公开(公告)号：CN101304019A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810127788.7

申请日：2008-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元皙俊 ,  姜虎圭

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L23/552 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1078 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种包括具有碳纳米管的电互连结构的集成电路装置及其形成方法。具体而言，集成电路装置包括包含碳纳米管的导电互连。电互连包括第一金属区域。在该第一金属区域的上表面上提供第一导电屏蔽层，并在该第一导电屏蔽层上提供第二金属区域。该第一导电屏蔽层包括抑制第一金属从第一金属区域向外扩散的材料，并且第二金属区域在其中包括催化金属。在第二金属区域上提供其中具有开口的电绝缘层。在开口中提供多个碳纳米管作为垂直电互连。

公开(公告)号：CN100388488C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200510092232.5

申请日：2005-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑镛国 ,  元皙俊 ,  权大振 ,  宋珉宇 ,  金元洪

IPC: H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/56

Abstract: 在具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法中，混合电介质层包含按顺序堆迭的下电介质层、中间电介质层和上电介质层。下电介质层包含铪(Hf)或锆(Zr)。上电介质层也包含Hf或Zr。中间电介质层由具有比下电介质层的低的依赖于电压的电容变化的材料层形成。

公开(公告)号：CN101123251A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710111466.9

申请日：2007-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元皙俊 ,  朴廷珉

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明提供了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体基板；在基板顶部部分上的绝缘体，其限定了绝缘体区；在基板上的导电层图案，该导电层图案由公共导电层被图案化，该导电层图案包括在绝缘体区中的绝缘体上的第一图案部分和在基板的有源区中的基板上的第二图案部分，其中第二图案部分包括在有源区中的晶体管的栅极；和在绝缘体区中的绝缘体上的电容器，该电容器包括：在导电层图案第一图案部分上的下部电极，在下部电极上的介电层图案和在介电层图案上的上部电极。

公开(公告)号：CN110047743B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201910255989.3

申请日：2015-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曾伟雄 ,  金柱然 ,  元皙俊 ,  李钟镐 ,  李惠兰 ,  河龙湖

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

Abstract: 本公开提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽；在第一沟槽中形成高k电介质层；在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层；随后进行退火；在退火之后，依次去除阻挡层和扩散层；在高k电介质层上形成第一势垒层；在第一势垒层上依次形成功函数调节层和栅极导体；以及在栅极导体上形成盖层。

公开(公告)号：CN104934377A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510122545.4

申请日：2015-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曾伟雄 ,  金柱然 ,  元皙俊 ,  李钟镐 ,  李惠兰 ,  河龙湖

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/845 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/435 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66795

Abstract: 本公开提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽；在第一沟槽中形成高k电介质层；在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层；随后进行退火；在退火之后，依次去除阻挡层和扩散层；在高k电介质层上形成第一势垒层；在第一势垒层上依次形成功函数调节层和栅极导体；以及在栅极导体上形成盖层。

公开(公告)号：CN101241899B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200810008838.X

申请日：2008-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元皙俊 ,  金泰范

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及布线层中具有热成型气隙的半导体器件及其制造方法。本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件的单元布线级包括：在支承层上互相分开的第一和第二布线层；大间隔，与该第一布线层相邻形成，并且包括第一气隙和形成在该支承层上的热可降解材料层的一部分，该第一气隙具有从该第一布线层的侧壁测量的预定宽度；小间隔，形成在该第一与第二布线层之间，其中该小间隔小于该大间隔，而且第二气隙至少部分地填充该小间隔；以及多孔绝缘层，形成在该第一和第二气隙上。

公开(公告)号：CN101123251B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200710111466.9

申请日：2007-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元皙俊 ,  朴廷珉

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明提供了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体基板；在基板顶部部分上的绝缘体，其限定了绝缘体区；在基板上的导电层图案，该导电层图案由公共导电层被图案化，该导电层图案包括在绝缘体区中的绝缘体上的第一图案部分和在基板的有源区中的基板上的第二图案部分，其中第二图案部分包括在有源区中的晶体管的栅极；和在绝缘体区中的绝缘体上的电容器，该电容器包括：在导电层图案第一图案部分上的下部电极，在下部电极上的介电层图案和在介电层图案上的上部电极，其中所述下部电极不存在向上延伸的侧壁。

公开(公告)号：CN101071769A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710102284.5

申请日：2007-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  元皙俊 ,  金洛焕 ,  宋珉宇 ,  金元洪 ,  朴廷珉

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L28/75

Abstract: 形成半导体器件的方法可包括利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在基底上形成第一导电金属化合物层和/或利用物理气相沉积(PVD)工艺在第一导电金属化合物层上形成第二导电金属化合物层。可形成第一导电金属化合物层和第二导电金属化合物层来减少或防止第一导电金属化合物层暴露于氧原子中，因此降低了第一导电金属化合物层的退化。

公开(公告)号：CN1825537A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005876.0

申请日：2006-01-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  ASM吉尼泰克韩国株式会社

Inventor： 元皙俊 ,  刘龙珉 ,  金大渊 ,  金永勋 ,  权大振 ,  金元洪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00

Abstract: 提供了一种装置和一种制造半导体器件的方法，其采用4通阀，通过防止死容积的产生，改善了气体阀系统，从而提高了吹扫效率。所述装置包：反应室，在其中对衬底进行处理以制造半导体器件；第一处理气体供应管，其将第一处理气体提供至反应室；具有第一入口、第二入口、第一出口和第二出口的4通阀，其安装在所述第一处理气体供应管处，使所述第一入口和第一出口连接至所述第一处理气体供应管；第二处理气体供应管，其连接至4通阀的第二入口，以提供第二处理气体；连接至所述4通阀的第二出口的支管；以及安装在所述支管处的闸阀。