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公开(公告)号：CN112759372A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110211438.4
申请日：2021-02-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/638 , B33Y10/00 , B33Y70/10
Abstract: 一种3D打印高固相含量低温共烧氧化铝陶瓷复杂结构的方法，本发明涉及一种3D打印氧化铝陶瓷复杂结构的方法。解决现有高固相含量氧化铝陶瓷浆料需要对浆料的pH进行调节，制备的浆料稳定性较差，难以长时间存放，难以实现高速、高精度直写式3D打印的问题。方法：一、称取；二、有机胶体制备；三、氧化铝粉与陶瓷玻璃粉的混合；四、制备浆料；五、加热3D打印；六、干燥、排胶及烧结。本发明用于3D打印高固相含量低温共烧氧化铝陶瓷复杂结构。
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公开(公告)号：CN110791674B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201911106733.2
申请日：2019-11-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种难熔碳化物颗粒增强钨渗铜复合材料的制备方法，属于钨渗铜复合材料技术领域。本申请解决了现有过渡金属碳化物和硼化物之间具有较低的固溶度，很难制备得到过渡金属碳硼化物的问题。本发明将钨粉和过渡金属碳化物粉体配置成浆料，经过砂磨、喷雾干燥、射频等离子球化获得复合粉体。将复合粉体通过模压和冷等静压的方式获得多孔坯体，再经过排胶和高温烧结后获得多孔预制体，在1100℃～1400℃下渗入金属铜，制备出难熔碳化物颗粒增强钨渗铜复合材料。该复合材料在不降低钨渗铜材料耐烧蚀性能的基础上，进一步降低了材料的密度和热导率，同时力学性能大大提高。
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公开(公告)号：CN112341207A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011316393.9
申请日：2020-11-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/596 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B38/02
Abstract: 本发明提供了氮化硅‑氧氮化硅柱孔复相陶瓷材料及其制备方法，包括如下步骤：S1、将氮化硅粉和烧结助剂混合均匀，制备陶瓷浆料；将石英纤维分散至絮状，制备石英纤维浆料；将所述陶瓷浆料和所述石英纤维浆料混合均匀，制备复合浆料；S2、将所述复合浆料经过烘干和干压成型后，得到陶瓷生坯；将所述陶瓷生坯经过冷等静压处理后，得到陶瓷坯体；S3、将所述陶瓷坯体经过无压烧结后，得到氮化硅‑氧氮化硅柱孔复相陶瓷材料。本发明中通过以石英纤维为原料制备氮化硅‑氧氮化硅柱孔复相陶瓷材料，解决了多孔氮化硅基陶瓷材料在制备过程中收缩率高和开气孔率较低的问题。
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公开(公告)号：CN111689778A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010611802.1
申请日：2020-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/65 , C04B35/645
Abstract: 一种高致密SiBCN陶瓷材料及其制备方法，本发明涉及SiBCN陶瓷材料及其制备方法。本发明要解决现有机械合金化-热压烧结法制备SiBCN陶瓷材料的密度低，尺寸小，生产效率低的问题。一种高致密SiBCN陶瓷材料由立方晶系的硅粉、石墨粉和六方氮化硼粉制备而成。方法：称取立方晶系的硅粉、石墨粉和六方氮化硼粉，并放入球磨罐中球磨，然后热压预烧结，最后封入包套进行热等静压，即完成高致密SiBCN陶瓷材料的制备。本发明用于高致密SiBCN陶瓷材料及其制备。
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公开(公告)号：CN111593348A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010578734.3
申请日：2020-06-23
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 北京电子工程总体研究所
Abstract: 本发明提供了一种金属表面热防护涂层结构及其制备方法、复合材料。所述金属表面热防护涂层结构包括由内而外依次设置于所述金属基体表面的微弧氧化过渡层和陶瓷涂层，且所述陶瓷涂层包含由内至外热膨胀系数和热导率呈梯度下降的多个子层。本发明提供的热防护涂层结构，外层陶瓷涂层设计成热膨胀系数和热导率呈梯度变化的多层复合结构，从而降低涂层之间的热膨胀差异，缓解基体与涂层之间的界面应力，增加涂层整体结构的稳定性。另外，在金属基体与陶瓷涂层之间引入微弧氧化过渡层，也能够有效缓解金属基体与陶瓷涂层之间的应力，同时还提高了陶瓷涂层与金属基体之间的结合力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106747443B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201611030333.4
申请日：2016-11-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/624
Abstract: 本发明提供了一种溶胶凝胶法引入高温第二相碳化锆制备硅硼碳氮‑碳化锆复相陶瓷的方法，属于硅硼碳氮陶瓷基复合材料技术领域。本发明的材料以正丙醇锆、糠醇、盐酸、乙酰丙酮和乙醇为原料，溶胶凝胶引入第二相所占硅硼碳氮的质量比为5～20：100，所述的正丙醇锆：糠醇：盐酸摩尔比为1:2:1，所述的硅粉与六方氮化硼粉体的质量比为1：0.1～1.2。方法是碳化锆前驱体溶液的制备，硅硼碳氮陶瓷复合粉末的制备，粉末前驱体的制备，粉末的制备，最后将粉末放在热压中进行热压烧结，烧结温度为1900℃，烧结时间为60min，烧结压力为60MPa，烧结气氛为氩气。溶胶凝胶所引入的前驱体碳热还原反应生成碳化锆，保持了硅硼碳氮基体的性能。
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公开(公告)号：CN110655408A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201911107663.2
申请日：2019-11-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种单相碳硼化物固溶体陶瓷材料的制备方法，属于超硬陶瓷材料技术领域。本申请解决了现有过渡金属碳化物和硼化物之间具有较低的固溶度，很难制备得到过渡金属碳硼化物的问题。本发明采用高能球磨的方式，将过渡金属碳化物、硼化物制成复合粉体，然后采用放电等离子烧结或者热压烧结的方式制备得到超硬碳硼化物陶瓷烧结体。本方法利用高能球磨能够拓宽碳化物在硼化物中的固溶度极限，解决了过渡金属碳化物和硼化物之间具有较低的固溶度的问题，且球磨后的复合粉体之间的固溶强化作用使得烧结体强度和硬度得到明显提升；同时高能球磨使粉体粒径细化，可以有效地降低烧结温度。
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公开(公告)号：CN110330341A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910672902.2
申请日：2019-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/626
Abstract: 一种高纯超细过渡金属碳化物单相高熵陶瓷粉体及其制备方法，本发明属于超硬陶瓷材料技术领域，具体涉及一种高熵陶瓷粉体制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的多组元碳化物高熵陶瓷材料存在氧含量和残余碳含量高，纯度低，粒度大和球形度差的问题。高纯超细过渡金属碳化物单相高熵陶瓷粉体的化学式为(Hfx1Nbx3Tax4Tix2Mx5)C。方法：一、称料；二、混合；三、煅烧。本发明制备的高纯超细过渡金属碳化物单相高熵陶瓷粉体具有颗粒度小，含氧量低和自由碳含量低的优点。本发明可获得一种高纯超细过渡金属碳化物单相高熵陶瓷粉体。
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公开(公告)号：CN106518087B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201611016929.9
申请日：2016-11-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/634
Abstract: 本发明提供了一种以聚硅硼氮烷为添加剂的硅硼碳氮陶瓷的制备方法，属于硅硼碳氮陶瓷制备方法技术领域。步骤一、按摩尔比和质量百分比称取立方硅粉、六方氮化硼粉、石墨粉和PBSZ作为原料备用；步骤二、将步骤一称取的原料装入球磨罐中，在氩气气氛保护下进行高能球磨即获得含有非晶Si‑B‑C‑N的陶瓷粉末；其中球料质量比为10～90:1，磨球直径为5～9mm，球磨时间为10～60h；步骤三、将步骤二获得的非晶Si‑B‑C‑N陶瓷粉末与PBSZ混合，在氩气气氛保护下进行球磨即获得SiBCN复合粉末；其中球料比为1～20:1，磨球直径为5～9mm，球磨时间为10～30h；步骤四、将步骤三获得的SiBCN复合粉末进行放电等离子烧结即获得以PBSZ为添加剂的Si‑B‑C‑N陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN109943786A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910374608.3
申请日：2019-05-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于选区激光熔化3D打印制备钛基纳米复合材料的方法，涉及一种制备钛基纳米复合材料的方法。目的是解决钛及钛基复合材料的切削加工性差的问题。制备：球磨制备复合粉末，复合粉末中B4C粉末的含量为(0.5～1)wt％；利用选区激光熔化3D打印成形。本发明制备的复合材料质量轻，热力学稳定性高，强度高且耐磨性好，成形过程无需工装夹具或模具，易于实现“近净成形”，可以在短时间内大量制备，原材料来源广泛。制备的复合材料基体晶粒显著细化，原位生成的完全纳米级TiB晶须呈弥散状分布在基体晶粒边界，对复合材料起到了明显的强化效果，力学性能显著提升。本发明适用于3D打印制备钛基纳米复合材料。
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