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公开(公告)号：CN114318524A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111629561.4
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及一种用于调控晶圆外延生长均匀性的装置及方法，该用于调控晶圆外延生长均匀性的装置包括加热炉、托盘、支撑杆、温度传感器、引线及温度控制模块，托盘与支撑杆均安装于加热炉内，托盘用于放置生长晶圆或测温晶圆，支撑杆连接托盘，支撑杆用于驱动托盘转动；温度传感器安装于托盘上，引线的一端连接温度传感器，另一端连接温度控制模块，引线穿设支撑杆，并用粘接剂密封；工作时，生长晶圆或测温晶圆用于放置于温度传感器上。本装置通过温度传感器实时监测生长晶圆或测温晶圆的表面温度，且将监测的温度在线反馈至温度控制模块进行控温，测温和控温精确，确保调控晶圆外延生长的均匀性，实现大尺寸晶圆生长的一致性。
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公开(公告)号：CN114059159A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111371322.3
申请日：2021-11-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明提供一种金刚石的生长方法，采用凝聚态碳源代替气态碳源，除了提供初始条件外，在金刚石生长过程中不需要再通入工艺气体，只需要激发凝聚态碳源形成适合金刚石生长的等离子体区域；激发态的碳源在预先放置的诱导晶种上沉积并同质外延生长金刚石。该方法拓展碳源取材范围，节约能源，避免工艺气体的浪费，便于金刚石的连续生长。
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公开(公告)号：CN113946089A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111249632.8
申请日：2021-10-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: G03B21/16
Abstract: 本发明涉及投影设备技术领域，尤指一种散热激光投影仪机箱，包括箱体、光源、拉瓦尔喷管、进风风扇及出风风扇，箱体包括相互连通的外腔和内腔；光源设置在内腔内，拉瓦尔喷管设置在外腔和内腔的连接处；进风风扇的出风端与外腔连通；出风风扇的进风端与内腔连通，其出风端与箱体外连通。本发明通过进风风扇将气体在外腔淤积，形成高压区，在外腔与内腔之间形成一定压差，使气体在通过拉瓦尔喷管后，气体变成超音速气体，以高速射流喷射到光源的表面，并快速从内腔流动到腔体外，有效带走热量。
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公开(公告)号：CN113584580A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110895167.9
申请日：2021-08-05
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B25/02 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B29/04 , C23C16/458 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，尤指一种金刚石圆片径向生长方法及装置，该包括升降式旋转支架和晶圆夹持单元；升降式旋转支架包括升降杆装置、横架、距离调整组件、旋转驱动组件和至少两组平行设置的旋转轴；而该生长方法通过晶圆夹持单元将多片金刚石圆片同轴夹持成柱状，然后安置在升降式旋转支架，升降式旋转支架带动金刚石圆片转动、升降及间隙控制作用下，金刚石圆片侧面暴露在工艺气体激发后的等离子体中，使得金刚石圆片只沿着侧面径向旋转生长，从而生长出大直径金刚石圆片，通过晶圆夹持单元保持金刚石圆片的厚度，通过旋转轴的研磨保持金刚石圆片的圆度。
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公开(公告)号：CN112289760A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011163916.0
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L23/373 , H01L23/13 , H01L23/14 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3205
Abstract: 本发明涉及第三代半导体材料制备技术领域，尤指一种内嵌金属基氮化物材料外延衬底及制备方法，该衬底的一表面制有凹坑阵列，凹坑阵列内生长有复合金属层，该复合金属层生长至覆盖衬底；具体制备方法为：在衬底的一表面上进行图形化处理，以形成延伸进衬底内部的凹坑阵列；在衬底的凹坑阵列一面生长出一层复合金属层，该复合金属层生长至覆盖衬底；对衬底背向凹坑阵列的一面进行减薄。本发明解决第三代氮化物材料及器件散热差的问题，使氮化物材料及器件在工作过程中始终处于较低的结温状态，提高其可靠性及性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111430245A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201910019641.4
申请日：2019-01-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/48 , H01L23/492 , C04B41/51
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷基板的金属化方法，包括如下步骤：首先，根据预设的导电线路参数在陶瓷基板表面进行图案化处理以在陶瓷基板表面形成有预设深度与宽度的线路图案；然后，在经过图案化处理的陶瓷基板表面制备过渡金属层和加厚金属层；之后，将陶瓷基板表面的非线路图案部分的金属层除去，以得到填充于陶瓷基板内的导电金属线路，进行表面处理后，最终得到平整光滑的高精度陶瓷线路板；本发明通过预先在陶瓷基板上制备预设深度和宽度的线路图案，将线路图案深入到陶瓷基板内部，可高精度控制金属化过程中的导电金属线路的宽度与厚度，从而得到高精细化导电金属线路，同时，本发明的导电金属线路填充于陶瓷基板的线路图案内也提高了散热效率。
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公开(公告)号：CN110491811A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910886765.2
申请日：2019-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种可调节光强型激光剥离装置，包括剥离室和激光器，剥离室顶部设有光学窗口，剥离室底部设有样品托盘装置，还包括光强调节装置，光强调节装置装设于剥离室内，光强调节装置位于样品托盘装置上方，激光剥离时，激光器发出的激光经光学窗口进入剥离室，进入剥离室的激光经光强调节装置调节激光强度后，再照射至样品托盘装置的待剥离样品，进行激光剥离，本发明通过调整激光光强，形成光强的强弱分布，实现样品表面光强可调，有效控制激光剥离过程，避免样品炸裂。
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公开(公告)号：CN109982478A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910096408.6
申请日：2019-01-31
Applicant: 北京大学 , 合肥彩虹蓝光科技有限公司
IPC: H05B33/08
Abstract: 本发明提供一种白光发光二极管的调光方法，所述方法包括：分别测量红色发光二极管、黄色发光二极管、蓝色发光二极管以及绿色发光二极管在额定电流工作状态下单独发光的光谱功率；计算所述红色发光二极管、所述黄色发光二极管、所述蓝色发光二极管以及所述绿色发光二极管的相对混光比例；根据所述相对混光比例，利用控制单元对所述红色发光二极管、所述黄色发光二极管、所述蓝色发光二极管以及所述绿色发光二极管输出不同占空比的控制信号；其中，所述红色发光二极管的峰值波长是介于670nm到700nm之间。本发明制备出的白光发光二极管显色性高、蓝光危害低、同时可调节色温，满足在任何色温下都可得到显色性高且蓝光危害低的白光发光二极管。
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公开(公告)号：CN109652859A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811608221.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及一种光气耦合晶体生长装置，包括反应釜体、激光光源、坩埚和籽晶，籽晶设于坩埚内，坩埚一侧开设有坩埚通光口，激光光源通过坩埚通光口以切向位置射入坩埚内、并在坩埚内以回音壁传播模式传播，与现有技术相比，本发明的激光光源从坩埚一侧以切向位置射入坩埚内，激光光源以回音壁传播模式沿坩埚内壁传播，促使输入的激光光源与氮气充分耦合，高效激发更多的氮电离，从而加速氮溶入反应溶液中，提高反应溶液中的氮含量，进而大大提升晶体生长效率。
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公开(公告)号：CN108799851A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810442994.0
申请日：2018-05-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: F21K9/20 , F21V19/00 , F21K9/68 , F21K9/69 , F21K9/64 , F21K9/60 , F21K9/61 , F21Y115/10 , F21Y113/13
CPC classification number: F21K9/20 , F21K9/60 , F21K9/61 , F21K9/64 , F21K9/68 , F21K9/69 , F21V19/001 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10
Abstract: 本发明公开了一种发光装置和光源成像系统，包装光源，所述光源包括发光元件阵列和具有入光口的复合抛物面集光器；发光元件阵列设在复合抛物面集光器的入光口处，使得复合抛物面集光器对来自发光元件阵列的光束进行收集，发光元件阵列中各发光元件的发光面积之和大于或者等于复合抛物面集光器的入光口的面积的50%。本发明能够出射较高亮度的光束，提高出光效率。
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