公开(公告)号：CN101038312A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710055489.2

申请日：2007-04-05

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张彤 ,  漆奇 ,  刘奎学 ,  刘丽 ,  徐宝琨

IPC: G01R29/08 ,  G01K11/00

Abstract: 本发明涉及一种基于电磁波强度测量传感器微热板表面温度的方法。首先是制作Si基样品片和微热板，然后在绝热隔光环境中，测量Si基样品片表面一定立体角下一定波长的电磁波强度和Si基样品片的表面温度，以此获得Si基样品片电磁波强度与表面温度关系的标定曲线；再将切割Si基样品片获得的微热板置于绝热隔光环境中，测量微热板表面相同的立体角下相同波长的电磁波强度，对照电磁波强度与温度关系的标定曲线，即可获得微热板表面被测区域的温度。通过选择不同直径的电磁波强度测定仪探头可以对不同面积大小的微区进行测量，并且能够对微热板表面进行逐点测量，得到微热板表面的温度分布情况，从而实现以非接触的方式测量微热板表面温度。

公开(公告)号：CN103236464B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201310140672.8

申请日：2013-04-14

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阮圣平 ,  谷学汇 ,  孟凡旭 ,  刘彩霞 ,  沈亮 ,  周敬然 ,  郭文滨 ,  温善鹏 ,  董玮 ,  张歆东 ,  刘奎学 ,  陈丽华

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 聚乙烯亚胺作为界面修饰层的TiO2紫外探测器及其制备方法，属于半导体光电器件技术领域。探测器由石英衬底、作为光敏层的TiO2薄膜和金属叉指电极组成，其特征在于：TiO2薄膜经羟基化处理，并在其与金属叉指电极之间制备有聚乙烯亚胺界面修饰层。首先，采用溶胶凝胶法制备TiO2薄膜，将制备好的薄膜进行羟基化处理，再将制备好的PEI溶液旋涂在羟基化处理后的TiO2薄膜上，最后采用磁控溅射的方法制备金属叉指电极，从而得到最后的紫外探测器。通过引入PEI作为界面修饰层，可以有效降低势垒的高度，进而改善光电流及响应速度，提高器件的整体性能。

公开(公告)号：CN103236464A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310140672.8

申请日：2013-04-14

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阮圣平 ,  谷学汇 ,  孟凡旭 ,  刘彩霞 ,  沈亮 ,  周敬然 ,  郭文滨 ,  温善鹏 ,  董玮 ,  张歆东 ,  刘奎学 ,  陈丽华

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 聚乙烯亚胺作为界面修饰层的TiO2紫外探测器及其制备方法，属于半导体光电器件技术领域。探测器由石英衬底、作为光敏层的TiO2薄膜和金属叉指电极组成，其特征在于：TiO2薄膜经羟基化处理，并在其与金属叉指电极之间制备有聚乙烯亚胺界面修饰层。首先，采用溶胶凝胶法制备TiO2薄膜，将制备好的薄膜进行羟基化处理，再将制备好的PEI溶液旋涂在羟基化处理后的TiO2薄膜上，最后采用磁控溅射的方法制备金属叉指电极，从而得到最后的紫外探测器。通过引入PEI作为界面修饰层，可以有效降低势垒的高度，进而改善光电流及响应速度，提高器件的整体性能。

公开(公告)号：CN102163639A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110070874.0

申请日：2011-03-23

Applicant: 吉林大学

Inventor： 刘彩霞 ,  阮圣平 ,  刘奎学 ,  张歆东 ,  谢天娇 ,  张海峰 ,  冯彩慧 ,  郭文滨 ,  周敬然 ,  陈维友

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明具体涉及一种以超薄石英为衬底，以纳米TiO2-ZrO2复合氧化物薄膜为基体，以Au、Pt或Ni为金属插指电极，以Al或Ag为光反射层的低表面态密度的高性能半导体紫外光电探测器及其制备方法。首先采用溶胶凝胶技术制备不同配比的TiO2-ZrO2复合氧化物薄膜，并在超薄石英衬底上生长成致密的纳米薄膜；再经过高强度紫外清洗机对薄膜进行处理；然后通过磁控溅射和标准的光刻、剥离技术在薄膜表面制成一定形状的叉指电极；最后在超薄石英片背面蒸镀一层反射层用以提高光的吸收效率。通过调整TiO2-ZrO2复合氧化物薄膜的不同配比，可以使本发明探测器的响应峰值在200nm到350nm紫外波段范围内可调。

公开(公告)号：CN101183136A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710193565.6

申请日：2007-12-18

Applicant: 吉林大学

Inventor： 石家纬 ,  郭树旭 ,  梁庆成 ,  曹军胜 ,  刘奎学 ,  李红岩

IPC: G01R31/26 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明属于一种检测分析方法，具体涉及一种针对高功率半导体激光器及阵列激光器的质量和可靠性进行检测和筛选的方法。首先测出激光器V－I和P－I曲线，经计算机处理得到电导数曲线IdV/dI～I和光导数曲线dP/dI～I、d2P/dI2～I，然后从光导数曲线d2P/dI2～I或电导数曲线IdV/dI～I得到被测器件的阈值电流Ith，从而得到b、m、Rs1、Rs2、h各参数，再由二阶光导数曲线阈值处的峰高H，峰宽W，峰高峰宽之比Q给出激光器激射时的光特征；最后将所得的各参数与同种结构的器件参数的正常值相比较，从而判定所检测的高功率半导体激光器或阵列激光器的质量和可靠性。本发明方法对器件的筛选具有无损快速简便的特点，适合于广泛使用。