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公开(公告)号：CN104087776B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410342732.9
申请日：2014-07-18
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明掺碳增强W?Cu复合材料的制备方法是一种基于有机物掺碳增强W?Cu复合材料的制备方法，该方法利用具有粘附性能的有机物的掺碳工艺，在W粉表面包覆一层有机添加物，将包覆后的W粉置于惰性气氛中进行高温处理使有机添加物发生热解，获得C@W复合粉末；然后以C@W复合粉末为原料通过包覆的方法制备出Cu@C@W复合粉末；再将Cu@C@W复合粉末在100?500MPa下进行冷等静压获得坯体，最后将坯体放入真空热压炉中进行烧结，获得掺碳增强W?Cu复合材料。本发明可以获得致密度高的掺碳增强W?Cu复合材料，具有W?Cu两相界面热阻低，界面结合力强，热导率高等优点。
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公开(公告)号：CN103572087B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310603256.7
申请日：2013-11-25
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及铝基复合材料及其制备技术领域，具体公开了碳化硼颗粒增强铝基复合材料及其制备方法，该复合材料以铝合金作为基体，用作增强相的碳化硼的质量分数为2.5～30%，碳化硼颗粒在基体中均匀分布。其具体制备方法为将碳化硼粉末和铝合金粉末混料，并通过表面活化、等离子活化烧结和热处理，制备出接近全致密的烧结试样。本发明制备铝基复合材料烧结温度低，致密度高，晶粒细小，力学性能优异，并且操作简单，可控性好，是一种轻质高性能铝基复合材料。
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公开(公告)号：CN104846333A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510195661.9
申请日：2015-04-22
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用物理气相沉积方法控制硼碳氮薄膜成分以及化学计量比的硼碳氮薄膜的制备方法。本发明在传统脉冲激光沉积的基础上，通过使用石墨-硼二元拼合靶材在氨气气氛下制备组成与化学计量比均可控的硼碳氮薄膜，克服了传统制备技术中由于靶材成分限制难以在较大范围内控制硼碳氮薄膜组成的不足，通过设计二元靶材、控制靶基距、沉积温度、沉积气氛等沉积条件，得到一种可以在大范围内连续控制材料组成的硼碳氮薄膜制备方法。
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公开(公告)号：CN104498873A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410712152.4
申请日：2014-11-28
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种在物理气相沉积方法中控制BxC薄膜成分以及化学计量的脉冲激光沉积方法。本发明在脉冲激光沉积方法的基础上，通过使用石墨-硼二元靶材制备得到薄膜组成与化学计量比均可控的Bx1C薄膜。本发明方法克服了传统沉积技术中，由于靶材成分单一以及原子迁移性能力不同容易导致硼元素缺少，仅能制备成分结构单一的低硼碳比薄膜的不足，通过设计二元靶材的硼碳比，控制靶基距、沉积温度、激光能量等沉积条件，得到一种高沉积速率的碳化硼薄膜制备方法，该方法制备得到的碳化硼薄膜组分可控、薄膜质量好、具有高B/C比且该比例连续可调。
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公开(公告)号：CN103952676A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410191839.8
申请日：2014-05-07
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种在电极材料上沉积b轴取向的BaTi2O5薄膜的制备技术。将BaTi2O5陶瓷采用激光脉冲沉积或磁控溅射的方式沉积在镀有Pt电极的基片上，得到非晶态的BaTi2O5薄膜；然后将沉积有薄膜的基片放在900-1000℃炉中退火，退火时将样品放在直流电场中，场强为200-3000V/cm，退火1-2小时即可得到高度b轴取向BaTi2O5薄膜。本发明可在Pt电极上制备出BaTi2O5薄膜，制备出的薄膜具有高度b轴取向；且本发明工艺简单，成本低廉，并可应用于制备其它取向薄膜，具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103849824A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410086701.1
申请日：2014-03-11
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C22C49/10 , C22C47/14 , C22C47/04 , C22C101/10 , C22C121/02
Abstract: 本发明是一种CNT增强W-Cu热用复合材料的制备方法，具体是：采用包覆的方法制备Cu@CNT复合包覆粉末和Cu@W复合包覆粉末，然后将Cu@CNT复合包覆粉末和Cu@W复合包覆粉末按照体积百分比为Cu@CNT=0.1%-10.0%、Cu@W=90.0%-99.9%进行球磨混合均匀，将混合均匀粉末在100-500MPa下进行冷等静压获得坯体，最后将坯体放入真空热压炉中进行烧结，得到所述CNT增强W-Cu热用复合材料。本发明可以获得致密度高的CNT增强W-Cu复合材料，具有热导率高、W和Cu界面之间结合力强等优点。
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公开(公告)号：CN103668085A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310619627.0
申请日：2013-11-29
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C23C14/28
Abstract: 本发明公开了一种脉冲激光沉积装置，包括沉积腔以及设于沉积腔内的靶材和基板座，所述的基板座与靶材相对设置，沉积腔腔体上设有与靶材倾斜相对的光学窗口，用于入射脉冲激光以轰击靶材，靶材烧蚀后产生等离子气并到达基板座上的基板表面，作用生成目标薄膜，所述的靶材为圆盘状，包括多种不同材料的扇形体；由于靶材是多种不同单元材料构成的多元靶材，绕中心轴旋转时，脉冲激光光束周期性照射在各单元靶材表面，由各单元靶材产生的等离子气在基板上进行自组装，形成所需的目标薄膜材料，通过调整多元靶材中的不同材料的面积比，即可得到任意比例的薄膜。
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公开(公告)号：CN103572087A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310603256.7
申请日：2013-11-25
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及铝基复合材料及其制备技术领域，具体公开了碳化硼颗粒增强铝基复合材料及其制备方法，该复合材料以铝合金作为基体，用作增强相的碳化硼的质量分数为2.5～30%，碳化硼颗粒在基体中均匀分布。其具体制备方法为将碳化硼粉末和铝合金粉末混料，并通过表面活化、等离子活化烧结和热处理，制备出接近全致密的烧结试样。本发明制备铝基复合材料烧结温度低，致密度高，晶粒细小，力学性能优异，并且操作简单，可控性好，是一种轻质高性能铝基复合材料。
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公开(公告)号：CN103317140A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310255027.0
申请日：2013-06-25
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B22F7/02
Abstract: 本发明涉及流延法制备W-Cu体系梯度复合材料的方法，其步骤包括：(1)金属粉非水基流延料浆制备及流延成型：将球磨混合后的金属粉非水基料浆经除泡、过滤后在流延机上流延成型，在空气中干燥后制得单组分金属流延膜带；(2)梯度结构设计、裁剪、叠层：根据铜含量沿厚度方向分布函数C=C0+Axp的设计，将不同W-Cu组分的流延膜片裁剪后叠层成梯度结构的生坯；(3)生坯排胶和热压烧结：将生坯在氮氢混合气氛中排胶后，在真空热压炉中烧结成型。本发明工艺简单、成本低，所制备的复合材料的单组分层厚度可以达到微米量级、组分变化平缓、过渡层光滑连续，并且具有较良好的电热学性能，可以用于电触头、电子封装等热电领域。
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