公开(公告)号：CN1317420C

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN01815020.9

申请日：2001-08-30

Applicant: 住友钛株式会社

Inventor： 有本伸弘 ,  西冈和雄 ,  木崎信吾 ,  小笠原忠司 ,  藤田诚

IPC: C23C14/24

CPC classification number: C23C14/243 ,  C01B33/113 ,  C23C14/10 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明涉及以下高纯度一氧化硅蒸镀材料、其制造方法、以及制造原料等。(1)高纯度一氧化硅蒸镀材料，在形成蒸镀膜时可以抑制飞溅现象，且平均体积密度为2.0g/cm3、维氏硬度为500以上。(2)高纯度一氧化硅蒸镀材料的制造方法，在原料室中比一氧化硅升华温度低的温度下进行脱气处理之后，实施升温而使一氧化硅升华，蒸镀到沉积室的沉积衬底上形成高纯度一氧化硅蒸镀材料，其金属不纯物的总量为50ppm以下。(3)所述的一氧化硅蒸镀材料的制造原料，其中金属硅粉与二氧化硅粉的平均粒度同时为1～40μm和/或摩尔混合比SiO/Si为0.90～0.99。

公开(公告)号：CN1451057A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN01815020.9

申请日：2001-08-30

Applicant: 住友钛株式会社

Inventor： 有本伸弘 ,  西冈和雄 ,  木崎信吾 ,  小笠原忠司 ,  藤田诚

IPC: C23C14/24

CPC classification number: C23C14/243 ,  C01B33/113 ,  C23C14/10 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明涉及以下高纯度一氧化硅蒸镀材料、其制造方法、以及制造原料等。(1)高纯度一氧化硅蒸镀材料，在形成蒸镀膜时可以抑制飞溅现象，且平均体积密度为2.0g/cm3、维氏硬度为500以上。(2)高纯度一氧化硅蒸镀材料的制造方法，在原料室中比一氧化硅升华温度低的温度下进行脱气处理之后，实施升温而使一氧化硅升华，蒸镀到沉积室的沉积衬底上形成高纯度一氧化硅蒸镀材料，其金属不纯物的总量为50ppm以下。(3)所述的一氧化硅蒸镀材料的制造原料，其中金属硅粉与二氧化硅粉的平均粒度同时为1～40μm和/或摩尔混合比SiO/Si为0.90～0.99。