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公开(公告)号：CN103676399A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310694669.0
申请日：2013-12-17
Applicant: 吉林大学
IPC: G02F1/365
Abstract: 一种基于高非线性光纤受激布里渊散射效应和二进制相移键控技术实现的高带宽微波光子滤波器，属于微波光子学技术领域。由激光器、耦合器、第一相位调制器、光隔离器、矢量网络分析仪、高非线性光纤、强度调制器、光滤波器、第二相位调制器、脉冲码型发生器、掺铒光纤放大器、光环形器和光电探测器组成；本发明通过二进制相移键控调制技术展宽泵浦信号的带宽，展宽的泵浦信号就会产生展宽的受激布里渊增益谱，从而得到带宽展宽且带宽可调的单通带响应的微波光子滤波器系统。
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公开(公告)号：CN102983277A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210527846.1
申请日：2012-12-10
Applicant: 吉林大学 , 无锡海达安全玻璃有限公司
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于有机光电器件技术领域，具体涉及一种带有银纳米粒子复合空穴传输层的反型结构聚合物有机太阳能电池及其制备方法。是以ITO导电玻璃为阴极（1），以N型TiO2为阴极缓冲层（2），以聚合物为有源层（3），以MoO3/Ag纳米粒子/MoO3为阳极缓冲层（4），以Ag为阳极（5）。有源层（3）为给体材料P3HT与受体材料PCBM按照质量比1：0.8～1的混合，Ag纳米粒子的厚度为1～5nm。Ag纳米粒子通过局域表面等离子体作用以及反向散射增强作用，使有源层对太阳光的利用率提高，并且改善有源层和电极的界面接触性能，提高载流子向阳极的传输能力，进而提高了器件的短路电流密度和能量转化效率。
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公开(公告)号：CN102983275A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210562991.3
申请日：2012-12-21
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明属于聚合物太阳能电池领域，具体涉及一种具有水溶性五氧化二钒空穴传输层的聚合物太阳能电池。本发明所述结构的器件，由阴极、电子传输层、有源层、空穴传输层和阳极构成，其特点在于所用的空穴传输层不采用传统的真空热蒸镀方法，而是采用溶液处理的方法旋涂在有源层之上。所用的空穴传输层材料为五氧化二钒，其经过水热法处理后能够形成纳米线结构，并且能够较好的分散到异丙醇溶液中，从而可以通过旋涂成膜的方式作为聚合物太阳能电池的空穴传输层。利用本方法制备的太阳能电池器件，制备工艺更加简单方便，可制备大面积的太阳能电池器件，而且可以极大的减少制备过程中对能源的消耗。
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公开(公告)号：CN102928474A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210496116.X
申请日：2012-11-28
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/02
Abstract: 本发明具体涉及一种含钛金属有机骨架材料MIL-125(Ti)湿敏传感器及制备方法。首先采用丝网印刷法在陶瓷衬底上制备Au金属叉指电极，采用水热法制备MIL-125(Ti)敏感材料，采用涂覆的方法，将敏感材料涂覆在金属叉指电极上，制成湿敏元件。采用的测试湿度范围为33％～100％RH，采用的测试电压为1V，频率为100Hz。本发明制备MIL-125(Ti)湿敏传感器具有制备工艺简单、器件体积小、适于大批量生产，对湿度有较高的灵敏度、较小的湿滞和较快的响应时间，在湿敏探测方面显示着巨大的应用价值。
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公开(公告)号：CN102842677A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210319233.9
申请日：2012-08-31
Applicant: 吉林大学 , 无锡海达安全玻璃有限公司
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明具体涉及一种聚乙烯吡咯烷酮（PVP）包覆的NaYF4纳米颗粒对有源层进行掺杂的聚合物太阳能电池及其制备方法。首先采用溶剂热法制备PVP包覆的NaYF4纳米晶体颗粒，然后采用溶胶凝胶法在导电玻璃上生长作为电子传输层的TiO2纳米晶体薄膜，采用溶液旋涂方法在TiO2纳米晶体薄膜上制备PVP包覆的NaYF4纳米颗粒掺杂的P3HT:PCBM有源层共混薄膜，采用真空蒸镀法在有源层上制备作为空穴传输层的WO3薄膜，采用真空蒸镀法在WO3薄膜上制备作为顶电极的金属薄膜。本发明制备聚合物太阳能电池具有制备方法简单，成本低廉，可大面积成膜的特点，对聚合物太阳能电池器件的开路电压有明显的提升作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102509743A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201210001003.8
申请日：2012-01-04
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明具体涉及一种以超薄硅片为衬底，以纳米TiO2/SrTiO3异质结有源层为基体材料，以Au为金属插指电极的高性能半导体紫外光电探测器及其制备方法。首先采用溶胶凝胶技术制备TiO2及SrTiO3溶胶，并在超薄硅衬底上依次生长成致密的纳米SrTiO3薄膜及TiO2薄膜；然后通过磁控溅射和标准的光刻、剥离技术在薄膜表面制成一定形状的Au插指电极。本发明制备的TiO2/SrTiO3异质结金属-半导体-金属紫外光探测器具有制备方法简单，成本低廉，有望大规模生产的特点，对波长250nm-350nm的紫外线具有良好的检测性能。
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公开(公告)号：CN101364656B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200810051199.5
申请日：2008-09-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于微波光子器件领域，涉及一种基于SOI光波导的单片集成的微波光子移相器及其制备方法。微波光子移相器由三个Y分支组成的级联波导分路器、四根波导延时线组成的固定延时单元、在波导延时线上的四个可变液晶光衰减单元和三个Y分支组成的级联波导合路器构成；级联波导分路器、固定延时单元和级联波导合路器是由制作在SOI衬底上的脊型光波导构成，由上到下依次为顶层硅、埋层二氧化硅、硅衬底。根据需要移相的微波信号的频率的不同，通过设计固定延时线的长度，可以对2GHz～20GHz的微波信号实现0～360°的连续相移。本专利所述器件具有集成度高、结构紧凑、尺寸小等特点。
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公开(公告)号：CN101915998A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010234943.2
申请日：2010-07-23
Applicant: 吉林大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器及其制备方法。该器件是在SOI衬底的顶层硅一侧制作，为一体脊型结构，沿着输入光的方向顺次是输入单模波导1、第一单模渐变波导2、多模波导3、第二单模渐变波导4、输出单模波导5；在各段波导的上表面制备有一层二氧化硅上包层204，在二氧化硅上包层的上面制备有用于热光调制的平行四边形金属电极205。本发明所述基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器采用光刻、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀、生长金属膜和金属膜的腐蚀等工艺制作。该可变光衰减器可以在0～30dB范围内，实现对光信号的连续可变衰减。
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公开(公告)号：CN101364656A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810051199.5
申请日：2008-09-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于微波光子器件领域，涉及一种基于SOI光波导的单片集成的微波光子移相器及其制备方法。微波光子移相器由三个Y分支组成的级联波导分路器、四根波导延时线组成的固定延时单元、在波导延时线上的四个可变液晶光衰减单元和三个Y分支组成的级联波导合路器构成；级联波导分路器、固定延时单元和级联波导合路器是由制作在SOI衬底上的脊型光波导构成，由上到下依次为顶层硅、埋层二氧化硅、硅衬底。根据需要移相的微波信号的频率的不同，通过设计固定延时线的长度，可以对2GHz～20GHz的微波信号实现0～360°的连续相移。本技术所述器件具有集成度高、结构紧凑、尺寸小等特点。
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公开(公告)号：CN100424908C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200510017007.5
申请日：2005-07-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明具体涉及一种以导电态聚苯胺为P型半导体材料、纳米晶体TiO2为N型半导体材料的P-N异质结二极管及该异质结二极管的制备方法。该P-N异质结二极管的组装制备方法是：首先采用溶胶-凝胶技术在ITO玻璃衬底上生长一层均匀致密的纳米晶体TiO2薄膜，然后用另一片ITO玻璃以双面胶作为粘合材料和隔垫物覆盖在纳米晶体TiO2薄膜的表面，最后利用毛细作用在纳米晶体TiO2薄膜与ITO玻璃之间注入导电态聚苯胺的溶液，常温下将溶剂挥发掉。本发明采用有机高分子导电材料作为P型半导体材料与N型的纳米晶体TiO2组装制备了具有良好整流特性(2V时，整流比大于160)的异质结二极管，并且其制备方法简单便于掌握。
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