-
公开(公告)号：CN110690328A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910982153.3
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件。包括μLED晶粒，波长下转换发光层，上、下驱动电极，绝缘体，光学微结构以及控制模块，所述上、下驱动电极和所述μLED晶粒无直接的电学接触，所述控制模块分别与所述上、下驱动电极电学连接，为所述上、下驱动电极提供交变驱动信号形成驱动电场，所述驱动电场控制所述μLED晶粒的电子和空穴复合并发出第一光源，经所述波长下转换发光层而转化为第二光源。本发明提出的一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件中的驱动电极与μLED晶粒中p型半导体层和n型半导体层没有电学接触，能避免μLED发光器件中的芯片复杂制作工艺、以及μLED芯片与驱动芯片的键合和巨量转移工艺，有效降低μLED器件制作周期和成本。
-
公开(公告)号：CN110676250A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910982161.8
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种无电学接触无巨量转移的全彩化μLED显示器件。包括设置于下透明基板表面的下驱动电极，设置于上透明基板上、下表面的光学微结构和上驱动电极，连接所述上、下透明基板的障壁微结构，设置障壁微结构内的μLED晶粒、波长下转换发光层和绝缘层以及控制模块；障壁微结构沿上驱动电极的方向依次构成红光显示的R单元，绿光显示的G单元及蓝光显示的B单元。本发明上、下驱动电极与μLED晶粒没有电学接触，通过控制模块提供交变驱动信号和电学耦合实现对μLED晶粒点亮，激发波长下转换发光层而实现全彩化显示，可有效地避免全彩μLED器件中三基色μLED芯片复杂制作工艺，及发光芯片与驱动芯片复杂Bonding和巨量转移工艺，缩短μLED显示制作周期，降低制作成本。
-
公开(公告)号：CN109085716A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201811104012.3
申请日：2018-09-21
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/1335
Abstract: 本发明涉及一种基于微流控和量子点技术的彩色滤光膜制备方法。所述制备方法包括设计微流控模板模板，制备进液孔和出液孔，配制具有不同发光波长的量子点墨水，采用微流控方法将量子点墨水注入PDMS沟道，并进行固化，在彩色滤光膜表面制备具有布拉格反射镜（DBR）结构的水氧阻隔膜。本发明制作方法工艺简单、操作简便、速度快、成本低，且能实现高色纯度、高显色指数、广色域，效果显著。
-
公开(公告)号：CN107817639A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711006635.2
申请日：2017-10-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种聚焦平面可扫描的液晶透镜及其制作方法，该透镜其包括第一控制层、第二控制层、液晶层和一控制模块；所述液晶层设置在第一控制层、第二控制层之间；控制模块分别连接第一控制层、第二控制层；所述第一控制层包括一第一透明基板、一第一驱动电极、一第一绝缘层、一第二驱动电极、一第一取向层、一第一高阻抗层；所述第二控制层包括一第二透明基板、一第三公共电极、一第二高阻抗层和一第二取向层。该液晶透镜制作工艺简单，不仅能实现液晶透镜焦距可调，还能实现液晶透镜聚焦平面等间距无缝隙的扫描切换，达到动态液晶透镜效果。
-
公开(公告)号：CN106409636B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201610830811.3
申请日：2016-10-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于喷墨打印图形化的ZnO阴极及其制备方法，所述的ZnO阴极自下而上包括阴极基板、图形化ZnO种子层和图形化ZnO阴极。通过喷墨打印ZnO种子层引入，利用电化学沉积法或水热法生长图形化ZnO阴极。与现有技术相比，该喷墨打印法制备图形化ZnO种子层，大大降低了工艺的复杂性和难度，不仅易于生产而且用料少，制造成本低，通过计算机编程灵活设计所需的图形，非常适合大面积制作和未来工业化生产，具有广阔的市场应用前景。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104900708B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510281308.2
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/12
Abstract: 本发明提供一种改善漏极电流的薄膜晶体管，包括基板、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极及栅极，其特征在于：对所述有源层进行掺杂，掺杂层呈梯度状或掺杂浓度呈梯状。所述掺杂层梯度从源极至漏极呈低至高。所述掺杂浓度的梯度从源极至漏极呈低至高。在有源层中掺杂具有一定梯度的材料，当源漏极加压的时候，由于靠近漏极的载流子较多，所以就会达到饱和区的漏极电流增大的效果。从而获得更高的开关电流比，元件的切换速度也会变得更快。
-
公开(公告)号：CN107123753A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710337753.5
申请日：2017-05-15
Applicant: 福州大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0001 , H01L51/56
Abstract: 本发明针对器件的薄膜封装领域中，原子层沉积（ALD）成膜致密，但速率较慢的问题，提出了一种新的薄膜封装方法，其步骤包括：第（1）步，采用原子层沉积方法在衬底沉积第一无机阻隔层；第（2）步，采用物理气相沉积方法在第（1）步制备的无机阻隔层上沉积第二无机阻隔层；第（3）步，采用原子层沉积方法在第（2）步沉积的无机阻隔层上沉积第三无机阻隔层；第（4）步，制备有机阻隔层，形成周期性结构阻隔层；第（5）步，重复第（2）~（4）步骤，形成具有多个周期的薄膜封装结构。本发明结合ALD和其他常用薄膜沉积方式，具有成膜致密、成膜速率高等优点。
-
公开(公告)号：CN106435483A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611137869.6
申请日：2016-12-12
Applicant: 福州大学
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/042 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种高精度OLED器件的制备装置及制备方法。包括蒸发源阵列、基板、传动装置以及配合蒸发源阵列的掩膜板；所述蒸发源阵列由若干个蒸发源排列而成，蒸发源中的材料垂直向上蒸发至基板上，通过传动装置带动基板或蒸发源阵列的移动，完成基板的蒸镀，进而形成OLED器件。本发明加大了基板与掩膜板的距离，减小掩膜板对蒸镀的影响；减小蒸发源与基板的距离，使得蒸发材料更少地扩散在蒸发环境里，节约了蒸发材料；另外，还减小蒸发源间距，减小掩膜板孔隙间距，实现点对点的蒸发，增加单位面积内子像素的个数，实现了高精度OLED器件的制备。
-
公开(公告)号：CN106408535A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610826672.7
申请日：2016-09-18
Applicant: 福州大学
IPC: G06T5/00
CPC classification number: G06T5/002
Abstract: 本发明涉及一种基于子行驱动灰度调制显示系统的图像增强方法，所述方法包括：对目标图像进行灰度映射后，计算各灰度的像素点个数，根据像素点个数极小值对应的灰度值，将目标图像划分成几个像素点集合；计算各像素点集合中总的像素点个数，并以此作为权重值划分灰度拉伸的区域，在各灰度拉伸区域中计算出各像素点对应的像素灰度值，从而实现图像增强效果。
-
公开(公告)号：CN104409172B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410237626.4
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01B13/00
CPC classification number: Y02P80/30
Abstract: 本发明公开了一种网格状透明导电电极的制作方法，包括以下几个步骤：S1：利用计算机设计网格状导电阵列结构的三维数字模型；S2：利用软件沿模型的高度方向分割形成各截面的二维轮廓图；S3：根据二维轮廓图形成相应的扫描路径；S4：利用3D打印设备按照扫描路径打印第一导电层；S5：利用3D打印设备在已经成形所述第一导电层上按照扫描路径打印所述第二导电层；S6：重复步骤（S4）或（S5）或交替重复步骤S4）和（S5），形成所述网格状导电阵列，S7：清理所述基板表面的导电材质。本发明采用3D制造网格状导电阵列，既解决了材料浪费，工序复杂，精确度低的问题，又克服了导电阵列结构单一的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
470
records
(took 0.031 seconds)
