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公开(公告)号：CN105068278B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201510591902.1
申请日：2015-09-17
Applicant: 厦门大学
IPC: G02F1/03
Abstract: 基于石墨烯的空间电光调制器，涉及电光调制器。为5层结构，从上至下依次设有上银层、上六方氮化硼层、石墨烯单原子层、下六方氮化硼层和下银层；上银层上设有至少1条缝隙。上银层、上六方氮化硼层、石墨烯单原子层、下六方氮化硼层和下银层的长度均可为200～300nm，宽度均可为140～170nm；上银层的厚度为10～30nm；缝隙的宽度可为5～20nm，上六方氮化硼层的厚度为1nm，石墨烯单原子层的厚度为0.3～0.8nm，下六方氮化硼层的厚度可为15～50nm，下银层的厚度为100～2000nm；总厚度为126.3～281.8nm。尺寸小、操作电压低、调制速度快、工作频带宽。
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公开(公告)号：CN104836004B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510288123.4
申请日：2015-05-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01P5/08
Abstract: 变容二极管加载的电控可调波导口负载阻抗匹配器，涉及波导口阻抗匹配器。从上至下设有正面金属结构层、第一介质层、全金属反射短路层、第二介质层、背面馈电线路层；正面金属结构层设有上下方形金属环组，各金属环的左右对边中心处均设有开口，开口两端接变容二极管，相邻金属环的顶端之间和底端之间均设有隔直电阻；在上下方形金属环组的最左边下方形金属环的左上角处分别设有上左馈电引线孔，在上下方形金属环组的最右边下方形金属环的右下角处分别设有上右馈电引线孔；在背面馈电线路层上设有下左馈电引线孔和稳压电源正极馈电线，在背面馈电线路层上设有下右馈电引线孔和稳压电源负极馈电线，稳压电源正负极馈电线的中部断开并用电阻连接。
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公开(公告)号：CN104849783A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510249705.1
申请日：2015-05-15
Applicant: 厦门大学
IPC: G02B5/00
CPC classification number: G02B5/003
Abstract: 基于纳米压印工艺的可见与近红外光吸收体及其加工方法，涉及电磁波吸收体。所述基于纳米压印工艺的可见与近红外光吸收体为3层结构，从下至上依次为衬底、金属层和介电层，在介电层上设有金属微纳阵列。1)在衬底上蒸镀金属层，在金属层上沉积介电层；2)在步骤1)所得的介电层上制备双层胶膜，所述双层胶膜由正性光刻胶底层和纳米压印胶顶层组成；3)将步骤2)中所得的基片置于纳米压印设备里，利用中间聚合物模板压印，然后脱模，得到压印图形；4)利用等离子刻蚀去除压印残留的纳米压印胶，利用正胶显影液浸泡去除露在外面的正性光刻胶；5)在步骤4)的基片上蒸镀一层金属材料；6)去除多余的双层胶膜，得到金属微纳阵列。
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公开(公告)号：CN103035010A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210571961.9
申请日：2012-12-24
Applicant: 厦门大学
IPC: G06T7/00
Abstract: 一种数字图像轮廓提取方法，涉及一种数字图像处理技术。1）观察被分割图像，初始化曲线；2）初始化速度演化函数，得到速度演化图像V；3）对步骤1）得到的初始化二值图像A进行膨胀操作，得到图像E，E是膨胀所得的图像，B为3×3的结构元素，该结构元素的值；4）更新水平集函数，即更新二值图像A；5）返回步骤3）继续操作。针对FPGA的特点，提出基于形态水平集的轮廓提取算法，不需浮点运算且对每个像素采用并行方式计算；采用Handel-C语言，比传统硬件描述语言快速高效；图像处理子模块中的Dilation和Erosion子模块，采用改进结构的电路，使得只要扫描图像一遍就能得到整个模板操作的图像效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105068278A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510591902.1
申请日：2015-09-17
Applicant: 厦门大学
IPC: G02F1/03
CPC classification number: G02F1/0311
Abstract: 基于石墨烯的空间电光调制器，涉及电光调制器。为5层结构，从上至下依次设有上银层、上六方氮化硼层、石墨烯单原子层、下六方氮化硼层和下银层；上银层上设有至少1条缝隙。上银层、上六方氮化硼层、石墨烯单原子层、下六方氮化硼层和下银层的长度均可为200～300nm，宽度均可为140～170nm；上银层的厚度为10～30nm；缝隙的宽度可为5～20nm，上六方氮化硼层的厚度为1nm，石墨烯单原子层的厚度为0.3～0.8nm，下六方氮化硼层的厚度可为15～50nm，下银层的厚度为100～2000nm；总厚度为126.3～281.8nm。尺寸小、操作电压低、调制速度快、工作频带宽。
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公开(公告)号：CN104836004A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510288123.4
申请日：2015-05-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01P5/08
Abstract: 变容二极管加载的电控可调波导口负载阻抗匹配器，涉及波导口阻抗匹配器。从上至下设有正面金属结构层、第一介质层、全金属反射短路层、第二介质层、背面馈电线路层；正面金属结构层设有上下方形金属环组，各金属环的左右对边中心处均设有开口，开口两端接变容二极管，相邻金属环的顶端之间和底端之间均设有隔直电阻；在上下方形金属环组的最左边下方形金属环的左上角处分别设有上左馈电引线孔，在上下方形金属环组的最右边下方形金属环的右下角处分别设有上右馈电引线孔；在背面馈电线路层上设有下左馈电引线孔和稳压电源正极馈电线，在背面馈电线路层上设有下右馈电引线孔和稳压电源负极馈电线，稳压电源正负极馈电线的中部断开并用电阻连接。
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公开(公告)号：CN204575880U
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201520316108.1
申请日：2015-05-15
Applicant: 厦门大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 一种基于纳米压印工艺的可见与近红外光吸收体，涉及电磁波吸收体。本实用新型为3层结构，从下至上依次为衬底、金属层和介电层，在介电层上设有金属微纳阵列。所述衬底采用单面抛光硅片。所述金属层可采用金层或银层；所述金属层的厚度可大于100nm。所述介电层采用介电氧化物层，所述介电氧化物层可选自Al2O3或SiO2；所述介电层的厚度可为10～50nm。采用电子束直写技术制作的纳米压印模板，其精密程度完全可以满足器件对阵列周期以及阵列直径的要求。精确模板的使用可以很好地保证每个阵列单元的一致性。由于纳米压印技术的采用，使器件的制作成本降低，且可用于工业中的大量生产。
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公开(公告)号：CN204925542U
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201520719757.6
申请日：2015-09-17
Applicant: 厦门大学
IPC: G02F1/03
Abstract: 一种基于石墨烯的空间电光调制器，涉及电光调制器。为5层结构，从上至下依次设有上银层、上六方氮化硼层、石墨烯单原子层、下六方氮化硼层和下银层；上银层上设有至少1条缝隙。上银层、上六方氮化硼层、石墨烯单原子层、下六方氮化硼层和下银层的长度均可为200～300nm，宽度均可为140～170nm；上银层的厚度为10～30nm；缝隙的宽度可为5～20nm，上六方氮化硼层的厚度为1nm，石墨烯单原子层的厚度为0.3～0.8nm，下六方氮化硼层的厚度可为15～50nm，下银层的厚度为100～2000nm；总厚度为126.3～281.8nm。尺寸小、操作电压低、调制速度快、工作频带宽。
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公开(公告)号：CN204614913U
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201520363273.2
申请日：2015-05-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01P5/08
Abstract: 一种变容二极管加载的电控可调波导口负载阻抗匹配器，涉及波导口阻抗匹配器。从上至下设有正面金属结构层、第一介质层、全金属反射短路层、第二介质层、背面馈电线路层；正面金属结构层设有上下方形金属环组，各金属环的左右对边中心处均设开口，开口两端接变容二极管，相邻金属环顶端之间和底端之间均设隔直电阻；在上下方形金属环组的最左边下方形金属环的左上角处分别设有上左馈电引线孔，在上下方形金属环组的最右边下方形金属环的右下角处分别设有上右馈电引线孔；在背面馈电线路层上设有下左馈电引线孔和稳压电源正极馈电线，在背面馈电线路层上设有下右馈电引线孔和稳压电源负极馈电线，稳压电源正负极馈电线的中部断开并用电阻连接。
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