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公开(公告)号：CN116306857A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310558303.4
申请日：2023-05-18
Abstract: 本发明公开了一种基于神经元膜高低电位采样的脉冲电路，提出膜电位高低位同步采样，在高低膜电位出现的时刻分别在对应端口输出一个指示脉冲；根据两个膜电位检测信号发放时间及相对位置综合判断神经元激活状态并发放脉冲。由于神经元阈值激活电压和保持电压相距较远，且触发脉冲发放需要两个检测脉冲按先后顺序在一定时间内成对出现，可以有效避免由于干扰或膜电位在所设置的基准电压附近波动而导致的脉冲少发或误发现象。该神经元激活状态识别和激活脉冲发放电路能够即时、准确地发放标准脉冲激活信号，为大规模多层脉冲神经网络的层间信号匹配与脉冲神经网络和各功能模块间的信号交互提供了有力支撑。
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公开(公告)号：CN116303229A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310227082.2
申请日：2023-03-03
Abstract: 本发明公开了一种分组前向梯度回归的存算系统的计算方法。其中，该分组前向梯度回归的存算系统包括变量分组模块，非易失性存储器模块和迭代模块；变量分组模块用于对变量数据进行分组、正交化和数据映射运算；非易失性存储器模块用于存储变量数据，并用于计算残差向量和变量矩阵的余弦相似度；迭代模块用于根据计算的余弦相似度，对变量的回归系数和残差向量进行更新迭代运算。本发明中的非易失性存储器模块采用低精度高能效的模拟电路执行开销大的运算，变量分组模块和迭代模块采用高精度的数字计算系统执行控制算法精度的运算，使得本系统在高效求解分组前向梯度回归问题的同时，可有效保证算法精度。
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公开(公告)号：CN116190356A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211701615.8
申请日：2022-12-28
Abstract: 本发明提供了一种三维电感器的制备方法，包括：提供衬底，第一面上形成有环形沟槽；形成锆钛酸铅薄膜覆盖环形沟槽的内壁，以形成三维电感器的磁芯；形成若干通孔至少部分环绕环形沟槽，通孔的深度大于或等于环形沟槽的深度，并在通孔内形成第一导线；在第一面形成若干第二导线连接第一导线；从第二面减薄衬底至暴露第一导线，并形成第二导线连接第一导线，第一导线及第二导线环绕磁芯并作为三维电感器的线圈。本发明中，采用锆钛酸铅薄膜覆盖环形沟槽的内壁所形成的薄膜结构作为磁芯不仅在制作工艺上较为容易实现，还可同时提高三维电感器的电感值及品质因子。
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公开(公告)号：CN116130540A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211680390.2
申请日：2022-12-26
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体光探测器技术领域，具体为一种基于带隙递变半导体薄膜的颜色感知器件及其制备方法。本发明颜色感知器件包括两个分立器件，输出两个信号；器件1使用带隙递变半导体薄膜作为光敏层，输出信号与光信号的光子能量和光通量有关；器件2使用较窄带隙半导体薄膜作为光敏层，输出信号仅与光信号的光通量有关；结合两个信号，得到光信号的平均光子能量即平均波长，实现颜色感知。本发明可缩减制备流程与成本；通过改变光敏层中半导体元素比例，进行带隙递变半导体薄膜制备，实现较宽波长范围的光信号响应；利用原子层沉积精细控制特性对递变梯度进行调制，实现更精细的颜色分辨。本发器件可用于光探测、智能传感以及物联网等领域。
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公开(公告)号：CN115879530B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310186971.9
申请日：2023-03-02
IPC: G06N3/08 , G06N3/0464 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种面向RRAM存内计算系统阵列结构优化的方法，主要是利用后训练量化算法中的相应公式对基于RRAM的存内计算系统阵列结构进行优化处理，在保证计算准确率和精度的情况下，减小阵列面积，降低系统功耗。本发明的有益效果是：本发明适配于多层感知机和卷积神经网络等多种神经网络，在相同计算情况下，通过减半1T1R阵列规模，有效减少系统面积、降低系统能耗，提升系统计算效率，结合RRAM器件制备工艺不够成熟的现状，更适用于商业化落地；本发明在CNN卷积层的卷积核数量增多的情况下，阵列规模是常规技术的一半，但额外添加计算XZWQ和XQWZ的乘法器数量保持不变，系统总体性能优势十分显著。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115810777A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211109630.3
申请日：2022-09-13
IPC: H01M8/1016 , H01M8/10
Abstract: 本发明公开了一种用于低温固体氧化物燃料电池的LSCF‑WO3复合电解质，涉及固体氧化物燃料电池技术领域。该复合电解质的组分包括LSCF组分和WO3组分，二者质量比为LSCF:WO3＝(1‑9):(1‑9)；其中，LSCF组分的化学组成为La0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3‑δ，δ为使化合物保持电中性的值。该LSCF‑WO3电解质材料以半导体复合形成异质结构从而提高离子电导性，在低工作温度(550℃)下表现出较高的离子导电性和输出功率。
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公开(公告)号：CN115802881A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211578911.3
申请日：2022-12-07
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，更具体地，涉及一种免电激活的NiFe2O4阻变存储器及其制备方法。本发明提供的一种免电激活的NiFe2O4阻变存储器，包括自下而上设置的下电极层、阻变层和顶电极层；其中：下电极层为SrRuO3薄膜层；阻变层为NiFe2O4薄膜层。本发明中NiFe2O4薄膜层靠近SrRuO3薄膜层一侧其结构中氧空位浓度高，使得NiFe2O4薄膜层靠近所述SrRuO3薄膜层一侧呈非晶态，NiFe2O4薄膜层靠近顶电极一侧的氧空位浓度较少，使得NiFe2O4薄膜层靠近顶电极一侧呈晶态，阻变层整体含有大量氧空位，使得器件初阻即为低阻态，在使用时无需电激活过程且操作功耗低。
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公开(公告)号：CN115623859A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211242393.8
申请日：2022-10-11
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种门控离子通道仿神经突触忆阻器及其门控调节方法，该忆阻器自上而下包括上电极、阻变功能层和下电极，阻变功能层中的氧空位浓度先减少再增多，氧空位浓度的最小值出现在阻变功能层的中部区域；并且，在阻变功能层靠近下电极的边缘处，还存在金属纳米颗粒。本发明通过对忆阻器件结构、组成及调控方法进行改进，额外引入金属纳米颗粒，与现有的忆阻结构相比，实现了导电细丝水平和垂直方向皆可控；并且，本发明器件从结构上实现了神经突触结构的全模拟，功能上仿神经突触通过调节门控离子通道，在门控导电通道的全连接、弱连接和关断的状态之间进行调控，有利于提高器件一致性，多值性。
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公开(公告)号：CN115528260A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211072999.1
申请日：2022-09-02
IPC: H01M4/90 , H01M8/1246
Abstract: 本发明涉及一种基于掺杂锂化过渡金属氧化物的燃料电池，其包含紧密相连的阴极层、电解质层、阳极层；阴极层所采用的材料为掺杂锂化过渡金属氧化物；和/或，电解质层所采用的材料为掺杂锂化过渡金属氧化物；和/或，阳极层所采用的材料为掺杂锂化过渡金属氧化物；掺杂锂化过渡金属氧化物中的掺杂元素为Na、或K、或Na与K共掺杂。有益效果是：将碱金属元素(主要涉及到Na和K)通过掺杂的方式置于锂化过渡金属氧化物中，将其应用于燃料电池，具体分别涉及到电极和电解质的应用，可以提高燃料电池的输出功率密度。
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公开(公告)号：CN115240738A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210833672.5
申请日：2022-07-15
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种基于查找表的忆阻器电导调控方法及其应用。其中，该电导调控方法包括如下步骤：当需要调控忆阻器电导至目标电导区间时，从预先制作的查找表中查找与目标电导区间相匹配的脉冲序列信息，查找表存储有至少两个电导态与相对应脉冲的对应关系；根据脉冲序列信息，向忆阻器上下电极之间施加相应脉冲，完成对忆阻器电导调控。本发明对器件电导态分布进行统计分析，制造查找表，利用查找表的方法编程调控忆阻器电导，能有效减少读操作的次数，同时不同的电导态对应已知的脉冲设计和脉冲序列设计，不需要反复验证是否达到目标电导区间，编程过程简单，且由于所有电导态已知，编程过程中不存在无法写入电导区间的情况。
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