基于各向异性反射型电磁超表面的宽带交叉极化转变器

    公开(公告)号:CN108134210A

    公开(公告)日:2018-06-08

    申请号:CN201711386307.X

    申请日:2017-12-20

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 基于各向异性反射型电磁超表面的宽带交叉极化转变器,涉及交叉极化转变器。由3层光学材料组成,依次为一维金属光栅、印刷电路板和金属膜。所述方法包括如下步骤:(1)入射波:频率在8.7~13.2GHz范围内的线极化波,正入射或斜入射到金属光栅上。(2)反射波:从交叉极化转变器的反射的波既是所需的反射极化波。基于各向异性反射型电磁超表面的宽带交叉极化转变器的各向异性反射在较高的入射角下也能产生,并且可以通过改变几何尺寸进行调整。此外,所提出的交叉极化转变器在微波仪器,波前处理和偏振分量等许多潜在应用中具有带宽较宽、效率高等优点。

    一种基于各向同性陶瓷超构材料的高效率宽带反射镜

    公开(公告)号:CN107807416A

    公开(公告)日:2018-03-16

    申请号:CN201711141468.2

    申请日:2017-11-16

    Applicant: 厦门大学

    CPC classification number: G02B1/002 G02B5/08

    Abstract: 一种基于各向同性陶瓷超构材料的高效率宽带反射镜,涉及反射镜。由单层周期性排列的立方体介质块组成,单层周期性排列的立方体介质块的尺寸相同。立方体介质块的基底媒质使用石英或硅;所述立方体介质块采用TiO2立方块,其宽度和厚度为30μm,周期为33μm。工作方法为入射波:频率在0.83~0.96THz范围内的线极化波,正入射或斜入射到介质层表面上;反射波:被高效率宽带反射镜完全反射的电磁波。在较高的入射角下也能产生,对极化不敏感,横电和横磁波入射均可达到相同的全反射效果,可通过改变几何尺寸进行调整。所提出的高效率宽带反射镜在电磁波屏蔽,滤波器的潜在应用中具有带宽较宽,制作工艺简单,损耗小,效率高。

    基于时域伪谱方法的声波方程逆时偏移成像方法

    公开(公告)号:CN106932820A

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201710316414.9

    申请日:2017-05-08

    Applicant: 厦门大学

    CPC classification number: G01V1/28 G01V2210/512

    Abstract: 基于时域伪谱方法的声波方程逆时偏移成像方法,涉及地球物理勘探。根据初始模型的具体情况结合现有计算资源状况,合理划分炮孔径及炮间距,利用计算资源、计算时间和精度,设定每炮的间距相同、炮孔径相同、震源位置及深度相同;对每一炮执行处理;所有炮单独处理完毕后,把所有炮的成像结果按具体划分情况,依次进行叠加,形成整体成像结果;在成像结果上应用高通滤波器对低频噪声进行过滤,提高成像分辨率。数值仿真是逆时偏移成像的最重要组成部分。逆时偏移成像需要对双程波动方程进行波场延拓,求解过程中需要同时实现震源波场和检波器波场的数值迭代和互相关,这都需要使用某种数值方法来具体实现。

    变容二极管加载的电控可调波导口负载阻抗匹配器

    公开(公告)号:CN104836004B

    公开(公告)日:2017-06-23

    申请号:CN201510288123.4

    申请日:2015-05-29

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 变容二极管加载的电控可调波导口负载阻抗匹配器,涉及波导口阻抗匹配器。从上至下设有正面金属结构层、第一介质层、全金属反射短路层、第二介质层、背面馈电线路层;正面金属结构层设有上下方形金属环组,各金属环的左右对边中心处均设有开口,开口两端接变容二极管,相邻金属环的顶端之间和底端之间均设有隔直电阻;在上下方形金属环组的最左边下方形金属环的左上角处分别设有上左馈电引线孔,在上下方形金属环组的最右边下方形金属环的右下角处分别设有上右馈电引线孔;在背面馈电线路层上设有下左馈电引线孔和稳压电源正极馈电线,在背面馈电线路层上设有下右馈电引线孔和稳压电源负极馈电线,稳压电源正负极馈电线的中部断开并用电阻连接。

    基于DBIM的瞬变电磁电导率反演方法

    公开(公告)号:CN106405665A

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201611014585.8

    申请日:2016-11-18

    Applicant: 厦门大学

    CPC classification number: G01V3/38

    Abstract: 基于DBIM的瞬变电磁电导率反演方法,涉及地球物理勘探。包括以下步骤:1)读取观测数据;2)建立初始模型;3)更新模型参数;4)计算模型场值;5)计算误差;6)计算Frechet导数;7)计算更新量;8)判断收敛条件。从瞬变电磁的频谱信息出发,只要提取接收信号的准确频谱信息,就可以进行反演。基于DBIM方法建立迭代反演过程,最后反演的结果能很好与实际数据相吻合,可以大大提高瞬变电磁系统的计算速度和反演精度。不仅适用于半航空瞬变电磁系统,而且适用于全航空瞬变电磁系统。

    具有陷波特性的平面三叉戟形超宽带天线

    公开(公告)号:CN106299665A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610842655.2

    申请日:2016-09-23

    Applicant: 厦门大学

    CPC classification number: H01Q1/38 H01Q1/48 H01Q1/50 H01Q15/0053

    Abstract: 具有陷波特性的平面三叉戟形超宽带天线,涉及超宽带天线。设有上层平面金属结构和下层介质基板;所述上层平面金属结构包括共面波导信号馈电带线、共面波导接地面、天线辐射单元和一对L型开路枝节;在共面波导信号馈电带线与天线辐射单元之间设有一段二阶阶梯状传输结构;所述一对L型开路枝节与共面波导接地面相接,一对L型开路枝节对称分布于共面波导信号馈电带线两侧。工作频段范围广,损耗低,辐射特性好,结构简单,易于加工。辐射单元被设计成叉子的形状,缩小了天线的体积。能够通过改变L型开路枝节的长度,从而调整所需陷波频段范围。

    基于超材料结构的石墨烯光探测器

    公开(公告)号:CN105870226A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610387460.3

    申请日:2016-06-02

    Applicant: 厦门大学

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/09 H01L31/028 H01L31/1804

    Abstract: 基于超材料结构的石墨烯光探测器,涉及光探测器。提供一种可实现超宽带吸收的功能的基于超材料结构的石墨烯光探测器。为叠层结构,从上至下在垂直方向上依次为金属层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层-介质层-石墨烯层结构;在水平方向上,石墨烯层和介质层均采用栅状条块,条块周期排列,在每层石墨烯层上加偏置电压,用于改变石墨烯的折射率,从而动态调控每石墨烯层的空间反射率,进而调控整个结构的空间吸收率。

    基于纳米压印工艺的可见与近红外光吸收体及其加工方法

    公开(公告)号:CN104849783A

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201510249705.1

    申请日:2015-05-15

    Applicant: 厦门大学

    CPC classification number: G02B5/003

    Abstract: 基于纳米压印工艺的可见与近红外光吸收体及其加工方法,涉及电磁波吸收体。所述基于纳米压印工艺的可见与近红外光吸收体为3层结构,从下至上依次为衬底、金属层和介电层,在介电层上设有金属微纳阵列。1)在衬底上蒸镀金属层,在金属层上沉积介电层;2)在步骤1)所得的介电层上制备双层胶膜,所述双层胶膜由正性光刻胶底层和纳米压印胶顶层组成;3)将步骤2)中所得的基片置于纳米压印设备里,利用中间聚合物模板压印,然后脱模,得到压印图形;4)利用等离子刻蚀去除压印残留的纳米压印胶,利用正胶显影液浸泡去除露在外面的正性光刻胶;5)在步骤4)的基片上蒸镀一层金属材料;6)去除多余的双层胶膜,得到金属微纳阵列。

    变容管加载的可重构带阻滤波器

    公开(公告)号:CN104377411A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201410704683.9

    申请日:2014-11-27

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 变容管加载的可重构带阻滤波器,涉及微波滤波器。设有介质基板,在介质基板上表面设有平面微带电路,下表面设有接地金属层;在平面微带电路上一侧两端分别设有左、右主传输微带,在左、右主传输微带之间设有中主传输微带;在左与中主传输微带之间串联左隔直电容,在右与中主传输微带之间串联右隔直电容,在左、右主传输微带的端部设有左、右馈电接头;在中主传输微带两端设有左、右支节谐振器,左支节谐振器一端与中主传输微带左端之间加载左变容二极管,右支节谐振器一端与中主传输微带右端之间加载右变容二极管,左支节谐振器另一端串接左电感,右支节谐振器另一端串接右电感,左、右电感外接左、右反向偏置电压;中主传输微带串接中电感。

Patent Agency Ranking