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发明公开
n型SiC半导体器件欧姆接触的制作方法无效

公开(公告)号：CN101335201A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810018340.1

申请日：2008-05-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 , 张玉明 , 程萍 , 张义门 , 陈达

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种n型SiC半导体器件的欧姆接触制作方法，主要解决n型SiC材料欧姆接触退火温度高和界面上存在匹配不好的问题。其过程是：对n型SiC衬底进行预处理，并在SiC衬底上通过两次P+离子注入形成n阱；在n阱上通过四次Ge+离子注入形成SiC:Ge中间层；对SiC:Ge的中间层进行在C膜保护下的退火处理；在退火处理后的SiC:Ge的中间层淀积金属，确定电极区并制作电极。本发明具有退火温度低、比接触电阻和方块电阻低的优点，可应用于n型SiC半导体器件的欧姆接触制作。

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