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公开(公告)号：CN102881761A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110199099.9
申请日：2011-07-15
Applicant: 常州光电技术研究所 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0232 , H01L31/0216 , H01L31/18 , G01J5/20
Abstract: 本发明公开了APD红外探测器及其制作方法，APD红外探测器包括APD及与其相结合的光子耦合腔；光子耦合腔包括金属反射层、透明介质层、金属阻挡环和金属光栅层；金属反射层、透明介质层和金属光栅层按照从下向上的顺序依次生长在APD的p+-InP结上；金属阻挡环位于透明介质层的外围，并连接金属反射层和金属光栅层；金属光栅层为同心的多环金属环结构；金属反射层为两个同心金属环结构。本发明在APD红外探测器的p+-InP结上形成MIM结构的耦合汇聚光栅，通过对入射光的汇聚来缩小APD器件的p+-InP结尺寸，缩小器件的电学有效工作尺寸，从而可以在材料和器件制备工艺走到工艺极限时，在不损失量子效率下进一步抑制暗计数。
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公开(公告)号：CN101794839B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010107411.2
申请日：2010-02-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种优化锑化铟光伏型探测器件吸收层厚度的方法，该方法是通过器件模拟得出光照吸收区时不同吸收层厚度下的光谱响应曲线，通过与实验测量的光谱响应数据进行对比，得到最大光谱响应值对应的吸收层厚度即为最佳吸收层厚度，进而为优化锑化铟光伏型探测器件吸收层厚度提供了依据。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN101916773A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010234859.0
申请日：2010-07-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种Al2O3/AlN/GaN/AlGaN/GaN双沟道MOS-HEMT器件及制作方法，包括蓝宝石衬底10上依次形成的GaN成核层9、GaN缓冲层8、AlGaN下势垒层7、GaN沟道层6、AlN上势垒层5以及其上形成的Al2O3栅介质层4、源极1和漏极3、Al2O3栅介质层4上形成的栅极2，其特征是：采用具有优良热导性和较大禁带宽度的AlN材料作为上势垒层，降低了器件的自加热效应，同时降低了器件耗尽模式下的阈值电压；利用AlN和GaN形成的深势阱抑制高电压下的热电子效应，从而降低器件的电流坍塌效应；利用AlN材料强的极化性质，提高了沟道中的电子浓度，增大了饱和电流和器件的输出功率；使用原子层沉积工艺淀积的Al2O3材料作为栅介质层，减少了栅极漏电流，提高了器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN101458293B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810204665.9
申请日：2008-12-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/265
Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞红外探测器离子注入区的损伤程度的检测方法。它是基于在强激光辐照下，离子注入n区损伤引起光电流的原理，采用相敏检测技术(锁相放大器+机械斩波器)得到强激光辐照下的反常电流信号，并除去低激光强度下的常规的激光束诱导电流信号，剩下的即为离子注入n区损伤引起的光电流，可作为判断样品中损伤的标准。本发明的优点在于能通过与探测过程完全相同的光电过程，直接检测损伤对于光电响应的影响。
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公开(公告)号：CN101830644A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010177547.0
申请日：2010-05-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高汽车镀膜玻璃稳定性的膜系，该膜系与常用的汽车镀膜玻璃膜系的核心总差异是将金属纯银材料改变为银、铜、锌、铬四种金属的合金材料Ag1-x-y-zCuxZnyCrz，其中0≤x+y+z≤10％，Zn能够阻止银与邻近的氧化物层的相互作用，防止膜系性能退化，Cr和Cu能够提高Ag层的化学稳定性，不易受环境的影响。这大大提高了夹胶玻璃在深加工过程的稳定性。另一方面，由于掺杂铜、锌、铬的Ag1-x-y-zCuxZnyCrz合金银的使用，降低了工业大规模生产的成本。本发明中的膜系在可见光透光率75～80％的条件下增加了银膜层的抗氧化、抗机械和化学攻击性，对提高汽车镀膜玻璃的稳定性能有着十分重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1793874B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510111477.8
申请日：2005-12-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N23/227 , G01N13/00 , G01N1/28
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法，该设备包括：扫描探针显微镜、脉冲激光器、透镜和光电信号耦合测量部件。该方法是：利用扫描探针显微系统精确的空间定位和控制能力，使用导电针尖作为纳米电极，并采用背面入射的方法将脉冲激光引入样品待测区域，在对样品实施结构扫描的同时获得特定纳米区域的光激发电学特性。本发明的优点是：利用扫描探针显微镜的导电针尖作为高精度、高稳定性的移动纳米电极，可以对样品表面的微观区域进行光电响应的二维成像，像点间的信息具有很高的可比性，有助于对半导体光电功能材料的均匀性实施高分辨率的检测。
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公开(公告)号：CN100559194C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200710172700.9
申请日：2007-12-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R29/24
Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法，该方法是利用一束光子能量大于被测器件带隙的超快脉冲激光背照射HgCdTe器件，利用数字示波器测量光伏器件两电极间的瞬态光伏信号与时间的演化关系，根据外电路测量到的界面电荷诱导电场和pn结电场形成的光生电动势在时间维度上被分离，通过对界面电荷诱导电场形成的光生电动势和有冶金pn结内建电场形成的光生电动势的指认，可以较方便地获取对器件光电响应有很大影响的界面电荷的信息。这是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法，对于改善器件性能，提高器件稳定性，以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN100524841C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710040613.8
申请日：2007-05-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种GaAs/AlGaAs/InGaAs双色量子阱红外焦平面探测器，该器件采用GaAs基材料，交替生长AlGaAs势垒/GaAs量子阱/AlGaAs势垒/InGaAs量子阱/AlGaAs势垒，利用GaAs量子阱中的子带间跃迁形成长波波段的探测，利用InGaAs量子阱中的子带间跃迁形成中波波段的探测。对长波探测的GaAs量子阱，AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层构成GaAs量子阱的势垒；对中波探测的InGaAs量子阱，AlGaAs/GaAs/AlGaAs层又构成了InGaAs量子阱的势垒，并且使AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层的总厚度和AlGaAs/GaAs/AlGaAs层的总厚度为常规量子阱红外探测器中的一个势垒厚度，除掉了由于厚度增加使得器件的光电耦合效率下降的因素。在光电耦合方式中采用优化的二维双周期衍射光栅，在光栅刻蚀工艺中采用难度较小的浅深度刻蚀法。
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公开(公告)号：CN100461557C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610148067.5
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S3/107 , H01S3/08 , H01L31/068 , G02F1/015
Abstract: 本发明公开了一种被动式饱和箝位输出光强连续可调的碲镉汞光限幅器，该光学限幅器包括：一对分布布拉格反射镜形成的F-P光学谐振腔和置于F-P光学谐振腔中间的作为吸收层的HgCdTe光电二极管及施加于HgCdTe光电二极管的直流稳压电源。本发明的优点是：1.由于吸收层采用HgCdTe光电二极管，通过控制施加于HgCdTe光电二极管的反向偏压来达到双光子吸收系数的人为调控；通过F-P光学谐振腔来增大双光子吸收材料的等效吸收长度，从而实现在一定范围内对大功率激光器的输出光强精确连续可调和饱和箝位。2.由于吸收波长可通过HgCdTe材料中Cd组分来调节，因此，这种光学限幅器可以在整个红外光学波段都能实现光学限幅要求。
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公开(公告)号：CN100442545C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200510027144.7
申请日：2005-06-24
Applicant: 华东师范大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种量子阱红外探测器(QWIP)焦平面(FPA)的制备方法，制备从两异质晶片，硅晶片和GaAs晶片开始，硅晶片和GaAs晶片上分别制有硅基读出集成电路和终止层、下电极层、量子阱层、上电极层、二维光栅，首先用化学机械平坦化工艺，使制有硅基读出集成电路的硅晶片的表面光滑、平整、清洁，接着在把同样光滑、平整、清洁的GaAs晶片的上电极与硅晶片上的对应的金属电极对位，用低温异质晶片键合方法对两晶片进行预键合、低温热处理，直至两晶片键合在一起，然后减薄GaAs晶片的衬底，选择刻蚀蚀去剩余的衬底，用腐蚀液蚀去终止层，最后完成量子阱红外探测器与硅基读出集成电路对应电极的连接，得产品，量子阱红外探测器焦平面。该方法具有制造成本低、产品机械强度高和可靠性好等优点。
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