公开(公告)号：CN118102750A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410267410.6

申请日：2024-03-08

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 景宇宇 ,  姚明宇 ,  钟海政

IPC: H10K50/115 ,  H10K50/828 ,  H10K71/20 ,  H10K71/60

Abstract: 本申请公开了一种图案化量子点发光器件及其制备方法，该器件包括驱动电路基板、图案化量子点发光层和透明电极，量子点发光层设置在驱动电路基板和透明电极之间，图案化量子点发光层包括电流隔离挡墙和量子点像素单元，电流隔离挡墙由量子点发光层上经过特定波长激光按预定图案烧蚀的部分形成，量子点像素单元由量子点发光层上位于量子点像素单元之间、未经烧蚀的部分形成，本申请以具有光固化交联配体的量子点光固化胶水为量子点发光层的材料，使用能量超过令配体脱落阈值的激光进行刻蚀，形成电流隔离挡墙和量子点像素单元；通过本申请的技术方案制备图案化量子点发光器件，无需去除激光刻蚀区域，避免了溶剂对量子点发光层质量的影响。

公开(公告)号：CN119698184A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202311243319.2

申请日：2023-09-25

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 钟海政 ,  景宇宇 ,  王辰晖

IPC: H10K59/123 ,  H10K59/12 ,  H10K59/124

Abstract: 本公开涉及一种图案化QLED微显示器件及其制备方法。图案化QLED微显示器件包括：驱动电路基板；图案化像素单元，图案化像素单元通过沉积以及等离子体刻蚀的方式设置于驱动电路基板的上方，其中，图案化像素单元包括量子点发光单元；绝缘胶水层，绝缘胶水层填充于相邻的两个图案化像素单元之间，绝缘胶水层还设置于器件外围的图案化像素单元的外侧；透明电极，透明电极通过沉积的方式设置于图案化像素单元及绝缘胶水层的上方。本发明有助于解决量子点层图案化加工时量子点性能下降、像素密度不高等问题；并且所采用的图案化QLED微显示器件制备方法能够与现有半导体工艺兼容，方法简单、易于操作。

公开(公告)号：CN118019390A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410153584.X

申请日：2024-02-02

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 景宇宇 ,  钟海政

IPC: H10K59/122 ,  H10K59/124 ,  H10K59/35

Abstract: 本公开涉及一种全彩QLED器件及其制备方法。所述器件包括：基板；像素隔离单元bank，像素隔离单元bank在基板上阵列分布；全彩QD阵列，全彩QD阵列中的任一个QD功能单元设置于像素隔离单元bank内；光刻胶保护层，光刻胶保护层设置于全彩QD阵列的上方；透明电极，透明电极设置于光刻胶保护层的上方，其中QD功能单元通过逐次光刻清洗的方式填充在像素隔离单元bank内。本发明通过在像素隔离单元bank内的全彩QD阵列上，利用多次光刻辅助的方式制备光刻胶保护层，对全彩QD阵列进行保护，实现了高像素密度的全彩QLED器件，并减少了电子的注入，有利于达到电子空穴注入平衡，提高了全彩QLED器件性能。

公开(公告)号：CN222073789U

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202420583612.7

申请日：2024-03-25

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 景宇宇 ,  姚明宇 ,  钟海政

IPC: H10K59/10 ,  H10K50/115 ,  H10K71/12

Abstract: 本实用新型提出一种图案化正置QLED器件，包括基板、金属反射层、阳极电极、像素隔离、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极电极；基板采用玻璃衬底，设置在最下层；金属反射层设置在基板顶部，阳极电极设置在金属反射层顶部；像素隔离设置在阳极电极顶部，像素隔离依据预设像素位置形成多个像素隔离单元；像素隔离单元中心形成凹槽结构，阳极电极处于凹槽结构内；空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层依次由下至上设置在凹槽结构中；阴极电极设置在基板顶部，并环绕在像素隔离外侧。本实用新型提供了通过像素隔离后全溶液制备的正置QLED器件，能够实现高效地制备顶发射图案化QLED器件。