公开(公告)号：CN1892907A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610088714.8

申请日：2006-06-02

Applicant: 秦蒙达股份公司 ,  秦蒙达闪存有限责任两合公司

Inventor： M·雷代利 ,  L·德阿姆布洛吉

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/06 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C16/28 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431 ,  G11C16/3436 ,  G11C16/349 ,  G11C2211/5634

Abstract: 提供一种包括存储区和电路区的非易失性半导体存储器件。存储区包括多个存储单元和一组阵列基准单元，其中该组阵列基准单元可编程为具有对应于存储单元的已擦除或者已编程状态的阈值电压。在电路区中，提供附加的主基准单元，其被配置为也具有对应于存储单元的已擦除或者已编程状态的阈值电压。主基准单元被用于所述阵列基准单元的设定，并且所述阵列基准单元被提供作为读或者写所述存储单元的状态的基准。也提供一种用于将非易失性半导体存储器件中的阵列基准单元设定为预定的阈值电压的方法。

公开(公告)号：CN1892905A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610088716.7

申请日：2006-06-02

Applicant: 秦蒙达股份公司 ,  秦蒙达闪存有限责任两合公司

Inventor： M·雷代利 ,  L·德阿姆布洛吉

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/06 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C16/3436 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/3445 ,  G11C16/3459 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5634 ,  G11C2211/5645

Abstract: 本发明提供一种检测非易失性半导体存储单元的状态的方法。当改变单元的栅极电压时，将存储单元电流以及从至少一个基准单元产生的比较电流与预定基准电流进行比较。检测放大器检测所述电流中的哪一个首先达到预定基准电流。达到基准电流的顺序指示存储单元的状态。在本发明的一个优选实施方案中，比较电流作为已擦除基准单元电流和已编程基准单元电流的平均值而产生。