-
公开(公告)号：CN104615953B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510070478.6
申请日：2015-02-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F21/76
Abstract: 本发明属于可编程逻辑器技术领域，具体为一种配置数据流安全性高的可编程逻辑器。该可编程逻辑器包括基于SRAM配置层的可编程逻辑阵列、非挥发片上存储器、安全机制控制电路、配置控制电路，接口模块，还可以包括其它模块；非挥发片上存储器可以包括多个分区，存储不同类别的数据，例如配置数据流存储、密钥存储、认证标签存储等；所述的非挥发片上存储器还包括写保护电路，写保护电路可以针对非挥发片上存储器的不同分区提供不同的写保护控制策略；所述的非挥发片上存储器特别包含电阻式随机存储器等可以跟逻辑工艺兼容的非挥发存储器。本发明可编程逻辑器可以提供配置数据流在存储和传递过程防止窃取、防止恶意加载等安全特征。
-
公开(公告)号：CN104425707B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201310382143.9
申请日：2013-08-28
Abstract: 本发明实施例公开了一种磁性存储轨道的制备方法，包括：通过刻蚀工艺在硅体上刻蚀出H个第一凹形空间，所述H为大于1的整数；在所述H个第一凹形空间中沉积一层磁性材料，并在沉积所述磁性材料后的第一凹形空间中填满硅材料，以构造硅与磁性材料的组合体；将所述组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体，以得H个U形磁性存储轨道，其中，所述第一面为所述组合体包括的所述第一凹形空间的开口所在的面。相应地，本发明实施例还提供磁性存储轨道的制备设备和磁性存储轨道。本发明实施例可以提高制造磁性存储轨道的效率。
-
公开(公告)号：CN106406493A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201510460607.2
申请日：2015-07-30
IPC: G06F1/32
Abstract: 一种能降低功耗的电子装置及降低电子装置功耗的方法，所述电子装置包括处理器、易失性内存、及非易失性内存，所述非易失性内存存储第一操作系统，所述电子装置在第一工作模式和第二工作模式下工作；当所述电子装置处于所述第一工作模式时，第二操作系统在所述易失性内存中运行，在所述处理器侦测到所述电子装置达到预设的进入所述第二工作模式的条件时，开启所述非易失性内存，移动所述易失性内存中的非系统数据至所述非易失性内存中，所述非系统数据不包括所述第二操作系统，在所述非系统数据移动完成后，关闭所述易失性内存，在所述非易失性内存中运行所述第一操作系统，使所述电子装置进入所述第二工作模式。从而降低电子装置的功耗。
-
公开(公告)号：CN106298832A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510319361.7
申请日：2015-06-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于非易失性存储器技术领域，提供了一种可降低写操作电压的非易失性存储元件及制造方法。本发明的非易失性存储元件，包括：倒锥状第一电极；存储介质层，其包括第一部分、第二部分和第三部分，其中所述第一部分贴附在倒锥状第一电极的外侧面上，所述第二部分与所述倒锥状第一电极的外侧面非平行设置以至于与所述第一部分的下端连接并形成第一夹角，所述第三部分与所述倒锥状第一电极的外侧面非平行设置以至于与所述第一部分的上端连接并形成第二夹角；第二电极，其形成在所述存储介质层的第一夹角和第二夹角上。本发明的非易失性存储元件通过在第一电极和第二电极之间形成存储介质层的夹角结构，写操作电压得到降低且均匀，制备简单、成本低。
-
公开(公告)号：CN103123805B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110372169.6
申请日：2011-11-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406 , H01L27/108
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，涉及一种基于阻变栅介质的2T动态存储单元和阵列结构及其操作方法。本发明包括写入管、读取管、存储部件、写字线、写位线、读字线、和读位线；所述的写入管的源端连接读取管的栅极，写入管有编程的作用，读取管的栅极介质为存储部件；该栅极介质有绝缘、高阻、低阻三种不同状态，其中高阻、低阻之间转变可逆，读取时在读入管栅极、读字线施加一定电压，可根据读位线的电压变化或电流值大小判断“0”和“1”。本发明工艺简便、成本低廉、效果优越、低功耗、高性能，与32nm High k CMOS逻辑工艺前端兼容。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103123804B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110372160.5
申请日：2011-11-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，涉及一种基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列结构，及其操作方法。本发明包括：晶体管，包括源极、漏极和控制栅极；存储节点，即所述晶体管控制栅极的栅介质，位于晶体管控制栅极和硅衬底之间，存储电阻变化；字线，连接到所述晶体管的控制栅极；位线连接到所述晶体管的漏极；源线连接到所述晶体管的源极；其中，读管201起到选通、限流的作用，202为编程部件，203为位线，204为201的字线，205为编程字线。栅极具有高阻、低阻不同状态，之间转变可逆，在位线和字线间施加一定电压，会有不同大小的电流。本发明解决了传统的1T1C DRAM单元的困难以及与标准CMOS工艺兼容性较差的问题，可以与标准逻辑的CMOS HfOx high k metal gate技术兼容。
-
公开(公告)号：CN103513173B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210224114.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种基于压控振荡器（VCO）的偏压温度不稳定性（BTI）测试装置及其测试方法，属于半导体器件可靠性测试技术领域。本发明的BTI测试装置包括被测器件（DUT）、环形振荡器（RO）、模拟电压切换模块和第一个振荡周期测试模块；模拟电压切换模块用于控制DUT在电压应力偏置和BTI效应测试偏置之间进行切换；RO包括至少一个流控反相器，DUT用于控制经该流控反相器的电流，以至于RO与DUT形成其输出信号的频率受偏置于DUT的栅端的电压控制的VCO；第一个振荡周期测试模块能同步地测试输出VCO的输出信号的第一个周期的相关信号。该装置具有BTI测试灵敏度高、测量准确、测试速度快的优点，并且电路简单。
-
公开(公告)号：CN105469821A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410255252.9
申请日：2014-06-10
CPC classification number: G11C11/161
Abstract: 本发明公开了隧道磁电阻效应存储装置，包括依次层叠的第一磁头单元、磁化方向可变的轨道自由层和第二磁头单元；第一磁头单元包括依次层叠的第一电极层、磁化方向固定的第一固定层和第一绝缘层；第二磁头单元包括第二电极层；轨道自由层设于第一绝缘层和第二电极层之间，且轨道自由层呈U型，轨道自由层包括多个依次排列的磁畴和位于相邻的两个磁畴之间的磁畴壁；第一磁头单元收容于轨道自由层的U型腔内，或第二磁头单元收容于轨道自由层的U型腔内；第一电极层和第二电极层分别对应连接于外界电压的两端。该存储装置采用三维U型轨道自由层，增加了存储容量，简化了外围电路结构，降低了生产成本和工艺难度。还公开了制备方法，和存储器。
-
公开(公告)号：CN103021451B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201110284656.7
申请日：2011-09-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新方法，本存储设备，包括振荡器、分频器、温度传感器，第一选择器，所述的温度传感器和第一选择器连接，振荡器连接到分频器，分频器和第一选择器连接，第一选择器和DRAM阵列相连接，该存储设备还包括n个衬底电压稳定模块和第二选择器，所述n个衬底电压稳定模块产生DRAM保持期间的衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，第二选择器在温度传感器产生的温度电压信号Vtemp控制下从衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn中选择一个输出到DRAM阵列的晶体管衬底电压上。本发明克服了现有技术存在的，如每级的频率对应的温度范围大，阈值电压变化范围大，可能出现低效率或者不可靠问题。
-
公开(公告)号：CN103035281B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201110298531.X
申请日：2011-09-29
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/402 , G11C29/08
Abstract: 一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新存储设备，包括多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)，选择器(300)，冗余单元(501)，检测电路(502)，脉冲产生器(503)和DRAM阵列，还包括多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)产生DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，选择器(300)在选择信号Sel的控制下从VBB1、VBB2、……VBBn中选择一个输出到DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB上，同时也输出到冗余单元(501)的晶体管衬底电压上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
258
records
(took 0.026 seconds)
