一种基于热电材料的光热热电催化剂的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN112403496A

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN202011408402.7

    申请日:2020-12-05

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明属于新材料及其应用、非金属材料技术领域,尤其涉及一种基于热电材料的光热热电催化剂的制备方法及应用。本发明的光热电催化剂采用半导体热电材料为基底,可以同时有效吸收特定波段的光产生光生电子空穴对,并利用太阳能光热效应产生的温度梯度导致的塞贝克效应分离光生载流子。本发明的光热热电催化剂利用塞贝克效应产生的光热温度梯度,实现了太阳能资源的多重有效利用。另外,光热电效应可以实现在除表面化学范畴外通过功能化基底材料进一步提升催化反应速率,可以应用于二氧化碳还原等众多反应进程中。该催化剂充分利用了太阳能资源,利用热电材料基底融合光化学与热电物理的基本过程,从而实现新型、绿色、高效的反应进程。

    NiO基稀磁半导体纳米纤维及其制备方法

    公开(公告)号:CN103305964A

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201310254373.7

    申请日:2013-06-24

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提出了NiO基稀磁半导体纳米纤维及其制备方法,NiO基稀磁半导体纳米纤维掺杂有铁和锂。制备NiO基稀磁半导体纳米纤维的方法包括:配制前驱体溶液,利用前驱体溶液进行静电纺丝,以便得到原丝;以及将原丝进行烧结处理,以便得到NiO基稀磁半导体纳米纤维;其中,前驱体溶液为包含镍元素、铁元素、锂元素和聚乙烯吡咯烷酮的有机溶液。利用该方法可以制备得到一维结构的NiO基稀磁半导体纳米纤维,并且通过掺入铁元素和锂元素可以提高该纳米纤维的室温磁性。

    有机无机复合的电热浆料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111303757A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN202010315947.7

    申请日:2020-04-21

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提出了有机无机复合的电热浆料及其制备方法。基于有机无机复合的电热浆料的总重量,电热浆料包括:20~70重量份的导电碳材料;10~50重量份的氧化锌陶瓷颗粒;10~50重量份的氧化锆远红外辐射颗粒;20~80重量份的聚氨酯丙烯酸酯预聚物;0.1~10重量份的湿润分散剂;0.1~10重量份的消泡剂;0.1~10重量份的流平剂;10~70重量份的水溶剂,水溶剂为含有5wt%聚氨酯增稠剂的去离子水。本发明所提出的电热浆料具有水溶性,且电热浆料的性能优异,还增强了浆料可印刷性,并且,原料丰富且制备工艺简单,从而使水性的有机无机复合电热浆料具有规模化生产的潜力。

    NiO基稀磁半导体纳米纤维及其制备方法

    公开(公告)号:CN103305964B

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201310254373.7

    申请日:2013-06-24

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提出了NiO基稀磁半导体纳米纤维及其制备方法,NiO基稀磁半导体纳米纤维掺杂有铁和锂。制备NiO基稀磁半导体纳米纤维的方法包括:配制前驱体溶液,利用前驱体溶液进行静电纺丝,以便得到原丝;以及将原丝进行烧结处理,以便得到NiO基稀磁半导体纳米纤维;其中,前驱体溶液为包含镍元素、铁元素、锂元素和聚乙烯吡咯烷酮的有机溶液。利用该方法可以制备得到一维结构的NiO基稀磁半导体纳米纤维,并且通过掺入铁元素和锂元素可以提高该纳米纤维的室温磁性。

    ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN103074576B

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201310044088.2

    申请日:2013-02-04

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法。方法一以分析纯的金属硝酸盐为原材料,通过水溶液共沉淀法得到掺杂的ZnO粉体,然后采用固相法烧结得到陶瓷靶材,再通过脉冲激光沉积法(PLD)制备成掺杂的稀磁半导体ZnO薄膜,或者同样以分析纯的金属硝酸盐为原材料,通过溶胶凝胶法,经过配制溶胶——甩胶——热处理的工艺流程,制备成掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜。如此制备的ZnO基薄膜的禁带宽度可以由Mg和Cd的掺杂进行调控,进而调控其铁磁性。掺Co或Mn的ZnO基稀磁薄膜中共掺入Cd可以使带隙减小,薄膜的室温饱和磁化强度增大,而共掺Mg可以使带隙增大,薄膜室温饱和磁化强度减小。

    ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN103074576A

    公开(公告)日:2013-05-01

    申请号:CN201310044088.2

    申请日:2013-02-04

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法。方法一以分析纯的金属硝酸盐为原材料,通过水溶液共沉淀法得到掺杂的ZnO粉体,然后采用固相法烧结得到陶瓷靶材,再通过脉冲激光沉积法(PLD)制备成掺杂的稀磁半导体ZnO薄膜,或者同样以分析纯的金属硝酸盐为原材料,通过溶胶凝胶法,经过配制溶胶——甩胶——热处理的工艺流程,制备成掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜。如此制备的ZnO基薄膜的禁带宽度可以由Mg和Cd的掺杂进行调控,进而调控其铁磁性。掺Co或Mn的ZnO基稀磁薄膜中共掺入Cd可以使带隙减小,薄膜的室温饱和磁化强度增大,而共掺Mg可以使带隙增大,薄膜室温饱和磁化强度减小。

    一种基于热电材料的光热热电催化剂的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN112403496B

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN202011408402.7

    申请日:2020-12-05

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明属于新材料及其应用、非金属材料技术领域,尤其涉及一种基于热电材料的光热热电催化剂的制备方法及应用。本发明的光热电催化剂采用半导体热电材料为基底,可以同时有效吸收特定波段的光产生光生电子空穴对,并利用太阳能光热效应产生的温度梯度导致的塞贝克效应分离光生载流子。本发明的光热热电催化剂利用塞贝克效应产生的光热温度梯度,实现了太阳能资源的多重有效利用。另外,光热电效应可以实现在除表面化学范畴外通过功能化基底材料进一步提升催化反应速率,可以应用于二氧化碳还原等众多反应进程中。该催化剂充分利用了太阳能资源,利用热电材料基底融合光化学与热电物理的基本过程,从而实现新型、绿色、高效的反应进程。

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