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公开(公告)号：CN106883845A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710229040.7
申请日：2017-04-10
Applicant: 北京理工大学
IPC: C09K11/06 , C09K11/66 , C09K11/75 , C09K11/61 , G02F1/13357
Abstract: 本发明提供一种杂化钙钛矿微晶发光材料，所述杂化钙钛矿微晶发光材料的通式为A4BX6，其中A为CH3NH3+、NH＝CHNH3+、C(NH2)3+或R2NH3+，B为Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu或Mn的金属离子中的任意一种，X为Cl‑、Br‑以及I‑中的至少一种，其中R2为链碳原子数在1‑8之间的饱和直链烷基基团或饱和支链烷基基团或不饱和直链烷基基团或不饱和支链烷基基团或芳香基团。本发明首次制备出了A4BX6型的有机无机杂化钙钛矿发光材料，所制备的有机无机杂化钙钛矿发光材料发光效率高、稳定性好。本发明还提供一种制备杂化钙钛矿微晶发光材料的方法，该方法同时也可以应用于制备无机钙钛矿微晶发光材料，该方法简单、通用性强，材料的产率高，能达到90％以上、杂质少，清洗提纯容易、成本低，材料纯度高。
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公开(公告)号：CN105369358A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510738656.8
申请日：2015-11-04
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种对半导体纳米晶材料表面进行配体交换的方法，属于纳米材料表面界面工程技术领域。首先将半导体纳米晶材料与高沸点有机溶剂相混合，在惰性气体保护下得到混合溶液；向混合溶液中加入表面配体，得到反应产物，将反应产物溶于溶剂中，再加入沉淀剂，取离心分离后的下层沉淀，得到接枝有目标表面配体的半导体纳米晶材料。本方法可以用于制备多种配体接枝的半导体纳米晶材料，通过投料比的调节控制纳米晶表面不同配体接枝密度，而且具有工艺过程简便、配体交换率高且能保持纳米晶荧光性能的优点。本方法处理后的纳米晶材料应用于电致发光器件中，可有效提高器件的亮度、效率和寿命。
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公开(公告)号：CN104017242A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410177724.3
申请日：2014-04-29
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种量子点增强复合光转换膜及其制备方法，属于光电功能高分子技术材料领域。本发明制备一种柔性、透明、发光强度和颜色可调的薄膜材料，由纳米纤维素、增塑剂和水溶性量子点组成，其中的多醇作为纳米纤维素的增塑剂，调节薄膜柔韧性；其中的水溶性量子点可占复合材料质量的0.1～50wt％，其形态为透明、柔韧、发光颜色可调节、厚度可调控、面积可裁剪的薄膜。根据应用需要，薄膜材料的厚度和面积可以按比例放大。本发明方法制备的量子点增强复合光转换膜，复合材料掺杂量高、透明性高、柔韧、可裁剪可弯曲，发光颜色和发光强度可随加入量子点的种类、尺寸和组成配比进行调节，丙三醇的加入可进一步优化膜材料的柔韧性。
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公开(公告)号：CN102774871A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210252126.9
申请日：2012-07-19
Applicant: 北京理工大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种p型CuxSy半导体纳米晶、制备方法及其应用，属于纳米材料制备和应用领域。所述纳米晶CuxSy的x/y=1.8，形状为球形，粒径为6~12nm；所述方法包括制备铜源、制备硫源、将铜源注入到硫源中加热反应得到胶体溶液，通过清洗和离心沉降得到所述纳米晶；所述纳米晶的晶相单一、分散性良好、尺寸和形貌可控，在整个近红外光区都有较强的吸收，吸收峰在1100-1500nm；且具有良好的导电性，较高的载流子迁移率、良好耐高温性和稳定性。所述方法产率高，可进行大规模的生产。将所述纳米晶应用于薄膜太阳能电池器件中的空穴传输层，可以显著提高空穴传输层的传输能力。
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公开(公告)号：CN222073789U
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202420583612.7
申请日：2024-03-25
Applicant: 北京理工大学
IPC: H10K59/10 , H10K50/115 , H10K71/12
Abstract: 本实用新型提出一种图案化正置QLED器件，包括基板、金属反射层、阳极电极、像素隔离、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极电极；基板采用玻璃衬底，设置在最下层；金属反射层设置在基板顶部，阳极电极设置在金属反射层顶部；像素隔离设置在阳极电极顶部，像素隔离依据预设像素位置形成多个像素隔离单元；像素隔离单元中心形成凹槽结构，阳极电极处于凹槽结构内；空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层依次由下至上设置在凹槽结构中；阴极电极设置在基板顶部，并环绕在像素隔离外侧。本实用新型提供了通过像素隔离后全溶液制备的正置QLED器件，能够实现高效地制备顶发射图案化QLED器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN220913479U
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202223594831.5
申请日：2022-12-29
Applicant: 北京理工大学 , 致晶科技(北京)有限公司
IPC: G02F1/13357 , H01L33/52 , H01L25/075
Abstract: 本申请公开了一种量子点背光模组，包括带有蓝光芯片的玻璃基板，所述蓝光芯片封装在芯片灯珠内，所述芯片灯珠上覆盖有封装胶层，所述封装胶层上设有量子点压敏胶层，所述量子点压敏胶层上设有封装层；所述量子点压敏胶层为内部混合分散有绿光钙钛矿量子点‑聚合物复合微粒、红光钙钛矿量子点‑聚合物复合微粒的量子点压敏胶层。该结构量子点背光模组光学性能稳定、发光层厚度均匀、并实现发光膜层减薄的钙钛矿量子点背光模组。
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公开(公告)号：CN211653350U
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201921499342.7
申请日：2019-09-10
Applicant: 致晶科技(北京)有限公司 , 北京理工大学
IPC: G02F1/13357
Abstract: 本申请公开了一种基于钙钛矿量子点的复合薄膜层及显示背光模组。该基于钙钛矿量子点的复合薄膜层包括钙钛矿量子点发光层、粘合剂层和阻隔膜层；所述阻隔膜层包括第一阻隔膜层和第二阻隔膜层；所述钙钛矿量子点发光层与粘合剂层均位于所述第一阻隔膜层和第二阻隔膜层之间。该复合薄膜层具有生产成本低，发光效率高，稳定性高的特点。
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公开(公告)号：CN221728815U
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202420050555.6
申请日：2024-01-09
Applicant: 北京理工大学
IPC: H10K59/38
Abstract: 本实用新型提出一种显示装置，显示装置包括蓝光电致发光二极管以及绿色和红色量子点光转换层，绿色和红色量子点光转换层位于蓝光电致发光二极管的出射光侧，蓝光电致发光二极管发出蓝光，通过蓝光电致发光二极管的蓝光激发绿色和红色量子点光转换层发出绿光和红光；蓝光电致发光二极管的发光材料为半导体量子点；绿色和红色量子点光转换层是钙钛矿纳米晶或微晶。本实用新型的显示装置中蓝光使用低Cd含量的电致发光量子点，红光和绿光使用钙钛矿纳米晶/微晶，降低了组件Cd含量，同时解决了现有技术中的分辨率、色纯度、亮度、稳定性问题，以提供近眼AR/VR显示应用。
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公开(公告)号：CN208506252U
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201820932587.3
申请日：2018-06-15
Applicant: 北京理工大学 , 中国科学院云南天文台
IPC: G01S17/89
Abstract: 本实用新型公开了一种用于地表迎日观测的装置，旨在提供一种消除太阳辐射干扰的、用于地表迎日观测目标的装置。该装置包括日盲紫外成像仪，石英紫外线灯，灯罩及连接柱；所述灯罩的内表面为球面反射面；所灯罩外表面顶部设有安装座；所述安装座上设置与石英紫外线灯电连接的供电电路，所述供电电路电连接一电源插头；所述日盲紫外成像仪设置于灯罩的外壁上，且日盲紫外成像仪的镜头前端与灯罩的直径大端保持平齐；所述石英紫外线灯通过连接柱安装于凹面罩体顶点处的内侧，且位于灯罩的焦点处。本实用新型可有效消除地表迎日观测时的太阳辐射干扰。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN203517468U
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201320526499.0
申请日：2013-08-27
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本实用新型属于机械结构设计技术领域，特别涉及一种可调节色温的台灯。一种旋转更换荧光膜式台灯，它包括：台灯本体，其技术方案是，它还包括：LED蓝光芯片（12）、芯片基座（8）以及一个灯罩（11）；灯罩（11）为包括：柱状框架（9）和两块以上不同色温的转换膜，转换膜安装在柱状框架（9）上；芯片基座（8）安装在台灯本体上，其上插接有LED蓝光芯片（12），灯罩（11）套装在芯片基座（8）与LED蓝光芯片（12）的外部。本实用新型能够在同一LED蓝光光源下通过调节光前的不同色温转换膜方便灵活的调节白光的色温，并且模块化的转换膜方便更换，能够满足各类工作环境下对光线色温的要求。
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