公开(公告)号：CN104576789A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410842704.3

申请日：2014-12-30

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阮圣平 ,  张德重 ,  刘彩霞 ,  周敬然 ,  沈亮 ,  郭文滨 ,  温善鹏 ,  董玮 ,  张歆东

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于半导体紫外光电探测技术领域，具体涉及一种以纳米氧化石墨烯(GO)作为阻挡层及隧穿层、TiO2/GO复合薄膜为光电转换材料的高性能探测器。器件以石英片做衬底，表面旋涂制备TiO2和GO薄膜，并用磁控溅射制备金电极。利用光刻技术，将GO层制备成与电极具有相同形状的叉指结构，可以有效降低表面漏电流。器件工作时，GO层在黑暗中起到阻挡层作用，提高势垒阻止电子传输，有效降低器件暗电流；在310nm紫外光照射下，外加偏压使GO层发生隧穿效应，成为光生载流子的传导阶梯，促进光生电流传递，有效提高器件光电流。

公开(公告)号：CN103268897A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201310210273.4

申请日：2013-05-30

Applicant: 吉林大学

Inventor： 刘彩霞 ,  刘国华 ,  阮圣平 ,  张海峰 ,  郭文滨 ,  周敬然 ,  董玮 ,  沈亮 ,  张歆东 ,  温善鹏

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 具有钝化处理的宽禁带氧化物半导体薄膜层的紫外探测器及制备方法，属于半导体光电器件技术领域。探测器依次由衬底、经(NH4)2S溶液钝化处理的光敏感宽禁带氧化物半导体薄膜层、金属叉指电极组成。其特征在于：首先采用溶胶凝胶法制备TiO2等薄膜层，然后将制备好的薄膜进行硫化铵溶液钝化处理，最后采用光刻、磁控溅射、刻蚀等工艺制备金属叉指电极，从而得到紫外探测器。经过硫化铵溶液钝化处理的TiO2等薄膜表面态密度减小，溅射金属叉指电极后TiO2与金属接触的肖特基势垒降低，改善了光电流和响应时间；另一方面表面电荷的减少抑制了表面漏电流，改善了暗电流，最终提高了器件的整体性能。

公开(公告)号：CN103236464A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310140672.8

申请日：2013-04-14

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阮圣平 ,  谷学汇 ,  孟凡旭 ,  刘彩霞 ,  沈亮 ,  周敬然 ,  郭文滨 ,  温善鹏 ,  董玮 ,  张歆东 ,  刘奎学 ,  陈丽华

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 聚乙烯亚胺作为界面修饰层的TiO2紫外探测器及其制备方法，属于半导体光电器件技术领域。探测器由石英衬底、作为光敏层的TiO2薄膜和金属叉指电极组成，其特征在于：TiO2薄膜经羟基化处理，并在其与金属叉指电极之间制备有聚乙烯亚胺界面修饰层。首先，采用溶胶凝胶法制备TiO2薄膜，将制备好的薄膜进行羟基化处理，再将制备好的PEI溶液旋涂在羟基化处理后的TiO2薄膜上，最后采用磁控溅射的方法制备金属叉指电极，从而得到最后的紫外探测器。通过引入PEI作为界面修饰层，可以有效降低势垒的高度，进而改善光电流及响应速度，提高器件的整体性能。

公开(公告)号：CN102194915A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110070898.6

申请日：2011-03-23

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阮圣平 ,  张海峰 ,  沈亮 ,  董玮 ,  刘彩霞 ,  冯彩慧 ,  陈丽华 ,  周敬然 ,  李伟 ,  陈维友

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种以带有官能团的石英为衬底、以纳米TiO2薄膜为基体材料、以Au为金属电极的自组装纳米TiO2薄膜紫外光探测器及其制备方法。其是先将石英衬底官能团化，再在带有官能团的石英衬底上生长一层纳米TiO2薄膜，进而通过磁控溅射技术在生长好的纳米TiO2薄膜上溅射一层金属Au，采用光刻技术形成Au插指状电极；带有官能团的石英衬底是由[3-(三甲氧硅基)丙基]二乙烯三胺与表面带有-OH基的石英衬底通过缩合反应得到，官能团的终端为-NH2基；本发明制备的自组装纳米TiO2薄膜紫外光探测器具有制备方法简单，成本低廉，有望大规模生产的特点，对波长230nm-350nm的紫外线具有良好的检测性能。

公开(公告)号：CN100368836C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200610016523.0

申请日：2006-01-13

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张歆东 ,  陈维友 ,  刘彩霞 ,  董玮 ,  阮圣平 ,  仲志成 ,  周敬然

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/26 ,  G02F1/13

Abstract: 本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种基于聚合物分散液晶材料的多通道光衰减器阵列及制作方法。聚合物分散液晶光衰减器阵列由凹型衬底(1)、准直的入射光纤和出射光纤耦合阵列(4)、聚合物分散液晶盒(5)组成，聚合物分散液晶盒(5)内的聚合物分散液晶材料由占总重量30%～90%的液晶材料、5%～65%的聚合物单体与适量的稀释剂的混合物、1%～5%的光引发剂经充分搅拌后紫外固化而形成，其中聚合物单体与稀释剂的重量比为1∶5～5∶1。在液晶盒的矩形电极对上加有不同的电场，可以实现对不同光通路中聚合物分散液晶材料的调制，从而实现对多个光通路的光的衰减，进而完成本发明聚合物分散液晶光衰减器阵列的目的。

公开(公告)号：CN1828950A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610016742.9

申请日：2006-04-04

Applicant: 吉林大学

Inventor： 薛海林 ,  张歆东 ,  刘彩霞 ,  董玮 ,  周敬然 ,  阮圣平 ,  陈维友 ,  徐宝琨

IPC: H01L31/08 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明具体涉及一种以纳米晶体TiO2薄膜材料为基体的金属－半导体－金属结构(MSM)的光伏型紫外光探测器及该紫外光探测器的制备方法。从下到上依次包括绝缘衬底、用溶胶凝胶法在绝缘衬底上生长的纳米晶体TiO2薄膜、在纳米晶体TiO2薄膜上用蒸发或溅射的方法制备的插指金属电极。该探测器的制备方法是：首先采用溶胶－凝胶技术在绝缘衬底上生长一层均匀致密的纳米晶体TiO2薄膜，然后在纳米晶体TiO2薄膜的表面溅射－层金属，最后利用标准光刻技术形成插指电极。本发明制备的MSM结构的光伏型紫外光探测器，具备制备方法简单、便于掌握的优点，对波长从230nm到280nm的紫外波段，探测器有很明显的光响应。

公开(公告)号：CN1811528A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200610016522.6

申请日：2006-01-13

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈维友 ,  张歆东 ,  刘彩霞 ,  董玮 ,  阮圣平 ,  仲志成 ,  周敬然

IPC: G02F1/13 ,  G02F1/01 ,  G02B6/26 ,  H04B10/12

Abstract: 本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种MEMS液晶光衰减器阵列及制作方法。MEMS液晶光衰减器阵列由单晶硅衬底(10)、入射光纤和出射光纤耦合阵列(5)、填充聚合物分散液晶材料的液晶微槽(4)组成，液晶微槽(4)内的聚合物分散液晶材料由占总重量30％～90％的液晶材料、5％～65％的聚合物单体与适量的稀释剂的混合物、1％～5％的光引发剂经充分搅拌后紫外固化而形成，其中聚合物单体与稀释剂的重量比为1∶5～5∶1。在单晶硅衬底(10)的电极对(7)上加有电场，可以实现对不同光通路中聚合物分散液晶材料的调制，从而实现对多个光通路的光的衰减，进而完成本发明MEMS液晶光衰减器阵列的目的。