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公开(公告)号：CN1293818A
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN00800089.1
申请日：2000-01-28
Applicant: 北陆电气工业株式会社
IPC: H01H85/048 , H01H37/76 , H01H69/02 , H01C13/00 , H01B17/58
CPC classification number: H01C7/126 , H01H37/761 , H01H85/048
Abstract: 熔断丝装置(10)包括温度熔断丝(11)和电阻体(15),温度熔断丝(11)包括熔断丝主体(12)和一对引线端子(13,14),在温度上升时成为不导通的,而电阻体(15)则包括电阻体主体(16)和一对引线端子(17,18),此电阻体主体(16)与熔断丝主体(16)相邻配置且一齐封装入包覆材料(20)构成的电绝缘树脂管内。引线端子(13)与引线端子(17)由焊接连接,引线端子(14,18)则暴露于包覆材料(20)之外。覆盖材料(20)形成绝缘树脂管,可紧凑与轻量化。
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公开(公告)号：CN1196559A
公开(公告)日：1998-10-21
申请号：CN98106488.4
申请日：1998-04-10
Applicant: 北陆电气工业株式会社
CPC classification number: H01R4/10
Abstract: 本发明的课题是,不使用熔接或其他部件而将线状导体折弯形成的引线连接端子牢固地固定在绝缘外壳的端子固定部。本发明的方案是:与由一对夹持片9a构成的端子夹持部9c邻接而形成容纳引线连接端子19的连接部分19c的连接部分容纳凹部9d。将引线连接端子19的连接部分19c压入连接部分容纳凹部9d,使端子夹持部9c夹持引线连接端子19的被夹持部分19a。由此可以在引线被连接部分19b或被夹持部分19a受到外力作用时阻止引线连接端子19以被夹持部分19a为中心转动、或者移动、以及连接部分19c容易地从连接部分容纳凹部9d中脱出。
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公开(公告)号：CN107003262A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580066677.8
申请日：2015-12-11
Applicant: 北陆电气工业株式会社
IPC: G01N27/22
Abstract: 提供即使不形成非透湿保护膜也能够防止多余的湿气的浸入以及排出的电容式湿度传感器。在包围电极(51)与下部电极(31)的周边部的大部分之间形成第1狭缝(4)。感湿膜图案(7)掩埋在包围电极51与下部电极31的周边部的大部分之间形成的第1狭缝(4)，且具备沿着包围电极(51)使该包围电极(51)连续地露出的第2狭缝(8)。上部电极图案(9)被形成为覆盖感湿膜(71)的周边部的大部分。上部电极图案(9)被形成为掩埋感湿膜图案(7)的第2狭缝(8)。
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公开(公告)号：CN107003201A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580064792.1
申请日：2015-12-01
Applicant: 北陆电气工业株式会社
IPC: G01L19/14
Abstract: 提供一种容易变更连接器部的形状或构造且防水性能高的半导体压力传感器装置。由于端子外壳(7)与第二壳体(5)经由卡合构造(9a、9b)卡合，端子外壳(7)与第一壳体(1)经由嵌合构造(11a、11b)嵌合，所以第一壳体(1)与第二壳体(5)经由端子外壳(7)相互固定。通过将第一壳体(1)嵌合到第二壳体(5)内，使端子外壳(7)与第一壳体(1)嵌合，大致同时使端子外壳(7)与第二壳体(5)卡合的简单的一个工序，覆盖第一壳体(1)的开口部，并且构成能够将外部端子与多条引线端子的另一端连接的连接器部。
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公开(公告)号：CN104752602B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510117615.7
申请日：2011-03-09
Applicant: 北陆电气工业株式会社
IPC: H01L41/316
CPC classification number: H01L41/316 , H01L41/1132 , H01L41/1876
Abstract: 提供一种具备PZT膜的传感器元件的制造方法，能够形成优质且大致均匀的PZT膜。在具有550μm以上的厚度的SOI衬底31的一面上形成下部电极E0。在从SOI衬底31的另一面侧加热了SOI衬底31的状态下，在下部电极E0之上形成PZT膜37。对PZT膜37实施蚀刻处理，形成规定的PZT膜图案19。在PZT膜图案19之上形成与下部电极E0相对置的规定图案的上部电极E1。对SOI衬底31的另一面实施研磨加工，使SOI衬底31的厚度薄到使PZT膜图案19的特性有效地发挥的规定厚度。之后，从SOI衬底31的另一面实施蚀刻处理，形成具有可挠性的可挠部11。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104114990B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201380009546.7
申请日：2013-02-14
Applicant: 北陆电气工业株式会社
IPC: G01L19/00
CPC classification number: G01L19/14
Abstract: 本发明提供一种能够将大气压确实地导入到基准压力室中的压力传感器模块。在压力传感器模块(1)的上壁部(11)形成大气压导入通路(27、29)，大气压导入通路(27、29)由在从作为第1壁部的底壁构件(15)离开的方向贯通上壁部(11)的贯通孔(27a、29a)和槽部(27b、29b)构成。贯通孔(27a、29a)，使一端在上壁部(11)的第2上壁部分(11b)的外壁面开口，使另一端在上壁部(11)的第1上壁部分(11a)的内壁面开口，与基准压力室(S2)连通。槽部(27b、29b)沿第2上壁部分(11b)的外壁面延伸，在该外壁面及第2上壁部分(11b)的侧面开口，而且与贯通孔(27a、29a)的端部连通。
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公开(公告)号：CN103765160B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280042188.5
申请日：2012-09-03
Applicant: 北陆电气工业株式会社
IPC: G01C19/5719 , H01L41/047 , H01L41/08
CPC classification number: G01C19/56 , G01C19/5733 , G01P15/12 , G01P15/18 , H01L41/047 , H01L41/0475 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1132
Abstract: 本发明提供一种提高绕Z轴方向的轴产生的检测灵敏度精度、另外并且不会使绕X轴方向/Y轴方向的轴产生的检测灵敏度精度劣化的振动型的角速度传感器。重锤（3）具有圆柱状或者圆锥状。膜片（1）的外周部的轮廓形状具有在四边形的四角具有直线部（ST）的形状。在由第1假想线（L1）以及第2假想线（L2）分隔的4个区域内分别形成4个振动激励用电极（11）。在由第1假想对角线（CL1）和第2假想对角线（CL2）分隔的4个区域中分别形成4个角速度检测用电极（13）。
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公开(公告)号：CN102589754B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201210002867.1
申请日：2012-01-06
Applicant: 北陆电气工业株式会社
Inventor： 林雅人
IPC: G01L1/00
Abstract: 本发明提供一种消除了传感器破损的危险而且能够提高触摸位置的确定精度的力传感器组件。相互隔开规定的间隔地在受压构件(3)与底座构件(5)之间配置输出为了确定施加了推压力的位置所需要的信息的3个以上的力传感器(71)。3个以上的力传感器(71)通过保持机构(72)配置在受压构件(3)与底座构件(5)之间，该保持机构(72)按这样的方式构成，即，在未在受压构件(3)的表面上施加推压力的状态下分别向力传感器(71)赋予规定的偏压力，当在受压构件(3)的表面施加了推压力时，与推压力的大小成比例地使偏压力减少。
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公开(公告)号：CN104752602A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510117615.7
申请日：2011-03-09
Applicant: 北陆电气工业株式会社
IPC: H01L41/316
CPC classification number: H01L41/316 , H01L41/1132 , H01L41/1876
Abstract: 提供一种具备PZT膜的传感器元件的制造方法，能够形成优质且大致均匀的PZT膜。在具有550μm以上的厚度的SOI衬底31的一面上形成下部电极E0。在从SOI衬底31的另一面侧加热了SOI衬底31的状态下，在下部电极E0之上形成PZT膜37。对PZT膜37实施蚀刻处理，形成规定的PZT膜图案19。在PZT膜图案19之上形成与下部电极E0相对置的规定图案的上部电极E1。对SOI衬底31的另一面实施研磨加工，使SOI衬底31的厚度薄到使PZT膜图案19的特性有效地发挥的规定厚度。之后，从SOI衬底31的另一面实施蚀刻处理，形成具有可挠性的可挠部11。
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公开(公告)号：CN102792477B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201180013522.X
申请日：2011-03-09
Applicant: 北陆电气工业株式会社
IPC: H01L41/316
CPC classification number: H01L41/316 , H01L41/1132 , H01L41/1876
Abstract: 提供一种具备PZT膜的传感器元件的制造方法，能够形成优质且大致均匀的PZT膜。在具有550μm以上的厚度的SOI衬底31的一面上形成下部电极E0。在从SOI衬底31的另一面侧加热了SOI衬底31的状态下，在下部电极E0之上形成PZT膜37。对PZT膜37实施蚀刻处理，形成规定的PZT膜图案19。在PZT膜图案19之上形成与下部电极E0相对置的规定图案的上部电极E1。对SOI衬底31的另一面实施研磨加工，使SOI衬底31的厚度薄到使PZT膜图案19的特性有效地发挥的规定厚度。之后，从SOI衬底31的另一面实施蚀刻处理，形成具有可挠性的可挠部11。
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