电阻式湿度传感器及电阻式湿度传感器的制造方法

    公开(公告)号:CN113567508A

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202110458263.7

    申请日:2021-04-27

    Abstract: 本发明提供不需要用于特性调整的外接部件的电阻式湿度传感器及电阻式湿度传感器的制造方法。该电阻式湿度传感器具备圆柱状绝缘基体(3)、嵌合固定于圆柱状绝缘基体(3)的两端的一对帽状端子(7、7)、形成于圆柱状绝缘基体(3)的表面上且与一对帽状端子(7、7)电连接的电阻膜(5)、为了将电阻膜(5)一分为二而形成于电阻膜(5)的狭缝(11)、和被设置成堵塞该狭缝(11)且电阻值根据湿度的变化而变化的感湿膜(13)。

    具备PZT膜的传感器元件的制造方法

    公开(公告)号:CN102792477A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201180013522.X

    申请日:2011-03-09

    CPC classification number: H01L41/316 H01L41/1132 H01L41/1876

    Abstract: 提供一种具备PZT膜的传感器元件的制造方法,能够形成优质且大致均匀的PZT膜。在具有550μm以上的厚度的SOI衬底31的一面上形成下部电极E0。在从SOI衬底31的另一面侧加热了SOI衬底31的状态下,在下部电极E0之上形成PZT膜37。对PZT膜37实施蚀刻处理,形成规定的PZT膜图案19。在PZT膜图案19之上形成与下部电极E0相对置的规定图案的上部电极E1。对SOI衬底31的另一面实施研磨加工,使SOI衬底31的厚度薄到使PZT膜图案19的特性有效地发挥的规定厚度。之后,从SOI衬底31的另一面实施蚀刻处理,形成具有可挠性的可挠部11。

    具备PZT膜的传感器元件的制造方法

    公开(公告)号:CN104752602B

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201510117615.7

    申请日:2011-03-09

    CPC classification number: H01L41/316 H01L41/1132 H01L41/1876

    Abstract: 提供一种具备PZT膜的传感器元件的制造方法,能够形成优质且大致均匀的PZT膜。在具有550μm以上的厚度的SOI衬底31的一面上形成下部电极E0。在从SOI衬底31的另一面侧加热了SOI衬底31的状态下,在下部电极E0之上形成PZT膜37。对PZT膜37实施蚀刻处理,形成规定的PZT膜图案19。在PZT膜图案19之上形成与下部电极E0相对置的规定图案的上部电极E1。对SOI衬底31的另一面实施研磨加工,使SOI衬底31的厚度薄到使PZT膜图案19的特性有效地发挥的规定厚度。之后,从SOI衬底31的另一面实施蚀刻处理,形成具有可挠性的可挠部11。

    具备PZT膜的传感器元件的制造方法

    公开(公告)号:CN104752602A

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201510117615.7

    申请日:2011-03-09

    CPC classification number: H01L41/316 H01L41/1132 H01L41/1876

    Abstract: 提供一种具备PZT膜的传感器元件的制造方法,能够形成优质且大致均匀的PZT膜。在具有550μm以上的厚度的SOI衬底31的一面上形成下部电极E0。在从SOI衬底31的另一面侧加热了SOI衬底31的状态下,在下部电极E0之上形成PZT膜37。对PZT膜37实施蚀刻处理,形成规定的PZT膜图案19。在PZT膜图案19之上形成与下部电极E0相对置的规定图案的上部电极E1。对SOI衬底31的另一面实施研磨加工,使SOI衬底31的厚度薄到使PZT膜图案19的特性有效地发挥的规定厚度。之后,从SOI衬底31的另一面实施蚀刻处理,形成具有可挠性的可挠部11。

    具备PZT膜的传感器元件的制造方法

    公开(公告)号:CN102792477B

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201180013522.X

    申请日:2011-03-09

    CPC classification number: H01L41/316 H01L41/1132 H01L41/1876

    Abstract: 提供一种具备PZT膜的传感器元件的制造方法,能够形成优质且大致均匀的PZT膜。在具有550μm以上的厚度的SOI衬底31的一面上形成下部电极E0。在从SOI衬底31的另一面侧加热了SOI衬底31的状态下,在下部电极E0之上形成PZT膜37。对PZT膜37实施蚀刻处理,形成规定的PZT膜图案19。在PZT膜图案19之上形成与下部电极E0相对置的规定图案的上部电极E1。对SOI衬底31的另一面实施研磨加工,使SOI衬底31的厚度薄到使PZT膜图案19的特性有效地发挥的规定厚度。之后,从SOI衬底31的另一面实施蚀刻处理,形成具有可挠性的可挠部11。

    湿度传感器
    8.
    外观设计

    公开(公告)号:CN306430735S

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN202030644546.7

    申请日:2020-10-28

    Abstract: 1.本外观设计产品的名称:湿度传感器。
    2.本外观设计产品的用途:用于测量湿度。
    3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。
    4.最能表明设计要点的图片或照片:设计1主视图。
    5.指定设计1为基本设计。
    6.由于左视图和右视图不是设计要点,故省略。
    设计1参考图~设计4参考图表示本外观设计产品搬运时的一种方式。

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