公开(公告)号：CN103460360A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280007384.9

申请日：2012-05-10

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 古川拓也 ,  加藤祯宏 ,  岩见正之 ,  内海诚

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/201 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明提供可厚膜化、翘曲小、且漏泄电流小的半导体元件。其包括：基板、在基板的上方形成的第一缓冲区、在第一缓冲区上形成的第二缓冲区、在第二缓冲区上形成的活性层、在活性层上形成的至少两个电极；第一缓冲区至少包括一层依次层积有第一半导体层、第二半导体层的复合层；第二缓冲区至少包括一层依次层积有第三半导体层、第四半导体层、第五半导体层的复合层；第四半导体层的晶格常数具有第三半导体层与第五半导体层之间的晶格常数。

公开(公告)号：CN103430295A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280011372.3

申请日：2012-05-10

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 古川拓也 ,  加藤祯宏 ,  岩见正之 ,  内海诚 ,  梅野和行

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/201 ,  H01L29/7787

Abstract: 提供减少了漏电流的氮化物类半导体元件及其制造方法。提供一种半导体元件，其包括衬底,在衬底上方形成的缓冲区,在缓冲区上形成的活性层,在活性层上形成的至少2个电极，缓冲区包括晶格常数不同的多个半导体层，在缓冲区表面提供比衬底背面低的电位，使衬底背面与缓冲区表面之间的电压在与缓冲区的膜厚相应的范围变化时的衬底背面与缓冲区表面之间的电容大体上固定。

公开(公告)号：CN103348479A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201280007853.7

申请日：2012-04-13

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 内海诚 ,  加藤祯宏 ,  岩见正之 ,  古川拓也

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/15 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种半导体器件，其具备：基板；通道层，其设置在基板上，由第1氮化物系化合物半导体构成；阻挡层，其设置在通道层上；第1电极，其设置在阻挡层上；以及第2电极，其设置在通道层的上方，阻挡层具有：势垒层，其设置在通道层上、由比第1氮化物系化合物半导体带隙能量大的第2氮化物系化合物半导体构成；和量子能级层，其由比第2氮化物系化合物半导体带隙能量小的第3氮化物系化合物半导体构成，形成了量子能级。

公开(公告)号：CN103314438A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201180064459.2

申请日：2011-10-26

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 上野胜典 ,  贺屋秀介

IPC: H01L27/095 ,  H01L21/338 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/085 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/808

Abstract: 本发明目的在于提供一种氮化物系半导体装置，其防止MOS型器件的栅绝缘膜的损坏，并且提高了可靠性。设置于漏电极（26）与栅电极（28）之间的SBD金属电极（30）与AlGaN层（20）进行肖特基接合。此外，SBD金属电极（30）与源电极（24）连接，从而电短路。由此，在向栅电极（28）输入截止信号时，MOSFET部（32）变为截止状态，从而MOSFET部（32）的漏侧的电压接近漏电极（26）的电压值。在漏电极（26）的电压上升时，SBD金属电极（30）的电压值低于MOSFET部（32）的漏侧的电压值，所以通过SBD金属电极（30）对MOSFET部（32）的漏侧和漏电极（26）进行电切断。

公开(公告)号：CN102792449A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180011856.3

申请日：2011-03-02

Applicant: 先进动力设备技术研究协会 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  上野胜典 ,  野村刚彦 ,  佐藤义浩 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28264 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4488 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02277 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的半导体晶体管具备：由GaN系的半导体构成的活性层、以及形成于活性层上的栅极绝缘膜。栅极绝缘膜具有：形成于活性层上且包含从由Al2O3、HfO2、ZrO2、La2O3、以及Y2O3构成的群中选出的1种以上的化合物在内的第1绝缘膜、以及形成于第1绝缘膜上且由SiO2构成的第2绝缘膜。

公开(公告)号：CN103299405A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201280004925.2

申请日：2012-01-23

Applicant: 先进动力设备技术研究协会 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/20 ,  H01L21/306 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7827

Abstract: 提供一种用于制造氮化镓系半导体装置的半导体装置的制造方法，所述制造方法包括以下工序：第1半导体层形成工序，形成由氮化镓系半导体形成的第1半导体层；以及凹进部形成工序，使用溴系气体通过微波等离子工艺对第1半导体层的一部分进行干式蚀刻，从而形成凹进部。