公开(公告)号：CN108465473A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810204808.X

申请日：2018-03-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  罗屹东 ,  南策文

IPC: B01J27/02 ,  B01D53/86 ,  B01D53/72

Abstract: 本发明提供了铋铜硫氧和/或其复合材料及其制备方法和用途、温度影响的光催化降解甲醛的设备和方法，该铋铜硫氧和/或其复合材料可以充分吸收可见光，从而可在无外加光源时高效催化降解甲醛，且能够有效用于各种场合中甲醛的催化降解，特别适用于室内甲醛的催化降解，可重复多次利用，稳定性好，市场前景广阔。

公开(公告)号：CN107162049A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710415010.5

申请日：2017-06-05

Applicant: 清华大学

Inventor： 南策文 ,  张雪 ,  刘亭 ,  沈洋

IPC: C01G25/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C01G25/006 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64

Abstract: 本发明提出了锂镧锆氧基氧化物纳米材料及其制备方法。该制备锂镧锆氧基氧化物纳米材料的方法包括：(1)配置含有前驱体的纺丝溶液；(2)将纺丝溶液进行纺丝处理，以便获得前驱体纤维；(3)将前驱体纤维进行高温煅烧处理，以便获得锂镧锆氧基氧化物纳米纤维；(4)对锂镧锆氧基氧化物纳米纤维进行粉碎处理，以便获得锂镧锆氧基氧化物纳米材料。本发明所提出的制备方法，可快速、高效地获得大量锂镧锆氧基氧化物纳米粉体与纳米短棒，并且该方法操作简单，无需多次球磨的复杂工艺，耗能低，制造成本低廉，具有大规模工业化生产的潜力。

公开(公告)号：CN107056087A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710262368.9

申请日：2017-04-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  廖书迪 ,  南策文 ,  沈洋

IPC: C03C17/42 ,  H01G4/06 ,  H01G4/12 ,  H01G4/14

CPC classification number: C03C17/42 ,  C03C17/006 ,  C03C2217/40 ,  H01G4/06 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/14

Abstract: 本发明涉及一种带有二氧化钛纳米棒阵列的电介质薄膜的制备方法，属于电介质材料技术领域。电容器的电介质材料为TiO2纳米棒阵列与PVDF‑HFP的复合物。该方法首先用水热法在FTO基片上制备出TiO2纳米棒阵列，用多巴胺盐酸盐进行表面处理后，将PVDF‑HFP和DMF的溶液旋涂于阵列表面并在真空干燥箱内烘干。将复合薄膜进行热处理及淬火后，去除部分薄膜使FTO露出，作为底电极，再在复合薄膜表面镀上铜电极，即可完成该电介质电容器的制备。本发明制备的电介质电容器击穿场强可达3.7‑5.1MV/cm，室温储能密度可达10.7‑17.5J/cm3，并具有80‑86％的超高储能效率，且合成过程低成本、易加工，是一种有希望作为嵌入式电容器、静电储能元器件等应用的器件。

公开(公告)号：CN104851973B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201410056622.6

申请日：2014-02-19

Applicant: 清华大学

Inventor： 南策文 ,  王建军 ,  李峥 ,  胡嘉冕 ,  冯明 ,  马静 ,  陈龙庆 ,  林元华 ,  沈洋

IPC: H01L43/02 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明公开了一种利用电场写入数据的四态磁存储单元。其包括：第一电极层；铁电氧化物层，所述铁电氧化物层形成于所述第一电极层上；第二电极层，所述第二电极层形成于所述铁电氧化物层上；磁性记录层，所述磁记录层形成于所述第二电极层上，所述磁性记录层的平面具有4重对称性，用于进行磁性记录，所述铁电氧化物层与磁性记录层之间具有磁电效应的耦合作用；以及保护层，所述保护层设置于所述磁性记录层上，以保护所述磁性记录层。与现有技术相比，本发明对磁性记录层的形状各向异性与排列做了优化，使得磁性记录层的磁化强度在外加电压的作用下的翻转方向可以被控制，磁化强度的四种状态都可以通过外加电压进行写入，从而实现4进制数据存储。

公开(公告)号：CN104409674B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201410746094.7

申请日：2014-12-08

Applicant: 清华大学

Inventor： 李峥 ,  冯玉川 ,  南策文

IPC: H01M2/16

Abstract: 本发明公开了一种复合隔膜材料及其制备方法与应用。该复合隔膜，包括无机层和多孔聚合物膜层；所述无机层位于所述多孔聚合物膜层的一面或两面；且所述无机层与多孔聚合物膜层之间通过粘接剂相连；构成所述无机层的材料为纤维棒状材料；所述纤维棒状材料相互堆叠形成若干个平均孔径为0.05微米至1微米的孔隙；所述多孔聚合物膜层中，孔的平均孔径为0.05-0.5微米；孔隙率为30％-60％。该复合隔膜可作为锂离子二次电池的隔膜使用，应用本发明隔膜材料的锂离子电池具有卓越的电化学性能和安全性。

公开(公告)号：CN106495134A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201611002194.4

申请日：2016-11-14

Applicant: 深圳清华大学研究院

Inventor： 赵祖珍 ,  徐永进 ,  沈洋 ,  南策文 ,  袁美荣

IPC: C01B32/184

CPC classification number: C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/03

Abstract: 本发明涉及一种三维多孔石墨烯的制备方法，包括以下步骤：将离子交换型树脂与含过渡金属离子的溶液进行离子交换得到含过渡金属离子交换型树脂；将所述含过渡金属离子交换型树脂进行干燥处理；将所述干燥后的含过渡金属离子交换型树脂与固态碱混合得到混合物；采用交替微波加热法对所述混合物进行加热得到碳化树脂；向所述碳化树脂中加入酸中和后得到三维多孔石墨烯。上述制备方法原材料易得，生产设备简单，操作简单易行，避免了采用特定设备制备三维石墨烯材料，生产成本大大降低。

公开(公告)号：CN106299467A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610822459.9

申请日：2016-09-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 南策文 ,  陈儒君 ,  张益博 ,  刘亭 ,  林元华 ,  沈洋

IPC: H01M10/056 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/058

CPC classification number: H01M10/056 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/058 ,  H01M2300/0085

Abstract: 本发明提出了复合固态电解质及其制备方法、柔性全固态电池及其制备方法、以及可穿戴电子设备。该复合固态电解质含有：陶瓷基固态电解质和第一聚合物基固态电解质；其中，基于该复合固态电解质的总重量，陶瓷基固态电解质的含量为20～90重量％。本发明所提出的复合固态电解质，具有良好的机械性能、室温下的高离子导电性、良好的热稳定性和电化学稳定性，安全性高，可有效地防止被锂枝晶穿透，还与复合正极间形成良好的界面接触，从而能够得到面积比容量和能量密度高、电池内阻较小、柔性高、还可弯折切割而不会影响使用的柔性全固态电池。

公开(公告)号：CN103956458B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201410177987.4

申请日：2014-04-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 南策文 ,  陈凯 ,  沈洋

IPC: H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了锂离子电池复合正极及其制备方法与在全固态锂离子电池中的应用。本发明锂离子电池复合正极由正极活性物质、无机固态电解质和氧化导电添加剂组成；正极活性物质为钴酸锂、锰酸锂、磷酸铁锂和镍钴锰三元材料中任一种；无机固态电解质为硼酸锂、偏硼酸锂和氟化锂中至少一种；氧化物导电添加剂为氧化铟锡、氧化铟、二氧化锡、氧化锌、氧化镍和四氧化三铁中任一种。本发明制备方法包括如下步骤：(1)将正极活性物质、无机固态电解质和氧化物导电添加剂混合后进行球磨，经烘干后压制成陶瓷片；(2)将陶瓷片烧结即得复合正极。本发明复合正极具有良好的质量比容量、面积比容量和循环性能，可用于制备全固态锂离子电池，并且可以在高温下使用。

公开(公告)号：CN103074576B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201310044088.2

申请日：2013-02-04

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  张玉骏 ,  罗屹东 ,  南策文

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/28

Abstract: 本发明公开了一种ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法。方法一以分析纯的金属硝酸盐为原材料，通过水溶液共沉淀法得到掺杂的ZnO粉体，然后采用固相法烧结得到陶瓷靶材，再通过脉冲激光沉积法(PLD)制备成掺杂的稀磁半导体ZnO薄膜，或者同样以分析纯的金属硝酸盐为原材料，通过溶胶凝胶法，经过配制溶胶——甩胶——热处理的工艺流程，制备成掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜。如此制备的ZnO基薄膜的禁带宽度可以由Mg和Cd的掺杂进行调控，进而调控其铁磁性。掺Co或Mn的ZnO基稀磁薄膜中共掺入Cd可以使带隙减小，薄膜的室温饱和磁化强度增大，而共掺Mg可以使带隙增大，薄膜室温饱和磁化强度减小。

公开(公告)号：CN104044318B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201310075684.7

申请日：2013-03-11

Applicant: 清华大学

Inventor： 胡澎浩 ,  南策文 ,  沈洋 ,  宋宇 ,  林元华

IPC: B32B27/06 ,  C08L27/16 ,  C08L63/00 ,  C08L23/12 ,  C08L67/00 ,  C08L79/08 ,  C08K9/10 ,  C08K7/08 ,  C08K3/24 ,  C08K3/22 ,  B32B37/06 ,  B32B37/10 ,  C08J5/18 ,  D01F9/08 ,  C04B35/468

Abstract: 本发明公开了一种叠层结构无机介质填充的聚合物基介电储能复合材料及其制备方法。该复合材料为具有至少三层薄膜结构的叠层薄膜；所述叠层薄膜由纳米纤维/聚合物的复合膜和纳米颗粒/聚合物的复合膜交替层叠组成。本发明采用流延法制备出单层复合薄膜，再经叠层热压法制得叠层复合材料；或者使用分次流延法依次流出多层薄膜，形成叠层结构。实验证明这种叠层复合材料同时兼有较高的介电常数、较低的介电损耗、较高的击穿场强和较大的储能密度，是一种有希望在嵌入式电容器、静电储能器、大功率电容器等方面得到应用的材料。