公开(公告)号：CN1893039A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610099657.3

申请日：2006-06-29

Applicant: 秦蒙达股份公司

Inventor： S·G·朴 ,  K·雷比比斯 ,  J·格拉夫

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开一种用于半导体器件的抗翘曲散热器，其中散热器由基本上恒定厚度的金属片制成，金属片由至少一个开孔贯穿，以便允许粘接剂或树脂通过。散热器被设计成通过在它的部件，即电路板、管芯、散热器和增强框架之间提供强的接合而加强封装。同时，由管芯在工作期间生成的热被有效地耗散。散热器可以通过把它放置在模具中被容易地附着到管芯，模具被用来产生增强的框架和然后被填充以模制料。模制料容易流过开孔，由此填充在散热器与管芯之间的缝隙。模制料代替空气，空气从散热器与管芯之间的缝隙中逸出。因此，构成在管芯与散热器之间的强的和坚固的连接。在散热器底下的接合层与在散热器上面的增强框架通过开孔被坚固地互联。

公开(公告)号：CN1892907A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610088714.8

申请日：2006-06-02

Applicant: 秦蒙达股份公司 ,  秦蒙达闪存有限责任两合公司

Inventor： M·雷代利 ,  L·德阿姆布洛吉

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/06 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C16/28 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431 ,  G11C16/3436 ,  G11C16/349 ,  G11C2211/5634

Abstract: 提供一种包括存储区和电路区的非易失性半导体存储器件。存储区包括多个存储单元和一组阵列基准单元，其中该组阵列基准单元可编程为具有对应于存储单元的已擦除或者已编程状态的阈值电压。在电路区中，提供附加的主基准单元，其被配置为也具有对应于存储单元的已擦除或者已编程状态的阈值电压。主基准单元被用于所述阵列基准单元的设定，并且所述阵列基准单元被提供作为读或者写所述存储单元的状态的基准。也提供一种用于将非易失性半导体存储器件中的阵列基准单元设定为预定的阈值电压的方法。

公开(公告)号：CN1892905A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610088716.7

申请日：2006-06-02

Applicant: 秦蒙达股份公司 ,  秦蒙达闪存有限责任两合公司

Inventor： M·雷代利 ,  L·德阿姆布洛吉

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/06 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C16/3436 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/3445 ,  G11C16/3459 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5634 ,  G11C2211/5645

Abstract: 本发明提供一种检测非易失性半导体存储单元的状态的方法。当改变单元的栅极电压时，将存储单元电流以及从至少一个基准单元产生的比较电流与预定基准电流进行比较。检测放大器检测所述电流中的哪一个首先达到预定基准电流。达到基准电流的顺序指示存储单元的状态。在本发明的一个优选实施方案中，比较电流作为已擦除基准单元电流和已编程基准单元电流的平均值而产生。