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公开(公告)号：CN108597444A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810351872.0
申请日：2018-04-19
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/3208 , G09G3/3233 , G09G3/3266
Abstract: 本发明公开了一种硅基OLED像素电路及其补偿OLED电学特性变化的方法，该硅基OLED像素电路由4个金属-氧化物-半导体场效应管、1个存储电容和1个有机发光二极管构成。该硅基OLED像素电路及其补偿OLED电学特性变化的方法将有机发光二极管放在驱动管的漏极，并使驱动管工作在饱和区，使得驱动管的工作电流与驱动管的漏极电压无关，从而消除了有机发光二极管老化所引起的电学特性变化对有机发光二极管工作电流的影响，改善了硅基OLED微显示器亮度下降的问题，提高了微显示器的显示质量。
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公开(公告)号：CN109411614B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811257574.1
申请日：2018-10-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，特别涉及一种有机无机复合型钙钛矿发光二极管器件及其制备方法，包括不同掺杂比例系数的钙钛矿纳米晶体(FA1‑xMAxPbBr3)的制备方法；有机无机复合型钙钛矿发光二极管从下到上依次为ITO透明导电玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、有机无机复合型钙钛矿发光层、电子传输层、Al和LiF的复合电极；有机无机复合型钙钛矿纳米晶体(FA1‑xMAxPbBr3)是以不同摩尔比例的FABr和MABr的混合溶液为原料制得；本发明的有机无机复合型钙钛矿纳米晶体的制备方法简单，成本低廉，制得的钙钛矿发光二极管器件具有很高的光电转换效率，能够有效的改善钙钛矿发光二极管器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108597444B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201810351872.0
申请日：2018-04-19
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/3208 , G09G3/3233 , G09G3/3266
Abstract: 本发明公开了一种硅基OLED像素电路及其补偿OLED电学特性变化的方法，该硅基OLED像素电路由4个金属‑氧化物‑半导体场效应管、1个存储电容和1个有机发光二极管构成。该硅基OLED像素电路及其补偿OLED电学特性变化的方法将有机发光二极管放在驱动管的漏极，并使驱动管工作在饱和区，使得驱动管的工作电流与驱动管的漏极电压无关，从而消除了有机发光二极管老化所引起的电学特性变化对有机发光二极管工作电流的影响，改善了硅基OLED微显示器亮度下降的问题，提高了微显示器的显示质量。
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公开(公告)号：CN109411614A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811257574.1
申请日：2018-10-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，特别涉及一种有机无机复合型钙钛矿发光二极管器件及其制备方法，包括不同掺杂比例系数的钙钛矿纳米晶体(FA1-xMAxPbBr3)的制备方法；有机无机复合型钙钛矿发光二极管从下到上依次为ITO透明导电玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、有机无机复合型钙钛矿发光层、电子传输层、Al和LiF的复合电极；有机无机复合型钙钛矿纳米晶体(FA1-xMAxPbBr3)是以不同摩尔比例的FABr和MABr的混合溶液为原料制得；本发明的有机无机复合型钙钛矿纳米晶体的制备方法简单，成本低廉，制得的钙钛矿发光二极管器件具有很高的光电转换效率，能够有效的改善钙钛矿发光二极管器件性能。
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公开(公告)号：CN109166525A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811195665.7
申请日：2018-10-15
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/3208 , G09G3/3266
Abstract: 本发明公开了一种提高硅基OLED微显示器电流稳定性的像素电路和方法，其中像素电路包括4个金属-氧化物-半导体场效应管、1个存储电容和一个有机发光二极管；4个MOSFET分为开关管和驱动管，由2个扫描信号的状态控制得到2个工作阶段：阈值电压补偿阶段和发光阶段。在阈值电压补偿阶段，将驱动管的栅漏极短接，使驱动管的阈值电压和数据电压存储在存储电容中，使得在发光阶段的漏电流与驱动管的阈值电压无关，从而提高了硅基OLED微显示器的电流稳定性。
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公开(公告)号：CN108335666B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810351791.0
申请日：2018-04-19
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/3208
Abstract: 本发明公开了一种补偿驱动管阈值电压漂移的硅基OLED像素电路及其方法，该硅基OLED像素电路由6个金属‑氧化物‑半导体场效应管、1个存储电容和1个有机发光二极管构成。该硅基OLED像素电路及其补偿驱动管阈值电压漂移的方法在阈值电压补偿阶段把驱动管的阈值电压和数据电压存储在存储电容中，并使驱动管工作在饱和区，使得有机发光二极管的工作电流与驱动管的阈值电压无关，从而消除了驱动管阈值电压漂移对有机发光二极管工作电流的影响，提高了硅基OLED微显示器的亮度均匀性，改善微显示器的显示效果。
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公开(公告)号：CN108335666A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810351791.0
申请日：2018-04-19
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/3208
Abstract: 本发明公开了一种补偿驱动管阈值电压漂移的硅基OLED像素电路及其方法，该硅基OLED像素电路由6个金属-氧化物-半导体场效应管、1个存储电容和1个有机发光二极管构成。该硅基OLED像素电路及其补偿驱动管阈值电压漂移的方法在阈值电压补偿阶段把驱动管的阈值电压和数据电压存储在存储电容中，并使驱动管工作在饱和区，使得有机发光二极管的工作电流与驱动管的阈值电压无关，从而消除了驱动管阈值电压漂移对有机发光二极管工作电流的影响，提高了硅基OLED微显示器的亮度均匀性，改善微显示器的显示效果。
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