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公开(公告)号：CN110828450B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN201910460009.3
申请日：2019-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路，包括：沿第一方向在第一行中延伸的至少一个有源区；沿第一方向在第二行中延伸的至少一个有源区；以及多高度单元，包括第一行中的至少一个有源区、第二行中的至少一个有源区、沿与第一水平方向相交的第二方向上延伸的至少一条栅极线，其中，第一行中的至少一个有源区和第二行中的至少一个有源区中的每个有源区被扩散切断终止。
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公开(公告)号：CN117558726A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311302918.7
申请日：2019-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/538 , H01L23/528 , G06F30/392
Abstract: 本公开提供了包括马蹄足结构导电图案的集成电路。该集成电路包括标准单元。标准单元可以包括多条栅线和多个第一布线。所述多个第一布线可以包括马蹄足结构导电图案，该马蹄足结构导电图案包括彼此间隔开的第一导电图案和第二导电图案。第一导电图案和第二导电图案中的每个可以包括在第一方向上延伸的第一线图案和在垂直于第一方向的方向上从第一线图案的一端突出的第二线图案。所述多条栅线可以在第一方向上彼此间隔开第一节距，并且所述多个第二布线可以在第一方向上彼此间隔开第二节距。第一节距可以大于第二节距。
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公开(公告)号：CN117096150A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310471196.1
申请日：2023-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , G06F30/392 , G06F30/394
Abstract: 一种集成电路包括分别布置在彼此邻近并且在第一方向上延伸的第一行和第二行中的第一单元和第二单元，以及在第一行和第二行中连续布置的第三单元，其中，第一单元和第二单元中的每一个包括第一有源图案组，第一有源图案组包括在第一方向上延伸并且具有第一导电类型的至少一个有源图案，第三单元包括第二有源图案组，第二有源图案组包括在第一行中在第一方向上延伸并且具有第一导电类型的至少一个有源图案，并且第二有源图案组的有效沟道宽度大于第一有源图案组的有效沟道宽度。
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公开(公告)号：CN116741777A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310190812.6
申请日：2023-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L27/02
Abstract: 一种集成电路可以包括：第一有源图案组，在第一行中沿第一方向延伸并且包括在第一方向上彼此重叠的多个有源图案，第一行沿第一方向延伸；以及多个栅电极，在第一行中沿垂直于第一方向的第二方向延伸，其中，第一有源图案组中的在第一方向上彼此相邻的两个有源图案可以在第二方向上具有相同的宽度，或在第二方向上具有相差第一偏移量或第二偏移量的宽度。
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公开(公告)号：CN115939124A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210850196.8
申请日：2022-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , G06F30/3947
Abstract: 提供了一种集成电路，包括布置在多行上的标准单元。该标准单元可以包括：多个功能单元，每个功能单元都被实现为逻辑电路；以及多个填充单元，包括至少一个第一填充单元和至少一个第二填充单元，每个填充单元包括后端线(BEOL)图案、中间线(MOL)图案和前端线(FEOL)图案中的至少一个图案，并且其中，至少一个第一填充单元和至少一个第二填充单元具有彼此相同的大小，并且至少一个第一填充单元的至少一个图案中的一个图案的密度不同于至少一个第二填充单元的至少一个图案中的一个图案的密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113497031A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110356220.8
申请日：2021-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 提供了一种包括多个标准单元的集成电路。该集成电路包括：第一标准单元组，包括至少两个第一标准单元；第二标准单元组，在第一方向上与第一标准单元组相邻，第二标准单元组包括至少一个第二标准单元；以及第一绝缘栅极，与第一标准单元中的至少一个的一侧和所述至少一个第二标准单元的一侧邻接，其中第一标准单元和第二标准单元中的每个包括集成的p型晶体管(pFET)和n型晶体管(nFET)，其中第一标准单元和第二标准单元中的每个具有不同设计的第一布设线，以及其中第一标准单元和第二标准单元中的每个根据对应的设计而具有有源区的相同或不同的布局。
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公开(公告)号：CN113161341A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202011508202.9
申请日：2020-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H03K19/20
Abstract: 本公开提供包括集成的标准单元结构的集成电路。一种集成电路包括：第一有源区和第二有源区，在第一方向上延伸并在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；电源轨和接地轨，在第一方向上延伸并在第二方向上与第一有源区和第二有源区间隔开且彼此间隔开；源极/漏极接触，在第二方向上延伸，在第一有源区或第二有源区的至少一部分上；栅极结构，在第二方向上延伸并在第一有源区和第二有源区的至少一部分上；电源轨，配置为通过源极/漏极接触通路供应电力；以及接地轨，配置为通过源极/漏极接触通路供应接地电压。
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公开(公告)号：CN119967910A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411498998.2
申请日：2024-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种集成电路和制造其的方法。所述集成电路可包括：多个阱，在具有第一导电类型的基底上沿第一方向彼此平行地延伸，所述多个阱具有第二导电类型；多个第一被掺杂区域，设置在第一区域和第二区域中的所述多个阱上，第一区域在第一方向上与第二区域分离，所述多个第一被掺杂区域具有第一导电类型；多个第二被掺杂区域，设置在第一区域和第二区域中的所述多个阱之间的基底上并且具有第二导电类型；以及多个第三被掺杂区域，设置在基底的在第一区域与第二区域之间的第三区域中并且具有第一导电类型。
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公开(公告)号：CN112885829B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202011256628.X
申请日：2020-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 提供了一种包括集成标准单元结构的集成电路。所述集成电路包括：第一标准单元，包括第一p型晶体管、第一n型晶体管、与第一和第二有源区相交的第一栅极堆叠、位于第一栅极堆叠的第一侧的第一延伸源极/漏极接触、位于第一栅极堆叠的第二侧的第一正常源极/漏极接触、连接到第一栅极堆叠的第一栅极通路、以及连接到第一正常源极/漏极接触的第一源极/漏极通路；与第一标准单元相邻的第二标准单元，包括第二p型晶体管、第二n型晶体管、与第一和第二有源区相交的第二栅极堆叠、以及连接到第二栅极堆叠的第二栅极通路；连接到第一栅极通路的输入布线；以及与输入布线位于相同水平高度以连接第一源极/漏极通路和第二栅极通路的输出布线。
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公开(公告)号：CN118057611A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202311527229.6
申请日：2023-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/085 , H01L21/82
Abstract: 提供了一种集成电路，包括：第一单元和第二单元，设置在沿第一水平方向延伸的第一行和第二行中；第一电力线，在电力线层中沿第一行和第二行之间的边界在第一水平方向上延伸；第一接触部，在与第一水平方向交叉的第二水平方向上从第一单元向第二单元延伸；以及第一向下过孔，在竖直方向上从第一接触部的底表面向第一电力线的顶表面延伸。
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