一氧化硅蒸镀材料及其制造方法

    公开(公告)号:CN1547622A

    公开(公告)日:2004-11-17

    申请号:CN02816621.3

    申请日:2002-09-13

    Inventor: 西冈和雄

    CPC classification number: C23C14/24 C23C14/10 C23C14/225

    Abstract: 本发明的目的是提供一氧化硅蒸镀膜形成时的飞溅现象的产生显著减少的一氧化硅蒸镀材料及其制造方法,在将硅粉末与二氧化硅粉末的混合物在真空下的原料室内加热、反应,以产生一氧化硅气体,一氧化硅在设置在原料室上部的沉积室中的沉积基材上沉积的方法中,通过使用圆周壁相对于垂线倾斜1度~45度并且上端内径比下端内径小的圆筒体作为沉积基材,并且在沉积室的压力为7Pa~40Pa的真空气氛下制造,可以制造磨耗试验的重量减少率(磨耗值)为1.0%或更低,一氧化硅蒸镀膜形成时的飞溅现象的产生少的一氧化硅蒸镀材料。

    一氧化硅蒸镀材料及其制造方法、制造原料和制造装置

    公开(公告)号:CN1451057A

    公开(公告)日:2003-10-22

    申请号:CN01815020.9

    申请日:2001-08-30

    CPC classification number: C23C14/243 C01B33/113 C23C14/10 C23C14/24

    Abstract: 本发明涉及以下高纯度一氧化硅蒸镀材料、其制造方法、以及制造原料等。(1)高纯度一氧化硅蒸镀材料,在形成蒸镀膜时可以抑制飞溅现象,且平均体积密度为2.0g/cm3、维氏硬度为500以上。(2)高纯度一氧化硅蒸镀材料的制造方法,在原料室中比一氧化硅升华温度低的温度下进行脱气处理之后,实施升温而使一氧化硅升华,蒸镀到沉积室的沉积衬底上形成高纯度一氧化硅蒸镀材料,其金属不纯物的总量为50ppm以下。(3)所述的一氧化硅蒸镀材料的制造原料,其中金属硅粉与二氧化硅粉的平均粒度同时为1~40μm和/或摩尔混合比SiO/Si为0.90~0.99。

    高熔点金属的分离回收方法

    公开(公告)号:CN101142330A

    公开(公告)日:2008-03-12

    申请号:CN200680008261.1

    申请日:2006-03-08

    CPC classification number: C25C3/02 C22B9/02 C22B34/1272 C22B34/1295 Y02P10/234

    Abstract: TiCl4的气体从原料供应管11供应到保持在反应容器(6)内的熔融CaCl2液体中,在熔解于CaCl2液体中的Ca的作用下,TiCl4被还原后生成颗粒状的金属Ti。被从反应容器(6)抽出到下方的、混有Ti颗粒的熔融CaCl2液体,被送到分离工序(12),在加热容器(15)内被加热,Ti颗粒也变为熔融状态,由于比重差,熔融CaCl2液体(16)分离到上层,金属Ti(17)分离到下层。下层的金属Ti(17)被从高熔点金属排出口(18)取出,凝固后形成铸锭。上层的熔融CaCl2液体(16),与被从反应容器(6)抽出的熔融CaCl2液体一起被送往电解工序(13),电分解生成的Ca与CaCl2一起被返回到反应容器(6)内。在该制造工艺的分离工序(12)中,可以采用本发明的分离回收方法,可以以较少的能量,高效率地从含有CaCl2的熔融盐分离回收到优质的Ti或Ti合金。

    一氧化硅蒸镀材料及其制造方法、制造原料和制造装置

    公开(公告)号:CN1317420C

    公开(公告)日:2007-05-23

    申请号:CN01815020.9

    申请日:2001-08-30

    CPC classification number: C23C14/243 C01B33/113 C23C14/10 C23C14/24

    Abstract: 本发明涉及以下高纯度一氧化硅蒸镀材料、其制造方法、以及制造原料等。(1)高纯度一氧化硅蒸镀材料,在形成蒸镀膜时可以抑制飞溅现象,且平均体积密度为2.0g/cm3、维氏硬度为500以上。(2)高纯度一氧化硅蒸镀材料的制造方法,在原料室中比一氧化硅升华温度低的温度下进行脱气处理之后,实施升温而使一氧化硅升华,蒸镀到沉积室的沉积衬底上形成高纯度一氧化硅蒸镀材料,其金属不纯物的总量为50ppm以下。(3)所述的一氧化硅蒸镀材料的制造原料,其中金属硅粉与二氧化硅粉的平均粒度同时为1~40μm和/或摩尔混合比SiO/Si为0.90~0.99。

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