公开(公告)号：CN117769245A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202310707296.X

申请日：2023-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊洙 ,  具奉珍 ,  金奉秀 ,  金润载 ,  禹东秀

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：基底，包括各自沿第一方向延伸的第一有源区域和第二有源区域；位线，在基底的第一沟槽中沿第一方向延伸，并且在垂直于第一方向的第二方向上布置在第一有源区域与第二有源区域之间；接触结构，包括接触位线的下接触件和接触第一有源区域的上接触件；字线，在基底的第二沟槽中沿第二方向延伸；多个接合垫，在基底上；以及电容器结构，包括在多个接合垫上的多个下电极，其中，位线和字线掩埋在基底的上表面下方。

公开(公告)号：CN116171047A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202211471229.4

申请日：2022-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南甲镇 ,  具奉珍 ,  穆沙拉特.哈桑 ,  朴建柱 ,  河龙湖

IPC: H10B51/30

Abstract: 根据本发明构思的一种铁电存储器件包括：具有源极/漏极区的基板；在基板上的界面层；在界面层上的高介电层；在高介电层上的铁电层；以及在铁电层上的栅电极层。高介电层和铁电层具有不同晶体结构的相。

公开(公告)号：CN110047732A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201811503187.1

申请日：2018-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李睃英 ,  郑舜旭 ,  具奉珍 ,  文平 ,  郑淑真

IPC: H01L21/02

Abstract: 公开了用于形成薄层的方法和设备。用于形成薄层的方法包括：提供包括图案的基底；在基底上形成结合层，结合层覆盖图案之间的间隙的内表面；在结合层上形成填充间隙的预备层；以及对预备层进行热处理以形成薄层。结合层是使用有机硅烷单体形成的自组装单体层。预备层由包括聚硅烷的可流动的组合物形成。

公开(公告)号：CN105190917B

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201480015106.7

申请日：2014-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车南求 ,  具奉珍 ,  H·M·崔

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/04 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L33/24 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/005 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20

Abstract: 根据本发明的一方面提供了一种纳米结构半导体发光元件，包括：基层，其包括第一导电半导体；第一绝缘膜，其在基层上，具有暴露出基层的部分区域的多个第一开口；多个纳米芯，其形成在基层的暴露的区域中的每一个上，并且包括第一导电半导体；有源层，其在多个纳米芯的表面上，并且布置为高于第一绝缘膜；第二绝缘膜，其在第一绝缘膜上，具有多个第二开口，并且包围多个纳米芯和其表面上的有源层；以及第二导电半导体层，其在有源层的表面上，布置为高于第二绝缘膜。