公开(公告)号：CN1476420A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN02803178.4

申请日：2002-07-25

Applicant: 住友钛株式会社

Inventor： 夏目义丈 ,  大西隆 ,  小笠原忠司 ,  渡边宗敏 ,  岩濑敏治

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  C23C14/24 ,  C01B33/113

CPC classification number: C04B35/14 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C23C14/10 ,  C23C14/30 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明的目的是提供具有作为一氧化硅气相淀积材料所要求的均匀的组织、良好的机械加工性和抗飞溅性的一氧化硅烧结体，或直径至少100mm并具有作为溅射靶材料所要求的形状的一氧化硅烧结体，并稳定、高产地得到这些烧结体。通过在至少15Mpa的压力、1200－1350℃温度的热压条件下进行烧结，可以得到堆积密度至少为1.68g/cm3的一氧化硅烧结体，进一步通过使用具有在整体式外模内设置间隙并组合分割成多段的内模的结构、并在该间隙中设置缓冲材料的压模，可以得到直径至少为100mm、并且堆积密度为至少2.13g/cm3(真密度的至少95％)的一氧化硅烧结体，可以提供最适合真空气相淀积、溅射等的气相成膜材料。

公开(公告)号：CN1247482C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN02803178.4

申请日：2002-07-25

Applicant: 住友钛株式会社

Inventor： 夏目义丈 ,  大西隆 ,  小笠原忠司 ,  渡边宗敏 ,  岩濑敏治

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  C23C14/24 ,  C01B33/113

CPC classification number: C04B35/14 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C23C14/10 ,  C23C14/30 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明的目的是提供具有作为一氧化硅气相淀积材料所要求的均匀的组织、良好的机械加工性和抗飞溅性的一氧化硅烧结体，或直径至少100mm并具有作为溅射靶材料所要求的形状的一氧化硅烧结体，并稳定、高产地得到这些烧结体。通过在至少15Mpa的压力、1200-1350℃温度的热压条件下进行烧结，可以得到堆积密度至少为1.68g/cm3的一氧化硅烧结体，进一步通过使用具有在整体式外模内设置间隙并组合分割成多段的内模的结构、并在该间隙中设置缓冲材料的压模，可以得到直径至少为100mm、并且堆积密度为至少2.13g/cm3(真密度的至少95%)的一氧化硅烧结体，可以提供最适合真空气相淀积、溅射等的气相成膜材料。