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公开(公告)号：CN106202452A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610555871.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于大数据平台技术领域，具体涉及大数据平台的统一数据资源管理系统与方法。本发明针对大数据平台中由于存在各种不同类型的数据资源而导致的数据资源难以管理的问题，提出了针对不同类型数据资源的统一元数据描述，以及针对不同类型数据管理组件的统一适配器接口规范，并在此基础上设计了一种统一的数据资源管理方法和系统，支持统一的数据包上传和下载、统一的数据发现、统一的数据访问申请与授权等功能。本发明可实现系统的动态可扩展、多租户管理、以及统一的访问控制，便于用户管理和使用大数据平台中不同类型的数据资源。
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公开(公告)号：CN103956338B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201410175378.5
申请日：2014-04-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体为一种集成U形沟道器件和鳍形沟道器件的集成电路及其制备方法。在半导体衬底内形成带有掺杂阱的沟槽隔离结构，掺杂阱上形成多晶硅牺牲栅极，并在其两侧分别形成源极和漏极，覆盖所形成的结构，淀积层间介质，抛光露出并蚀掉多晶硅牺牲栅极，通过光刻，在半导体衬底内形成U形沟道器件；再通过光刻，在半导体衬底内形成鳍形沟道结构，然后形成栅介质层和栅电极以形成鳍形沟道器件。本发明方法可在同一个芯片上集成鳍形沟道器件作为高性能器件并同时集成U形沟道器件作为低功耗器件，从而得到有很大形状差异的器件，获得小的关断电流和大的开启电流，提升芯片的性能。
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公开(公告)号：CN103594477B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310548614.9
申请日：2013-11-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种半导体感光器件及其制造方法。本发明半导体感光器件，包括在半导体衬底内形成的一个MOS晶体管、一个感光pn结二极管和一个钉扎二极管，通过一个浮栅开口MOS晶体管的浮栅与感光pn结二极管的一端连接并与钉扎二极管的一端连接，MOS晶体管的环形的漏区包围感光pn结二极管和钉扎二极管、且与感光pn结二极管的另一端连接并与钉扎二极管的另一端连接。钉扎二极管可以把感光pn结二极管的光吸收区域推进到半导体衬底内部，远离受干扰的表面。采用本发明的半导体感光器件制造的图像传感器芯片具有单元面积小、芯片密度高、灵敏度高、分辨率高等优点。
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公开(公告)号：CN103219378B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310098173.7
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种低寄生电阻射频功率器件及其制备方法。本发明的低寄生电阻射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过外延工艺来形成器件的源极与漏极，降低了源、漏寄生电阻，增强了射频功率器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN103219379B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310098546.0
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种采用先栅工艺的高电子迁移率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备高电子迁移率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过合金化工艺来形成器件的源极与漏极，降低了源、漏接触电阻，增强了高电子迁移率器件的电学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103000513B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210554308.1
申请日：2012-12-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域,具体为一种多孔低介电常数材料SiCOH薄膜的刻蚀方法。本发明以CF3I和C4F8作为多孔SiCOH薄膜的主要刻蚀气源，并添加O2作为氧化剂，通过调节刻蚀各气源的流量比，实现对多孔低介电常数SiCOH薄膜的高效刻蚀。刻蚀后所获得的薄膜受损伤程度较小、残留杂质浓度很低，并且具有优越的图案保形性能，适用于45nm以下的超大规模集成电路制造工艺。
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公开(公告)号：CN104269395A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410433978.7
申请日：2014-08-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及使用一种低介电常数介质刻蚀与铜互连的结构及集成方法。本发明的铜互连的结构包括至少一条金属导线，以及位于所述金属导线之下的绝缘体支撑结构；并且，在多条金属导线之间有多孔低介电常数介质；在绝缘体支撑结构之间也有多孔低介电常数介质。采用铜互连与气隙结合起来降低电容，用特定支撑结构来支撑铜导线以在去除介质后维持铜导线的形状。本发明可以实现全气隙结构而不使铜导线短路或断路并且可实现较长导线的全气隙结构，使RC延迟减小。
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公开(公告)号：CN102592997B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210061478.6
申请日：2012-03-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/329
CPC classification number: H01L29/66356 , H01L29/0653 , H01L29/267 , H01L29/517 , H01L29/7391
Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体为一种栅控二极管半导体器件的制造方法。本发明采用低温工艺制备栅控二极管半导体器件，工艺过程简单、制造成本低，而且所制造的栅控二极管器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点。本发明所提出的栅控二极管半导体器件的制造方法特别适用于平板显示、相变存储器的读写器件以及基于柔性衬底的半导体器件的制造中。
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公开(公告)号：CN102403233B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201110410898.6
申请日：2011-12-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7391 , H01L29/0692 , H01L29/165 , H01L29/66356
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种垂直沟道的隧穿晶体管的制造方法。围栅型的栅极结构增强了栅极的控制能力，窄禁带宽度材料的源极使得器件的驱动电流得到提升。采用本发明所提出的垂直沟道的型隧穿晶体管的制造方法，可以精确地控制沟道的长度，工艺过程简单，易于控制，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN103720699A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210391113.X
申请日：2012-10-15
Applicant: 复旦大学
IPC: A61K31/616 , A61K45/00 , A61P31/18
Abstract: 本发明属于生物医药领域，涉及阿司匹林的新用途。本发明提供了阿司匹林在制备抗艾滋病药物中的应用，还提供了含有阿司匹林的抗艾滋病的药物组合物及其应用。本发明适用于各个阶段HIV-1感染。阿司匹林效果明显，与现已在用的同类临床药物AZT相当。其次，阿司匹林作为NF-kappa B信号转导抑制剂，不易产生耐药性。再次，阿司匹林在临床使用多年，安全性高。因而，本发明将为抗HIV感染提供了一个新途径和手段。
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