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公开(公告)号：CN118366990A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311743963.6
申请日：2023-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L21/8238 , G06F30/394
Abstract: 一种集成电路可以包括：栅电极，包括在第一方向上间隔开的第一栅电极和第二栅电极、以及在第一方向上间隔开的第三栅电极和第四栅电极。第二栅电极和第三栅电极接收第一控制信号，并且第一栅电极和第四栅电极接收第二控制信号。该集成电路还包括在第一栅电极和第二栅电极之间的第一漏区、以及在第三栅电极和第四栅电极之间的第二漏区，其中，第一漏区和第二漏区彼此电连接。该集成电路包括连接到第一漏区和第二漏区以及第一栅电极至第四栅电极中的至少一个的正面配线层、以及连接到第一漏区和第二漏区以及第一栅电极至第四栅电极中的至少另一个的背面配线层。
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公开(公告)号：CN117594590A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310997254.4
申请日：2023-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088
Abstract: 提供了一种集成电路和设计集成电路的方法。集成电路包括：第一单元，其设置在彼此相邻并且在第一方向上延伸的第一行和第二行中，并且包括多个第一阈值电压装置；以及至少一个第二单元，其设置在第一行和第二行中的至少一行中与第一单元相邻，并且包括至少一个第二阈值电压装置，其中，所述多个第一阈值电压装置包括至少一个第一装置和至少一个第二装置，第一装置被配置为在第一行中执行第一功能，第二装置被配置为在第二行中执行与第一功能不同的第二功能。
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公开(公告)号：CN116110850A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211355938.6
申请日：2022-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/50
Abstract: 提供了一种包括多个堆叠的金属层的集成电路和制造该集成电路的方法。所述方法包括以下步骤：设置多个标准单元，所述多个标准单元中的每个标准单元包括分别形成在所述多个金属层上的单元图案；以及在所述多个金属层之中的包括分别形成在多条迹线上的图案的特定金属层上，基于形成在所述多条迹线中的特定迹线上的相邻图案之间的间隔超过参考值而在所述相邻图案之间形成附加图案，所述图案在第一方向上延伸，所述多条迹线在第二方向上彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN115020401A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210149873.3
申请日：2022-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , G06F30/394
Abstract: 发明构思涉及一种集成电路以及集成电路的设计方法。该集成电路包括连续布置在具有第一高度的行和具有不同于第一高度的第二高度的行上的第一标准单元。集成电路还包括连续布置在具有第一高度的行和具有第二高度的行上的第二标准单元、形成在所述多行的边界上并被配置为向标准单元供给第一电源电压的多条第一电源线、以及形成在所述多行的边界上并被配置为向标准单元供给第二电源电压的多条第二电源线。向第一标准单元供给电压的电源线的布置顺序不同于向第二标准单元供给电压的电源线的布置顺序。
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公开(公告)号：CN119967910A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411498998.2
申请日：2024-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种集成电路和制造其的方法。所述集成电路可包括：多个阱，在具有第一导电类型的基底上沿第一方向彼此平行地延伸，所述多个阱具有第二导电类型；多个第一被掺杂区域，设置在第一区域和第二区域中的所述多个阱上，第一区域在第一方向上与第二区域分离，所述多个第一被掺杂区域具有第一导电类型；多个第二被掺杂区域，设置在第一区域和第二区域中的所述多个阱之间的基底上并且具有第二导电类型；以及多个第三被掺杂区域，设置在基底的在第一区域与第二区域之间的第三区域中并且具有第一导电类型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118555840A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410040864.X
申请日：2024-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B80/00 , H10B12/00 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 一种集成电路包括：在衬底的前表面上的标准单元；前配线层，在衬底的前表面上沿第一方向延伸；以及背面配线层，设置在衬底的后表面上。标准单元中的第一标准单元包括：第一栅极线和第二栅极线，在第一方向上彼此分开布置，以各自在第二方向上延伸；以及在第一栅极线与第二栅极线之间的电力抽头单元，该电力抽头单元包括：第一电力抽头单元；以及第二电力抽头单元，在第一方向上与第一电力抽头单元分开第一间隔，以及第一电力抽头单元和第二电力抽头单元中的每一个被配置为将背面配线层与前配线层电连接。
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公开(公告)号：CN117878114A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311144560.X
申请日：2023-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种包括标准单元的集成电路，该标准单元包括：金属层，包括沿第一水平方向延伸的图案和在第二水平方向上彼此间隔开的多个轨道；以及至少一个过孔，将金属层连接到该金属层的下部图案，其中，多个轨道包括多个单元轨道和一个配电网络(PDN)轨道，其中，单元图案形成在多个单元轨道上，并且PDN图案或布线图案形成在一个配电网络(PDN)轨道上，其中，第一图案与标准单元的单元边界间隔开第一长度，并且形成在多个单元轨道中的第一单元轨道上，并且其中，第二图案与标准单元的单元边界间隔开第二长度，并且形成在多个单元轨道中的第二单元轨道上。
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公开(公告)号：CN117790467A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311235147.4
申请日：2023-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/02 , H01L27/092
Abstract: 公开了一种包括标准单元的集成电路。所述集成电路包括：第一单元，在沿第一方向延伸的第一行中；第一电力线，在电力轨层中在第一方向上延伸，并且被配置为将第一电源电压提供给第一单元；以及第一图案，与第一行的第一边界叠置并且在第一线路层中在第一方向上延伸，其中，第一单元包括：至少一个图案，在第一线路层中在第一方向上延伸；以及至少一个晶体管，在电力轨层与第一线路层之间，并且第一图案被配置为接收第一单元的输入信号或输出信号。
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公开(公告)号：CN116805626A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310296909.5
申请日：2023-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088 , G06F30/30
Abstract: 一种集成电路可包括各自对应于第一电路的第一功能单元和第二功能单元，其中，第一功能单元可包括：在第一层中沿着第一网格在第一方向上延伸的第一图案和在第二层中沿着第二网格在第一方向上延伸的第二图案，在与第一方向交叉的第二方向上，第一网格可具有大于第二网格的第二间距的第一间距，并且第二功能单元可包括第一功能单元的布局，并且在第二方向上具有比第一功能单元的长度大第一间距的长度。
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公开(公告)号：CN116776806A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310119158.X
申请日：2023-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392 , G06F30/3953 , G06F30/398 , G06F115/08 , G06F115/02
Abstract: 公开了包括邻接的块的集成电路和设计集成电路的布图的方法。所述集成电路包括第一块和第二块，第一块在其中具有第一功能单元阵列，第一功能单元阵列至少部分地被第一多个结束单元围绕，第二块邻近于第一块延伸。第二块在其中包括第二功能单元阵列，第二功能单元阵列至少部分地被第二多个结束单元围绕。所述第一多个结束单元包括：(i)放置在集成电路的边界处的第一结束单元，以及(ii)放置在第一块与第二块之间的边界处的不同于第一结束单元的第二结束单元。
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