公开(公告)号：CN105369358A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510738656.8

申请日：2015-11-04

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 钟海政 ,  柏泽龙 ,  赵传真 ,  韩登宝 ,  邹炳锁

IPC: C30B29/54 ,  C30B7/14 ,  H01L33/28

CPC classification number: C30B29/54 ,  C30B7/14 ,  H01L33/28

Abstract: 本发明涉及一种对半导体纳米晶材料表面进行配体交换的方法，属于纳米材料表面界面工程技术领域。首先将半导体纳米晶材料与高沸点有机溶剂相混合，在惰性气体保护下得到混合溶液；向混合溶液中加入表面配体，得到反应产物，将反应产物溶于溶剂中，再加入沉淀剂，取离心分离后的下层沉淀，得到接枝有目标表面配体的半导体纳米晶材料。本方法可以用于制备多种配体接枝的半导体纳米晶材料，通过投料比的调节控制纳米晶表面不同配体接枝密度，而且具有工艺过程简便、配体交换率高且能保持纳米晶荧光性能的优点。本方法处理后的纳米晶材料应用于电致发光器件中，可有效提高器件的亮度、效率和寿命。