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公开(公告)号:CN103028270B
公开(公告)日:2015-10-28
申请号:CN201210532357.5
申请日:2005-06-01
Applicant: 诚实公司
IPC: B01D7/00
CPC classification number: C23C16/4481 , Y10S261/65
Abstract: 本发明涉及蒸汽递送容器和在容器内提供可汽化源材料的方法。该蒸汽递送容器包括:周边容器壁,限定内部容积;气体出口,与所述内部容积流体连通;以及至少一个支撑结构,设置于所述内部容积内且适合于在所述至少一个支撑结构内接收可汽化源材料并适合于支撑所述内部容积内的可汽化的固体源材料,其特征在于设置在所述内部容积内的所述至少一个支撑结构包括以下中的任一种:(i)筛网材料,以及(ii)多孔体,其中所述至少一个支撑结构被设置负载有所述可汽化源材料。
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公开(公告)号:CN104768622A
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201380058153.5
申请日:2013-09-24
Applicant: 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
CPC classification number: B01D7/00 , H01L21/67161 , H01L21/67173 , H01L21/67748 , H01L51/0025 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种通过升华来纯化OLED材料的设备。传统升华纯化装置是分批型的,其中通过将一份源材料装载到处理器腔室中并且随后从所述处理腔室卸载经纯化材料来进行一个升华纯化过程。这些过程是人工进行的,并且因此不可能连续地生产OLED的经纯化材料。因此,难以提高生产量和生产率。根据本发明,装载所述源材料和卸载所述经纯化材料都是自动进行的,因此实现了纯化OLED的源材料的连续过程。
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公开(公告)号:CN102380224B
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201110380541.8
申请日:2011-11-25
Applicant: 苏州华微特粉体技术有限公司 , 胡晞
Inventor: 胡晞
IPC: B01D7/00
Abstract: 本发明提供一种升华器,适于利用物质的升华特性制备化学原料,升华速度快,生产效率高,升华过程中物料不板结,并且能源利用率大大提高。包括包裹加热元件的内壳和包裹内壳的外壳,外壳上具有物料加入口和物料升华气体出口,内壳和外壳之间形成盛放待升华物料的环形通道,环形通道中具有使待升华物料沿环形通道流动的传动机构;传动机构包括轴承、齿轮、链条以及铲搅待升华物料的铲板,在内壳的前后两个端面处分别具有沿周向包围所述内壳外侧面的传动链条,每根传动链条由两个齿轮传动,齿轮分别套装在横向设置于内壳端面两头的两个轴承上,多块铲搅待升华物料的铲板沿所述环形通道间隔分布,并连接在所述传动链条上。
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公开(公告)号:CN103357192A
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201310333119.6
申请日:2013-08-02
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02P20/124 , Y02P70/34
Abstract: 一种二氧化碳固体升华器,具有高压二氧化碳液体跨三相点膨胀、二氧化碳固体升华、剩余二氧化碳冷量回收功能于一体,所述二氧化碳固体升华器包括低温高压二氧化碳液体流入管(1)、与热源进行热交换的升华器外管(2)、高压二氧化碳液体喷管(3)、可选的节流膨胀阀(4)、升华后的二氧化碳气体流出管(5),升华器内管(6)。本发明一方面增加了固体二氧化碳颗粒与换热表面间的表面换热系数,提高换热效率,从而提高了设备制冷能力;另一方面,有效解决环境发生变化时二氧化碳固体剩余的问题和剩余固体颗粒可能对制冷系统带来的破坏作用,提高了系统的稳定性。
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公开(公告)号:CN102036724B
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN200980118403.3
申请日:2009-05-07
Applicant: 赢创德固赛有限公司
Inventor: A·L·米歇尔德阿雷瓦洛 , P·施滕纳 , S·菲德勒 , D·克纳 , M·纳格尔
CPC classification number: B01D7/00 , B01J19/088 , B01J2219/0869 , B01J2219/0879 , C01F7/56 , C22B4/005 , C22B4/08 , C22B34/129
Abstract: 物质和物质混合物相转变的方法,其中将物质或物质混合物引入等离子体反应器中,将物质或物质混合物转化为较高能量相,且将产物以气体形式从等离子体反应器中移出。所述方法可以用于金属盐、金属硝酸盐和/或金属醇盐和其它可汽化的金属有机化合物的升华。
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公开(公告)号:CN102516212B
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201110421252.8
申请日:2011-12-16
Applicant: 无锡百川化工股份有限公司 , 百川化工(如皋)有限公司
IPC: C07D307/89 , B01D9/02 , B01D7/00
Abstract: 本发明涉及一种降低偏苯三酸酐中杂质含量的方法,采用翅片式的熔融结晶器,其顶盖为活络连接,逐步降低管程导热油的温度,使偏苯三酸酐在壳程结晶,将尚未结晶的、富含低熔点杂质的液体排出后,先将管程导热油的温度逐步提升,使偏苯三酸酐逐步熔化,呈疏松态,其中的高熔点杂质和残留的部分邻苯二甲酸酐升华,并粘附在熔融结晶器的顶盖内表面,更换熔融结晶器的顶盖;打开熔融结晶器底部的阀门,让熔融的偏苯三酸酐成品流出;再升温,使偏苯三酸酐充分熔化,暂存在中间罐中,等熔融结晶器中的液态物料排空后;排出管程中热的导热油,注入冷的导热油,在壳程注入醇类溶剂,溶解、反应一段时间后,排空即可。由此得到的偏苯三酸酐色谱纯度较高。
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公开(公告)号:CN102512842B
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN201110421241.X
申请日:2011-12-16
Applicant: 无锡百川化工股份有限公司 , 百川化工(如皋)有限公司
IPC: B01D7/00 , B01D9/02 , C07D307/89
Abstract: 一种降低偏苯三酸酐中杂质含量的连续运作设备和方法,所述设备包括上下两条倾斜的传送带Ⅰ、Ⅱ和密闭但与大气压平衡的壳体,所述两条传送带所处的温度场从下往上逐步升高。所述方法是将恒温的物料缓慢地流到传送带Ⅱ承托面的中上部,液态的物料在传送带Ⅱ的承托面上往下流到较低的温度场区域时,逐步凝结,形成固、液相混存的状态,低熔点杂质被转移到液相中分出;溶解在偏苯三酸酐中的易升华杂质升华并粘附到传送带Ⅰ的倒合面上被刮刀Ⅰ刮下,而到达传送带Ⅱ上部已被提纯的偏苯三酸酐由贴近传送带Ⅱ表面的刮刀Ⅱ刮下,落入成品收集罐中。本发明可连续化运作,经提纯后的偏苯三酸酐中杂质含量低。
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公开(公告)号:CN102512843A
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN201210000956.2
申请日:2012-01-04
Applicant: 天津大学
IPC: B01D7/00
Abstract: 本发明公开了一种真空升华装置,包括罐底和罐盖,罐底和罐盖通过法兰密封连接,罐盖顶壁的下表面设置有筒状的内套管,内套管的底部位于罐底的中下部,在罐盖顶壁的中心处设置有真空管,真空管的中下部呈锥体状设置在内套管内部,真空管的底端与内套管的底端固定连接,冷却水入水管贯穿罐盖的顶壁并设置在内套管和真空管之间而且伸入到内套管内,冷却水出水管设置在罐盖顶壁位于内套管和真空管之间,在罐底设置有搅拌。本发明的装置能对单体通过真空升华而纯化,分离则能获得很高的收率,并不存在溶剂污染的问题,造价较低,热交换效率高,提纯周期短,能满足实际工业化提纯的需要。
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公开(公告)号:CN101854990A
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN200880115148.2
申请日:2008-10-10
Applicant: 国际壳牌研究有限公司
CPC classification number: B01D7/02 , B01D53/62 , B01D2256/22 , B01D2257/504 , B01D2259/416 , Y02C10/04 , Y02C10/12 , Y02P70/34
Abstract: 本发明提供用于从气态原料物流中分离CO2的方法,包括以下步骤:a)将处于固定床(101,102,103)形式的多孔主体冷却至低于CO2凝华温度的温度,从而获得冷主体;b)使包含CO2及一种或多种其它气态化合物的气态原料物流(120)与冷主体的表面接触,从而获得包含固体CO2的主体和贫含CO2的流出气体(124);和c)通过将包含固体CO2的多孔主体暴露于温度高于CO2凝华温度的流体CO2物流(130)而脱除固体CO2,由此获得流体CO2(136)和温热的多孔主体。
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公开(公告)号:CN101378818A
公开(公告)日:2009-03-04
申请号:CN200680053042.5
申请日:2006-12-12
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: B01D7/00
CPC classification number: H01L23/5222 , H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L21/76825 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L21/76835 , H01L21/76843 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种制造半导体器件(200)的方法。在所描述的实施例中,这种方法包含:在半导体衬底上淀积碳氢化合物层(294),在碳氢化合物层内形成互联结构(295,297),以及通过升华除去碳氢化合物层。
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