公开(公告)号：CN103849824B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201410086701.1

申请日：2014-03-11

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 罗国强 ,  代洋 ,  张联盟 ,  沈强 ,  陈平安 ,  李美娟 ,  王传彬

IPC: C22C49/10 ,  C22C47/14 ,  C22C47/04 ,  C22C101/10 ,  C22C121/02

Abstract: 本发明是一种CNT增强W‑Cu热用复合材料的制备方法，具体是：采用包覆的方法制备Cu@CNT复合包覆粉末和Cu@W复合包覆粉末，然后将Cu@CNT复合包覆粉末和Cu@W复合包覆粉末按照体积百分比为Cu@CNT=0.1%‑10.0%、Cu@W=90.0%‑99.9%进行球磨混合均匀，将混合均匀粉末在100‑500MPa下进行冷等静压获得坯体，最后将坯体放入真空热压炉中进行烧结，得到所述CNT增强W‑Cu热用复合材料。本发明可以获得致密度高的CNT增强W‑Cu复合材料，具有热导率高、W和Cu界面之间结合力强等优点。

公开(公告)号：CN103382534B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201310241546.1

申请日：2013-06-18

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 张联盟 ,  刘凰 ,  沈强 ,  罗国强 ,  王传彬 ,  李美娟

IPC: C22C9/00 ,  C22C27/04 ,  C22C30/00 ,  C22C32/00 ,  C22C1/05 ,  C22C1/10

Abstract: 本发明是一种新型的具有高致密结构的W-Cu-SiC三元热控复合材料及其制备方法，W-Cu-SiC三元复合材料是由W粉、SiC粉和Cu粉按比例混合后，经热压烧结而成。所述复合材料中含体积分数30～50vol%的Cu，50～70vol%的W与SiC,其中SiC的体积分数范围为20～80%，相对应W粉的体积分数范围为80～20%，在不同配比下W-Cu-SiC复合材料的致密度均高达98%以上，在40～300°C温度范围内，该复合材料的热膨胀系数均稳定在5.7×10-6—9.74×10-6/K。本发明是一种成型方便、成本低廉和高性能的新型的复合材料，在电子封装、半导体散热片等领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN103317140B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201310255027.0

申请日：2013-06-25

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 张联盟 ,  周小状 ,  余侃 ,  沈强 ,  罗国强 ,  李美娟 ,  王传彬 ,  刘树龙

IPC: B22F7/02

Abstract: 本发明涉及流延法制备W-Cu体系梯度复合材料的方法，其步骤包括：(1)金属粉非水基流延料浆制备及流延成型：将球磨混合后的金属粉非水基料浆经除泡、过滤后在流延机上流延成型，在空气中干燥后制得单组分金属流延膜带；(2)梯度结构设计、裁剪、叠层：根据铜含量沿厚度方向分布函数C=C0+Axp的设计，将不同W-Cu组分的流延膜片裁剪后叠层成梯度结构的生坯；(3)生坯排胶和热压烧结：将生坯在氮氢混合气氛中排胶后，在真空热压炉中烧结成型。本发明工艺简单、成本低，所制备的复合材料的单组分层厚度可以达到微米量级、组分变化平缓、过渡层光滑连续，并且具有较良好的电热学性能，可以用于电触头、电子封装等热电领域。

公开(公告)号：CN103302861A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310181784.8

申请日：2013-05-16

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 沈强 ,  袁欢强 ,  熊远禄 ,  罗国强 ,  张联盟 ,  李俊国 ,  王传彬

IPC: B29C67/20 ,  C08L33/12 ,  C08K7/00 ,  C08K3/04 ,  C08K3/08

Abstract: 本发明聚甲基丙烯酸甲酯基泡孔梯度材料的制备方法是：将含有碳纳米管CNTs或银纳米粒子Ag填料的聚甲基丙烯酸甲酯基纳米复合材料叠层，加热软化后，熔融热压成梯度复合材料，再将梯度复合材料放入超临界二氧化碳流体中，快速泄压发泡，发泡工艺是：将梯度复合材料放入高压釜中后，注入超临界二氧化碳流体，调节该流体的压力为7.5～20MPa，温度为50～140℃，保压6～10h后，拧开泄压阀快速泄压至常压，10s～180s后冷却至室温即可。本发明制备的材料，其泡孔直径控制在微米量级，体积密度小，泡孔密度可以设计和控制，具有较好的力学强度和尺寸稳定性，在航天航空、电子封装、建筑制造等领域有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN102241508B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201110081318.3

申请日：2011-03-31

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 王传彬 ,  彭健 ,  沈强 ,  李凌 ,  张联盟

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种高致密BaTi2O5陶瓷块体的制备方法。一种高致密BaTi2O5陶瓷块体的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：1)将BaTi2O5原料粉体放入行星式高能球磨机中进行研磨，得到BaTi2O5微粉；2)将BaTi2O5微粉置入石墨模具中，整体移入放电等离子烧结炉中，在真空中以80～150℃/min的速率升温至980～1100℃，保温5～15min，并施加30～60MPa的轴向压力，然后随炉冷却至室温，获得BaTi2O5烧结体；3)将BaTi2O5烧结体置入箱式电炉中，在空气气氛中，以2～10℃/min的速率升温至800～1000℃，保温12～24h，得到BaTi2O5陶瓷块体。本发明中制备的BaTi2O5陶瓷块体物相单一、尺寸大，而且在不掺杂任何烧结助剂的情况下，依然具有极高的致密度(＞95％)，应用前景广阔。

公开(公告)号：CN102351563B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110187425.4

申请日：2011-07-06

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 陈斐 ,  潘皓亮 ,  沈强 ,  王传彬 ,  张联盟

IPC: C04B38/06 ,  C04B35/584 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明是一种具有多级孔径结构的高孔隙率氮化硅多孔陶瓷的制备方法，具体为：先将α-氮化硅料浆与有机硅树脂稀释液混合均匀，其中α-氮化硅与有机硅树脂的体积比为1:9～4:1；所得物经过干燥、球磨、过筛后与萘粉按质量比为19:1～1:1混合均匀；再将混合粉料模压成型，或模压后冷等静压成型；然后采用阶梯升温模式将成型样品在50～130℃排胶12～24h；最后将热处理后的产物在1100～1700℃、氮气气氛下常压烧结，保温时间为1～5h，即得到所述氮化硅多孔陶瓷。本发明工艺简单、成本低廉、可重复性好，且制得的氮化硅多孔陶瓷具有孔径分布宽、孔隙分布均匀、孔隙率高、力学强度较好等优异性能。

公开(公告)号：CN102861986A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210385805.3

申请日：2012-10-12

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 沈强 ,  张建 ,  罗国强 ,  李美娟 ,  王传彬 ,  张联盟

IPC: B23K20/14 ,  B23K20/233 ,  B23K20/24

Abstract: 本发明基于含复合中间层的镁合金与铝合金低温高强焊接的方法是：利用铝薄膜和镍箔作为复合中间层，其中铝薄膜是通过磁控溅射沉积在镁合金待焊面上，采用真空扩散焊接在焊接温度400~460℃，保温10~120min，焊接压力0.1~3MPa。本发明的优点在于：利用铝薄膜和镍箔复合中间层实现镁合金与铝合金的扩散焊接；铝薄膜层和镍箔的加入改变了镁/铝界面物相组成和显微结构，避免了界面处高硬度脆性镁铝金属间化合物的生成，剪切强度达到26MPa，其中镁合金待焊面上磁控溅射镀铝膜提高了易氧化的镁合金待焊面的抗氧化性，并改善Mg-Ni之间生成物的结构与性能，适合不同种类的镁合金与铝合金的可靠焊接，工艺简单，平行精度高，焊接件变形小。

公开(公告)号：CN102059449B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201010596717.9

申请日：2010-12-20

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 沈强 ,  罗国强 ,  张联盟 ,  王传彬 ,  李美娟 ,  魏琴琴 ,  张建

IPC: B23K20/14 ,  B23K20/24

Abstract: 本发明涉及一种钨合金与钽合金的低温扩散焊接方法，该方法步骤包括：（1）工件表面清理步骤：将钨合金、钽合金加工到规定尺寸，除去它们和中间层-镍箔待焊面的氧化层；（2）工件组装步骤：将中间层-镍箔置于钨合金与钽合金之间，构造被焊接工件；（3）真空扩散焊接步骤：将被焊接工件放入真空扩散焊接炉内，加热、保温，当保温开始时对被焊接工件施加轴向压力，保温结束后卸除压力并随炉冷却。本发明能够克服现有焊接技术无法在低温下实现钨合金与钽合金的高质量扩散焊接的问题，特别适合钨合金和钽合金之间在低温下可靠且精密的扩散焊接，所制备的钨钽焊接体可以用于动高压物理和核聚变等研究领域。

公开(公告)号：CN101817083A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010143559.1

申请日：2010-04-06

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 罗国强 ,  李君 ,  张联盟 ,  沈强 ,  李美娟 ,  王传彬

IPC: B22F3/22 ,  B22F7/00

Abstract: 本发明涉及流延法制备Mg-Cu体系密度梯度材料的方法，该方法包括金属粉非水基流延料浆、流延成型、裁剪、叠层，以及将生坯进行排胶和用热压烧结步骤，其中：所述料浆中各组分质量含量为金属粉40～70％、分散剂0.6～1.2％、粘结剂2.5～3.5％、增塑剂1.6～3.5％、余量为丁酮溶剂，料浆的粘度为1～10000mPa·s，金属粉为镁粉、铜粉中的一种或者二种任意配比的混合粉，该粉粒径≤300目。该方法工艺简单、成本低，最重要的是所制备的Mg-Cu体系密度梯度材料的单层厚度可以达到μm量级、密度变化平缓、过渡层光滑连续的特点。

公开(公告)号：CN101254572B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810046712.1

申请日：2008-01-17

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 张联盟 ,  王传彬 ,  沈强 ,  罗国强 ,  曾浩

IPC: B23K20/14 ,  B23K20/24

Abstract: 本发明涉及一种焊接金属钛合金与铜合金的方法。一种利用铌中间层扩散焊接钛合金与铜合金的方法，其特征在于它包括以下步骤：1)选择铌箔或铌粉作为连接钛合金片与铜合金片的中间层，清洁钛合金片和铜合金片的待焊面；2)将铌中间层置于钛合金片与铜合金片之间，整体放入石墨模具中，然后将石墨模具移入真空焊接炉内，并施加0.5～2MPa的预压力压实；3)对真空焊接炉抽真空，当真空度大于5×10-3Pa时，开始加热，升温至700～850℃后保温30～60min，升温速率为2～10℃/min，并在保温前施加5～10MPa的轴向压力；达到保温时间后，开始降温、卸除压力并随炉冷却。该方法可实现钛合金与铜合金的高强度连接。适合于多种钛、铜合金的高强度连接。