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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111007374A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910960507.4
申请日：2019-10-10
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及用于测量瞬态电致发光的系统和方法。系统包括：双通道示波器；两个或更多个双通道信号发生器，用于输出电压脉冲；纳秒级双通道或多通道时序控制器，其用于控制信号发生器输出的脉冲的时间延迟；以及光电倍增管或雪崩二极管探测器，其用于收集瞬态发光并将其转换成电信号后输出至示波器的第二通道，其中一个信号发生器的外部触发端口连接时序控制器的时间零点通道接口，其余信号发生器的外部触发端口连接时序控制器的各延时信号接口，并且信号发生器的第一通道并联后连接到示波器的第一通道，信号发生器的第二通道并联后加载到电致发光器件的正负两极上，并且信号发生器的第一通道和第二通道的输出信号均同步一致。
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公开(公告)号：CN119698184A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311243319.2
申请日：2023-09-25
Applicant: 北京理工大学
IPC: H10K59/123 , H10K59/12 , H10K59/124
Abstract: 本公开涉及一种图案化QLED微显示器件及其制备方法。图案化QLED微显示器件包括：驱动电路基板；图案化像素单元，图案化像素单元通过沉积以及等离子体刻蚀的方式设置于驱动电路基板的上方，其中，图案化像素单元包括量子点发光单元；绝缘胶水层，绝缘胶水层填充于相邻的两个图案化像素单元之间，绝缘胶水层还设置于器件外围的图案化像素单元的外侧；透明电极，透明电极通过沉积的方式设置于图案化像素单元及绝缘胶水层的上方。本发明有助于解决量子点层图案化加工时量子点性能下降、像素密度不高等问题；并且所采用的图案化QLED微显示器件制备方法能够与现有半导体工艺兼容，方法简单、易于操作。
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公开(公告)号：CN118995222A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202310576709.5
申请日：2023-05-19
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本申请公开了一种蓝光量子点材料、制备方法及在光电器件中的应用。该量子点由量子点核、第一壳层和N层最外壳层组成(1≤N≤5)，其中量子点核由包含Se元素但不包含Cd元素的二元及以上的ZnSeSTe构成，量子点第一壳层由包含Se元素的三元及以上的CdZnSeS构成，量子点的N层最外壳层由二元及以上的CdZnSeS构成。所制备的量子点的发光位于用于显示应用的纯蓝光波段，光谱性质、发光效率和器件效率相比现有技术得到了提升。
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公开(公告)号：CN111007374B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201910960507.4
申请日：2019-10-10
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及用于测量瞬态电致发光的系统和方法。系统包括：双通道示波器；两个或更多个双通道信号发生器，用于输出电压脉冲；纳秒级双通道或多通道时序控制器，其用于控制信号发生器输出的脉冲的时间延迟；以及光电倍增管或雪崩二极管探测器，其用于收集瞬态发光并将其转换成电信号后输出至示波器的第二通道，其中一个信号发生器的外部触发端口连接时序控制器的时间零点通道接口，其余信号发生器的外部触发端口连接时序控制器的各延时信号接口，并且信号发生器的第一通道并联后连接到示波器的第一通道，信号发生器的第二通道并联后加载到电致发光器件的正负两极上，并且信号发生器的第一通道和第二通道的输出信号均同步一致。
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公开(公告)号：CN221728815U
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202420050555.6
申请日：2024-01-09
Applicant: 北京理工大学
IPC: H10K59/38
Abstract: 本实用新型提出一种显示装置，显示装置包括蓝光电致发光二极管以及绿色和红色量子点光转换层，绿色和红色量子点光转换层位于蓝光电致发光二极管的出射光侧，蓝光电致发光二极管发出蓝光，通过蓝光电致发光二极管的蓝光激发绿色和红色量子点光转换层发出绿光和红光；蓝光电致发光二极管的发光材料为半导体量子点；绿色和红色量子点光转换层是钙钛矿纳米晶或微晶。本实用新型的显示装置中蓝光使用低Cd含量的电致发光量子点，红光和绿光使用钙钛矿纳米晶/微晶，降低了组件Cd含量，同时解决了现有技术中的分辨率、色纯度、亮度、稳定性问题，以提供近眼AR/VR显示应用。
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