一种针对建筑多环境性能指标模拟的参数化模型构建方法

    公开(公告)号:CN111861244A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202010735873.2

    申请日:2020-07-28

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 季云竹 张彤

    Abstract: 本发明公开了一种针对建筑多环境性能指标模拟的参数化模型构建方法,方法步骤包括:对导入的建筑模型进行分析获得图元构件,再将图元构件放置到对应的图元构件图层上;将对应的图层名称耦合到图元构件中创建为建筑图元构件;针对各性能模拟机制的需求来提取建筑模型的建筑信息,并筛选和创建出用于性能模拟的建筑图元构件,并归置到内置图层上;创建模拟数据输出端口用于将包含建筑信息和内置图层上的建筑图元构件的模拟数据输出至各性能模拟机制的参数输入端。参数化模型构建方法能够建立参数化模型满足多种模拟机制对模型的输入要求,对于建筑设计过程中建筑性能的分析和优化具有重要的基础性意义。

    一种防膜污染MFC-AnMBR耦合装置

    公开(公告)号:CN111498980A

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN202010333176.4

    申请日:2020-04-24

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种防膜污染MFC-AnMBR耦合装置,包括AnMBR反应池、好氧池和调节池,AnMBR反应池内设有阳极导电膜组件,好氧池内设有阴极,阳极导电膜组件通过电阻与阴极连接,另一端通过第一泵与调节池连接,调节池另一端利用第二泵通入好氧池,AnMBR反应池和好氧池之间设有盐桥,AnMBR反应池底部设有进水口,好氧池利用出水泵与集水池连接。该装置能够高效处理难降解有机物,其去除效率达73%,有效抑制膜污染问题,其极限运行时间可达56天,将装置使用寿命延长了一倍。

    一种补偿驱动管阈值电压漂移的硅基OLED像素电路及其方法

    公开(公告)号:CN108335666B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201810351791.0

    申请日:2018-04-19

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种补偿驱动管阈值电压漂移的硅基OLED像素电路及其方法,该硅基OLED像素电路由6个金属‑氧化物‑半导体场效应管、1个存储电容和1个有机发光二极管构成。该硅基OLED像素电路及其补偿驱动管阈值电压漂移的方法在阈值电压补偿阶段把驱动管的阈值电压和数据电压存储在存储电容中,并使驱动管工作在饱和区,使得有机发光二极管的工作电流与驱动管的阈值电压无关,从而消除了驱动管阈值电压漂移对有机发光二极管工作电流的影响,提高了硅基OLED微显示器的亮度均匀性,改善微显示器的显示效果。

    一种基于二维材料的等离激元随机激光阵列器件

    公开(公告)号:CN107069417B

    公开(公告)日:2020-02-18

    申请号:CN201710316601.7

    申请日:2017-05-08

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料的等离激元随机激光阵列器件,由阵列化的激光腔室单元所组成,所述随机激光阵列器件的整体结构位置关系由下至上依次为泵浦光源(1)、基底(2)、底电极(31)、介质层(4)、由间隔层(5)所围成的激光腔室单元(6)、顶电极(32);外围驱动电路(7)的两端分别连接底电极(31)和顶电极(32),底电极(31)、介质层(4)、激光腔室单元(6)、顶电极(32)形成闭合回路。本发明的随机激光阵列使用高光致发光效率的二维材料纳米片作为随机增益介质,并通过金属纳米颗粒的局域表面等离激元效应(LSPR)来有效增强光的散射,降低激光器的阈值。通过改变激光腔室工作电压能够实现对辐射光谱和方向性的动态调节。

    一种热点密集型表面增强拉曼散射基底及制备方法

    公开(公告)号:CN110514638A

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201910631311.0

    申请日:2019-07-12

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提出了一种热点密集型表面增强拉曼散射基底及制备方法,所述基底组成如下:由疏水的热缩材料作为衬底(1),其上通过印刷电子技术打印金属电极(2),并通过电泳沉积技术在金属电极(2)上选择性沉积具有亲水性的金属纳米颗粒(3)。表面露出的热缩材料为疏水性,固定有金属纳米颗粒的表面为亲水性。该方法制作的表面增强拉曼散射基底,具有复杂的表面特性,可实现极高灵敏度的SERS检测。

    一种低温漂的混合表面等离激元加速度计

    公开(公告)号:CN109633204A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201811464465.7

    申请日:2018-12-03

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: G01P15/03 G02B5/008

    Abstract: 本发明公开一种低温漂的混合表面等离激元加速度计,包括可调谐等离激元定向耦合器、柔性表面等离激元波导和位于柔性表面等离激元波导表面的加速度质量块,可调谐等离激元定向耦合器包括上支等离激元波导、用于输入输出光学信号的下支等离激元波导、以及设置于下支等离激元波导上的调制电极,上支等离激元波导两端与弯曲后的柔性表面等离激元波导两端分别连接、构成表面等离激元波导环形谐振腔,该环形谐振环与可调谐等离激元定向耦合器所在平面垂直。利用二氧化硅基可调谐表面等离激元定向耦合器和柔性表面等离激元波导相反的热光特性可有效抑制谐振腔谐振频率的温度波动性,且在最佳匹配条件下,有望实现谐振频率的零温漂。

    一种脉搏信号检测的控制方法

    公开(公告)号:CN109009003A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201810743042.2

    申请日:2018-07-09

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: A61B5/02 A61B5/72

    Abstract: 本发明公开了一种脉搏信号检测的控制方法,通过设定脉搏信号测量稳定判据,当测量的脉搏信号不满足脉搏信号测量稳定判据时,将缓存的数据舍弃。当所测量的脉搏信号满足脉搏信号测量稳定判据时,将缓存的N个脉搏波数据发送到信号接收端。所测量的脉搏波个数N可设置,当测量人群为普通健康人群时,可将N设置为相对较小的数值,当测量人群为患病人群时,可将N设置为相对较大的数值。本方法可针对不同人群测量不同长度且长度可设置的稳定有效的脉搏信号,降低采集端的功耗与信号接收端处理数据的难度,提高脉搏信号检测的效率。

    一种超薄银纳米板的合成方法

    公开(公告)号:CN106735300B

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201611195896.9

    申请日:2016-12-22

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明是超薄银纳米板的合成方法,该方法包括:通过向硝酸银和表面活性剂的混合溶液中加入大量且过量的双氧水和强还原剂制备出晶种类型高度一致化的晶种溶液;利用晶种溶液,通过控制反应过程中还原剂及硝酸银的量,得到形貌、尺寸可控,且单分散的第一种银纳米板;通过多轮续生长得到带有随机“缝隙”和“热点”的第二种银纳米板;通过引入卤素离子/双氧水刻蚀缺陷,多轮续生长得到边沿平整的超高长径比、超大且超薄的第三种银纳米板;并通过包裹上述三种结构独特的纳米板,得到核壳结构的超薄银纳米板。本发明创造性地提出了一种带有随机“缝隙”和“热点”的纳米板结构的制备方法;解决了银纳米板材料稳定性差的难题。

    一种等离激元多谐振机制增强的可调超光谱探测芯片

    公开(公告)号:CN108507678A

    公开(公告)日:2018-09-07

    申请号:CN201810171259.0

    申请日:2018-03-01

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: G01J3/447 H01L27/14601

    Abstract: 本发明公开了一种等离激元多谐振机制增强的可调超光谱探测芯片,该探测芯片由阵列化的金属纳米钉谐振腔探测单元所组成,每个探测单元(1)包括:底电极(2)、半导体材料层(3)、间隔层(4)、纳米钉阵列(5)、调控材料层(6)、顶电极(7)、外围调控信号(8)及驱动电路(9);其位置关系由上至下依次为顶电极(7)、调控材料层(6)、纳米钉阵列(5)、间隔层(4)、半导体材料层(3)、底电极(2),其中,纳米钉阵列(5)填充于调控材料层(6)内部,外围调控信号(8)及驱动电路(9)与调控材料层(6)两侧连接。实现探测器材料的量子效率显著提升,光谱分辨率优于1纳米,实现突破半导体截止波长的光探测。

    一种补偿驱动管阈值电压漂移的硅基OLED像素电路及其方法

    公开(公告)号:CN108335666A

    公开(公告)日:2018-07-27

    申请号:CN201810351791.0

    申请日:2018-04-19

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种补偿驱动管阈值电压漂移的硅基OLED像素电路及其方法,该硅基OLED像素电路由6个金属-氧化物-半导体场效应管、1个存储电容和1个有机发光二极管构成。该硅基OLED像素电路及其补偿驱动管阈值电压漂移的方法在阈值电压补偿阶段把驱动管的阈值电压和数据电压存储在存储电容中,并使驱动管工作在饱和区,使得有机发光二极管的工作电流与驱动管的阈值电压无关,从而消除了驱动管阈值电压漂移对有机发光二极管工作电流的影响,提高了硅基OLED微显示器的亮度均匀性,改善微显示器的显示效果。

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