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公开(公告)号：CN116969774B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202310984549.8
申请日：2023-08-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/58 , C04B35/195 , C04B35/622
Abstract: 一种高温耐烧蚀的短切碳纤维增强SiBCN‑MAS复合材料的制备方法，它涉及SiBCN陶瓷基复合材料的制备方法。本发明要解决现有碳纤维或裂解碳涂层碳纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料存在触面结合力差，且高温耐烧蚀性提升程度有限的问题。方法：一、制备裂解碳涂层短切碳纤维；二、制备SiBCN非晶陶瓷粉末；三、混合原料；四、烧结。本发明用于高温耐烧蚀的短切碳纤维增强SiBCN‑MAS复合材料的制备。
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公开(公告)号：CN117430427A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311358221.1
申请日：2023-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/5835 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 一种耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备方法，它涉及SiBCN复相陶瓷的制备方法。本发明要解决现有SiBCN陶瓷难以制备得到致密的块体陶瓷，且其介电常数和介电损耗相对较高的问题。方法：一、浆料制备；二、先驱体浆料固化；三、陶瓷热解；四、热处理。本发明用于耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备。
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公开(公告)号：CN111196726B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010025977.4
申请日：2020-01-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种SiBCN‑Ta4HfC5复相陶瓷及其制备方法，所述制备方法包括：制备Ta4HfC5单相纳米晶粉体；将所述Ta4HfC5单相纳米晶粉体、六方氮化硼、立方硅粉和石墨混合后进行高能球磨，得到非晶‑纳米晶复合粉体；将所述非晶‑纳米晶复合粉体进行烧结，即制得SiBCN‑Ta4HfC5复相陶瓷。本发明通过两步机械合金化将Ta4HfC5作为添加相引入SiBCN系列陶瓷中，超高温相Ta4HfC5以纳米晶的形式均匀分散于非晶的SiBCN基体当中，提高了复相陶瓷的力学和耐高温性能，使其在可在更高的温度下服役。
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公开(公告)号：CN111960827A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010876714.4
申请日：2020-08-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种多元BCN系高熵陶瓷粉体及其制备方法，涉及陶瓷粉体材料技术领域，所述多元BCN系高熵陶瓷粉体的制备方法，包括：将非金属陶瓷粉体与过渡金属均匀混合后经高能球磨后得到多元BCN系高熵陶瓷粉体。与现有技术比较，本发明一种多元BCN系高熵陶瓷粉体制备方法操作简单，可在常温下制备出具有单相面心立方结构的高熵陶瓷粉体，避免了其他制备工艺需要高温处理的步骤，且晶粒尺寸在5-20nm，粉体纯度高，同时具有较高的热稳定性，其中四元、五元高熵陶瓷粉体在1300℃保温30min仍可保持晶粒细小的单相固溶体结构。
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公开(公告)号：CN111196726A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN202010025977.4
申请日：2020-01-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种SiBCN-Ta4HfC5复相陶瓷及其制备方法，所述制备方法包括：制备Ta4HfC5单相纳米晶粉体；将所述Ta4HfC5单相纳米晶粉体、六方氮化硼、立方硅粉和石墨混合后进行高能球磨，得到非晶-纳米晶复合粉体；将所述非晶-纳米晶复合粉体进行烧结，即制得SiBCN-Ta4HfC5复相陶瓷。本发明通过两步机械合金化将Ta4HfC5作为添加相引入SiBCN系列陶瓷中，超高温相Ta4HfC5以纳米晶的形式均匀分散于非晶的SiBCN基体当中，提高了复相陶瓷的力学和耐高温性能，使其在可在更高的温度下服役。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118125850A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410266780.8
申请日：2024-03-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 一种短切KD‑SA型SiC纤维增强SiBCN‑MAS陶瓷的方法，它涉及SiBCN‑MAS陶瓷的制备方法。方法：一、制备具有BN涂层的SiC纤维；二、SiBCN‑MAS非晶粉体与纤维混合；三、制备SiCf/SiBCN‑MAS复合材料。本发明用于短切KD‑SA型SiC纤维增强SiBCN‑MAS陶瓷。
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公开(公告)号：CN111689778B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202010611802.1
申请日：2020-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/65 , C04B35/645
Abstract: 一种高致密SiBCN陶瓷材料及其制备方法，本发明涉及SiBCN陶瓷材料及其制备方法。本发明要解决现有机械合金化‑热压烧结法制备SiBCN陶瓷材料的密度低，尺寸小，生产效率低的问题。一种高致密SiBCN陶瓷材料由立方晶系的硅粉、石墨粉和六方氮化硼粉制备而成。方法：称取立方晶系的硅粉、石墨粉和六方氮化硼粉，并放入球磨罐中球磨，然后热压预烧结，最后封入包套进行热等静压，即完成高致密SiBCN陶瓷材料的制备。本发明用于高致密SiBCN陶瓷材料及其制备。
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公开(公告)号：CN111960827B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010876714.4
申请日：2020-08-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种多元BCN系高熵陶瓷粉体及其制备方法，涉及陶瓷粉体材料技术领域，所述多元BCN系高熵陶瓷粉体的制备方法，包括：将非金属陶瓷粉体与过渡金属均匀混合后经高能球磨后得到多元BCN系高熵陶瓷粉体。与现有技术比较，本发明一种多元BCN系高熵陶瓷粉体制备方法操作简单，可在常温下制备出具有单相面心立方结构的高熵陶瓷粉体，避免了其他制备工艺需要高温处理的步骤，且晶粒尺寸在5‑20nm，粉体纯度高，同时具有较高的热稳定性，其中四元、五元高熵陶瓷粉体在1300℃保温30min仍可保持晶粒细小的单相固溶体结构。
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公开(公告)号：CN111217610A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201910532639.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供了一种纳米晶碳化钽增强硅硼碳氮复相陶瓷材料及其制备方法，上述制备方法包括以下步骤：S1：制备纳米晶碳化钽粉体；S2：按照预设比例将所述纳米晶碳化钽粉体、六方氮化硼、立方硅粉和石墨混合，后高能球磨，得到复合粉体；S3：将复合粉体热压烧结，制得纳米晶碳化钽增强硅硼碳氮复相陶瓷材料。本发明以硅硼碳氮陶瓷为基体，添加碳化钽增强相制备成纳米晶碳化钽增强硅硼碳氮复相陶瓷材料，超高温相碳化钽颗粒以纳米晶的形式均匀分散于非晶的硅硼碳氮基体当中，可起到钉扎裂纹扩展的作用，提高硅硼碳氮陶瓷的力学性能，同时碳化钽的超高温性质对硅硼碳氮陶瓷进行补强，提高复相陶瓷材料的耐高温性能，使其在可在更高的温度下服役。
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公开(公告)号：CN104529468A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510038676.4
申请日：2015-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 石墨烯增强硅硼碳氮陶瓷复合材料及其制备方法。本发明涉及石墨烯增强硅硼碳氮陶瓷复合材料及其制备方法。本发明是为解决现有的硅硼碳氮陶瓷复合材料强度低、韧性差、热震及烧蚀机理不明的问题。产品：按体积份数由90～99份SiBCN非晶粉末和1～10份石墨烯制成。方法：一、将硅粉、石墨和六方氮化硼加入到球磨机中，在氩气保护下进行球磨，得到SiBCN非晶粉末；二、将SiBCN非晶粉末和石墨烯球磨混合均匀得到混合粉体；三、将混合粉体进行放电等离子烧结，得到石墨烯增强硅硼碳氮陶瓷复合材料。
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