公开(公告)号：CN101540283A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910022016.1

申请日：2009-04-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张玉明 ,  陈丰平 ,  吕红亮 ,  郭辉 ,  贾仁需 ,  宋庆文 ,  郑庆立 ,  张义门

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283

CPC classification number: Y02P70/605

Abstract: 本发明公开了一种场限环结构的4H－SiC PiN/肖特基二极管制作方法，其过程是：在4H－SiC衬底正面生长N－外延层；在N－型外延层上采用Ni/Au金属层作为阻挡层，进行多次不同能量的Al离子注入，并在氩气环境中进行离子激活退火，形成同心环形P+区域；在4H－SiC衬底背面直接溅射Ti/Ni/Pt金属，并通过退火形成N型欧姆接触；在所述的同心环形P+区域上方溅射金属Ti/Ni/Ti/Au，并在氩气环境中退火，形成P型欧姆接触；在所述的同心环形P+区域之间的环形N－型区域上，溅射Ti/Ni/Al金属直接制作肖特基接触。本发明具有功耗小，工作效率高及工艺简单的优点，可用于大功率整流器及PFC电路的使用。

公开(公告)号：CN101540279A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910022011.9

申请日：2009-04-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  王德龙 ,  张玉明 ,  张义门 ,  程萍 ,  张睿 ,  张甲阳

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明公开了一种低界面态密度的SiC MOS电容制作方法，主要解决SiC/SiO2界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N－SiC外延材料进行清洗处理；离子注入N+离子到外延层中后，干氧氧化一层SiO2；对氧化后的样片，依次完成在Ar气环境中退火、在湿氧环境中湿氧氧化退火和在Ar气环境中的冷处理；采用化学气相淀积在冷处理后的样片上再淀积一层SiO2，并在Ar气环境中退火；通过光刻版真空溅射Al作电极，并在Ar气环境中退火，完成电容器件制作。本发明具有精确控制N+剂量，SiC/SiO2界面陷阱密度低，工艺简单的优点，可用于提高N型SiC MOS器件SiC/SiO2界面特性。

公开(公告)号：CN101335201A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810018340.1

申请日：2008-05-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  张玉明 ,  程萍 ,  张义门 ,  陈达

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种n型SiC半导体器件的欧姆接触制作方法，主要解决n型SiC材料欧姆接触退火温度高和界面上存在匹配不好的问题。其过程是：对n型SiC衬底进行预处理，并在SiC衬底上通过两次P+离子注入形成n阱；在n阱上通过四次Ge+离子注入形成SiC:Ge中间层；对SiC:Ge的中间层进行在C膜保护下的退火处理；在退火处理后的SiC:Ge的中间层淀积金属，确定电极区并制作电极。本发明具有退火温度低、比接触电阻和方块电阻低的优点，可应用于n型SiC半导体器件的欧姆接触制作。

公开(公告)号：CN101315887A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810018341.6

申请日：2008-05-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  程萍 ,  张玉明 ,  张义门 ,  廖宇龙

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法，主要解决欧姆接触的比接触电阻大的问题。其过程是：对SiC衬底进行预处理，并在SiC衬底上外延GaN重掺杂层或SiC∶Ge过渡层；在GaN重掺杂层或SiC∶Ge过渡层上确定欧姆接触区域，并对欧姆接触区域之间的GaN重掺杂或SiC∶Ge过渡层区进行KOH刻蚀，使该沟道区的SiC衬底为Si面；在欧姆接触区域上和所述沟道区的Si面上，淀积一层高介电常数的SiN材料；刻蚀掉欧姆接触区域上的SiN材料，并在该区域淀积金属，引出电极。本发明具有比接触电阻和方块电阻低，使用寿命长的优点，可用于对半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作。