加至半导体器件的功能模块的驱动电压中的至少一个进行调节。