公开(公告)号：CN109841595B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201811432240.3

申请日：2018-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋正宇 ,  金光敏 ,  李俊镐 ,  姜赫镇 ,  金容宽 ,  韩相然 ,  朴世根

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  H01L21/762

Abstract: 提供了一种半导体存储器件和制造其的方法。该半导体存储器件可以包括：第一杂质掺杂区和第二杂质掺杂区，在半导体衬底中彼此间隔开；位线，电连接到第一杂质掺杂区并跨越半导体衬底；存储节点接触，电连接到第二杂质掺杂区；第一间隔物和第二间隔物，设置在位线与存储节点接触之间；以及气隙区，设置在第一间隔物与第二间隔物之间。第一间隔物可以覆盖位线的侧壁，第二间隔物可以与存储节点接触相邻。第一间隔物的顶端可以具有比第二间隔物的顶端的高度高的高度。

公开(公告)号：CN103165608B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210543865.3

申请日：2012-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋正宇 ,  李宰圭

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/4236 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请提供了数据存储器件及其制造方法。该器件可以包括：多个单元选择部，形成在基板中；板导电图案，覆盖单元选择部且电连接到单元选择部的第一端子；多个贯通柱，穿透板导电图案且与板导电图案绝缘；以及多个数据存储部，分别直接连接到多个贯通柱。数据存储部可以分别电连接到单元选择部的第二端子。

公开(公告)号：CN103165608A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210543865.3

申请日：2012-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋正宇 ,  李宰圭

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/4236 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了数据存储器件及其制造方法。该器件可以包括：多个单元选择部，形成在基板中；板导电图案，覆盖单元选择部且电连接到单元选择部的第一端子；多个贯通柱，穿透板导电图案且与板导电图案绝缘；以及多个数据存储部，分别直接连接到多个贯通柱。数据存储部可以分别电连接到单元选择部的第二端子。