公开(公告)号：CN1451057A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN01815020.9

申请日：2001-08-30

Applicant: 住友钛株式会社

Inventor： 有本伸弘 ,  西冈和雄 ,  木崎信吾 ,  小笠原忠司 ,  藤田诚

IPC: C23C14/24

CPC classification number: C23C14/243 ,  C01B33/113 ,  C23C14/10 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明涉及以下高纯度一氧化硅蒸镀材料、其制造方法、以及制造原料等。(1)高纯度一氧化硅蒸镀材料，在形成蒸镀膜时可以抑制飞溅现象，且平均体积密度为2.0g/cm3、维氏硬度为500以上。(2)高纯度一氧化硅蒸镀材料的制造方法，在原料室中比一氧化硅升华温度低的温度下进行脱气处理之后，实施升温而使一氧化硅升华，蒸镀到沉积室的沉积衬底上形成高纯度一氧化硅蒸镀材料，其金属不纯物的总量为50ppm以下。(3)所述的一氧化硅蒸镀材料的制造原料，其中金属硅粉与二氧化硅粉的平均粒度同时为1～40μm和/或摩尔混合比SiO/Si为0.90～0.99。

公开(公告)号：CN1317420C

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN01815020.9

申请日：2001-08-30

Applicant: 住友钛株式会社

Inventor： 有本伸弘 ,  西冈和雄 ,  木崎信吾 ,  小笠原忠司 ,  藤田诚

IPC: C23C14/24

CPC classification number: C23C14/243 ,  C01B33/113 ,  C23C14/10 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明涉及以下高纯度一氧化硅蒸镀材料、其制造方法、以及制造原料等。(1)高纯度一氧化硅蒸镀材料，在形成蒸镀膜时可以抑制飞溅现象，且平均体积密度为2.0g/cm3、维氏硬度为500以上。(2)高纯度一氧化硅蒸镀材料的制造方法，在原料室中比一氧化硅升华温度低的温度下进行脱气处理之后，实施升温而使一氧化硅升华，蒸镀到沉积室的沉积衬底上形成高纯度一氧化硅蒸镀材料，其金属不纯物的总量为50ppm以下。(3)所述的一氧化硅蒸镀材料的制造原料，其中金属硅粉与二氧化硅粉的平均粒度同时为1～40μm和/或摩尔混合比SiO/Si为0.90～0.99。

公开(公告)号：CN101014534A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200580029459.3

申请日：2005-08-09

Applicant: 住友钛株式会社

Inventor： 木崎信吾 ,  西冈和雄

IPC: C01B33/113 ,  C23C14/24

CPC classification number: C01B33/113 ,  C23C14/10

Abstract: 一种SiO或SiO蒸镀材料，其特征在于氢气含量在120ppm以上，或者一种SiO蒸镀材料，其特征在于，氢气含量在150ppm以上，在向基质蒸镀SiO时，可以加快成膜速度，可以有效地形成SiO蒸镀膜。通过使这些原料用Si粉末的氢气含量在30ppm以上，在制造SiO时，可以加快升华速度，可以以低成本且高效率地制造。这样，本发明的SiO制造方法可以作为食品、医疗用品和医药品等具有透明性的同时还具有阻隔性的包装材料的蒸镀材料或具有SiO蒸镀膜的锂电池用电极材料的蒸镀材料的制造方法广泛使用。

公开(公告)号：CN101010444A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580029460.6

申请日：2005-08-09

Applicant: 住友钛株式会社

Inventor： 西冈和雄 ,  木崎信吾

IPC: C23C14/24 ,  C01B33/037 ,  C01B33/113

CPC classification number: C01B33/113 ,  C23C14/10

Abstract: 本发明提供一种SiO蒸镀材料，其特征在于氢气含量在50ppm以下，在向基质蒸镀SiO时，可以抑制飞溅的发生，可以形成透明性和阻隔性出色的SiO蒸镀膜。通过脱气处理使这些原料用Si粉末的氢气含量在10ppm以下，可以以低成本且高效率地制造氢气含量在50ppm以下的SiO蒸镀材料。这样，本发明的SiO制造方法可以作为医疗用品和医药品等具有透明性的同时还具有阻隔性的包装材料的蒸镀材料的制造方法广泛使用。

公开(公告)号：CN1989639A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200580025292.3

申请日：2005-05-27

Applicant: 住友钛株式会社

Inventor： 木崎信吾 ,  西冈和雄

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/48 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/485 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/405 ,  H01M4/463 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/028

Abstract: 本发明提供一种二次电池用SiO粉末，其特征是，用于锂二次电池的负极材料中，含氢浓度在80ppm以上，可以实现放电容量或循环容量维持率的飞跃性的提高，实现锂二次电池的小型化或低成本化。该SiO粉末的制造方法由于将二氧化硅粉末与含氢浓度为30ppm以上的硅粉末混合，加热到1250～1350℃，在将SiO气化后，向析出基体析出所述SiO，其后进行粉碎，从而可以有效地制造SiO粉末，可以大幅度降低电费等制造成本，所以作为二次电池用SiO粉末可以广泛地应用。

公开(公告)号：CN1547622A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN02816621.3

申请日：2002-09-13

Applicant: 住友钛株式会社

Inventor： 西冈和雄

IPC: C23C14/24 ,  C01B33/113

CPC classification number: C23C14/24 ,  C23C14/10 ,  C23C14/225

Abstract: 本发明的目的是提供一氧化硅蒸镀膜形成时的飞溅现象的产生显著减少的一氧化硅蒸镀材料及其制造方法，在将硅粉末与二氧化硅粉末的混合物在真空下的原料室内加热、反应，以产生一氧化硅气体，一氧化硅在设置在原料室上部的沉积室中的沉积基材上沉积的方法中，通过使用圆周壁相对于垂线倾斜1度～45度并且上端内径比下端内径小的圆筒体作为沉积基材，并且在沉积室的压力为7Pa～40Pa的真空气氛下制造，可以制造磨耗试验的重量减少率(磨耗值)为1.0％或更低，一氧化硅蒸镀膜形成时的飞溅现象的产生少的一氧化硅蒸镀材料。