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公开(公告)号：CN116470862A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310343305.1
申请日：2023-04-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种静态电流可调的宽带高线性度驱动放大器，采用三级级联放大结构，主要由第一级放大电路、第一级间匹配电路、第二级放大电路、第二级间匹配电路、第三级放大电路组成。本发明带电流可调的自适应偏置电路，实现驱动放大器的三级总静态电流精准控制；其次，驱动放大器的输出匹配网络采用等Q值双LC网络完成宽带阻抗匹配，而输入匹配网络采用单LC网络结合RC串联反馈电路达到宽带输入阻抗匹配目的。
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公开(公告)号：CN113369494B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202110657361.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了提供一种中空的金‑银‑铂三金属材料及其合成方法，因此，本发明先利用种子生长法合成均匀的金纳米棒，再将清洗过的金纳米棒作为种子，通过添加表面活性剂CTAC，硝酸银溶液，抗坏血酸，在60℃的水浴下加热30分钟最终可得到均匀的金‑银双金属。再添加四氯铂酸钾溶液，在60℃的水浴下加热20分钟，最终即可获得具有中空结构的金‑银‑铂三金属材料。本发明反应条件易控，所需反应物的量少，成本低，且不会造成资源浪费，能够高效地合成均匀的具有中空结构的金‑银‑铂三金属材料。
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公开(公告)号：CN106301254B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201610604897.8
申请日：2016-07-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种高效宽带有序的谐波匹配结构及其谐波控制方法，一种高效宽带有序的谐波匹配结构，包括谐波控制电路和基波匹配电路，功率放大器的输出信号经所述谐波控制电路和基波匹配电路加载到负载端，所述谐波控制电路包括N个十字形匹配结构，每个十字形匹配结构形成λ/4微带线并有序串行连接，直至第N十字形匹配结构的输出端与所述基波匹配电路的输入端相连接，所述基波匹配电路的输出端与负载端相连接。相对于现有技术，本发明提供的高效宽带有序的谐波匹配结构，将现有以中心频率的谐波控制结构扩展为对不同频率点谐波进行控制，在保持功放高效率的情况下拓展带宽，极大提升了放大器的整体带宽。
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公开(公告)号：CN109921750B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201910070713.8
申请日：2019-01-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于有源负载调制的宽带功率放大器及其设计方法，包括宽带功率分配器、宽带功率放大电路、负载调制功率放大电路。当输入信号频率处于倍频程以下时，宽带功率放大器输出阻抗条件良好，负载调制功率放大电路未工作；当输入信号频率进入倍频程以上时，宽带功率放大器的基波阻抗开始降低，这时负载调制功率放大电路开始工作，在其输出端产生电流I2，而宽带功率放大电路的输出电流为I1。根据有源负载调制的原理，宽带功率放大电路的负载阻抗Z1被提高，再经过宽带输出匹配电路的阻抗变换，其基波阻抗被提高至高效率区内。这样，宽带功率放大器的基波阻抗能在更宽的频带内处于高效率区，因此能够在更宽的频带内获得较高的效率，变相地拓展了功率放大器的带宽。
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公开(公告)号：CN112756622B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202011603131.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低表面活性剂浓度下金纳米棒材料的制备方法，使用浓度低至0.008M的十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)与0.005M的油酸钠(NaOL)作为双表面活性剂，采用种子介导法(seed‑mediated)合成金纳米棒。包括以下步骤：将一定量的CTAB与氯金酸(HAuCl4)混合与瓶中，再加入冰水混合物配制而成的硼氢化钠(NaBH4)，经磁力搅拌器剧烈搅拌2分钟后溶液由金黄色变成棕黄色。静置30分钟，此为种子溶液；将对应低浓度的CTAB、NaOL在50℃下溶解于另一瓶中作为生长溶液，冷却至30℃左右，再加入硝酸银(AgNO3)、氯金酸。在室温下搅拌60‑90分钟后溶液由金黄色变澄清；依次加入浓盐酸(37wt.％)、抗坏血酸(AA)与种子溶液。并用磁力搅拌器剧烈搅拌，之后恒温30℃静置12小时，得到最终产物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115739063A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211450687.X
申请日：2022-11-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B01J21/06 , C02F1/30 , B01J35/02 , C02F101/30 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开一种新型氧化钛多级阵列光催化薄膜及其制备方法。该薄膜生长于钛金属衬底上，是由TiO2纳米线或纳米棒阵列作为主干和包裹于主干顶部的TiO0.89纳米颗粒或纳米花分支构成的多级纳米阵列。主要制备过程为：在一定温度范围内，钛片在含双氧水、四乙烯五胺和无机酸的反应液中反应一定时间，并在空气中经过高温热处理，最终得到氧化钛多级阵列。模拟太阳光照射下薄膜具有优异的光催化活性。
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公开(公告)号：CN115381292A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211138513.X
申请日：2022-09-19
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种出水温度精确可调的速热模块及其控制方法。该速热模块，包括外壳、通水管道、加热组件和可调隔热组件。外壳内设置有安装通道。加热组件设置在安装通道内，并与穿过安装通道的通水管道间隔设置。可调隔热组件包括隔热板和驱动模组。隔热板位于通水管道之间。隔热板与外壳滑动连接。隔热板上设置有隔热段；通过控制隔热板滑动，能够调节加热组件与通水管道之间的区域被隔热段分隔的程度。本发明通过改变加热组件与通水管道之间被隔热段阻隔的比例，调节加热组件与通水管道之间的换热效率；从而通过降低加热组件与通水管道之间换热效率的方式避免加热组件制备热水后的余热导致速热模块无法立刻制备温水的问题。
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公开(公告)号：CN113381195B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110586109.8
申请日：2021-05-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯三维相位可调谐透镜的高增益缝隙天线及方法。本发明天线采用一种石墨烯三维相位可调谐透镜，并将其放置在缝隙天线的前端，使得缝隙天线可以通过不同偏置电压下石墨烯的可重构特性对透镜单元进行调谐。不同偏置电压可以改变石墨烯材料的表面电阻，从而可以改变透镜的特性，进而改变缝隙天线孔径内的能量和相位分布，提高天线的增益并消除天线方向图畸变。同时，透镜加载的缝隙天线为新型的混合石墨烯‑金属结构缝隙天线，该天线的辐射缝隙结构采用石墨烯结构代替，这一结构进一步增强了天线孔径内能量的控制，并为缝隙天线带来了频率可重构特性。
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公开(公告)号：CN114742007A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210138180.4
申请日：2022-02-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/373 , G06F111/10
Abstract: 本发明涉及一种GaN HEMT功率器件I‑V模型的建立方法，以MET模型与Angelov模型为基础，从模型本身的各参数意义出发，分别改进和建立GaN HEMT的直流I‑V正向导通特性模型与反向导通特性模型，并使得模型中每个参数都具有其意义；模型各参数可以采用1stOpt和matlab与测量的I‑V数据直接拟合提取，而无需在特定电压处提取参数的初始值，使得最终得到的GaN HEMT直流I‑V模型更为精确。
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公开(公告)号：CN114741836A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210137378.0
申请日：2022-02-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于全局敏感参数的GaN HEMT直流I‑V温度模型建立方法，首先选定一个GaN HEMT直流I‑V常温模型，通过非线性拟合确定每个温度下的拟合参数，然后计算每个参数的全局敏感参数并选择相对敏感的参数，然后建立敏感参数与温度之间的关系，最后替换GaN HEMT直流I‑V常温模型中的常量，以建立GaN HEMT直流I‑V温度模型。通过该方法，可以准确的判断在温度模型中哪些参数受温度影响较大，通过使用多项式构建这些参数与温度之间的关系，然后代入直流I‑V常温模型，由此建立高精度的GaN HEMT直流I‑V温度模型。
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