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公开(公告)号：CN115332400A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210960225.6
申请日：2022-08-11
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种基于临时键合技术的Micro‑LED芯片结构的制备方法，包括以下步骤：步骤S1:在图形转移工艺前，将减薄后的蓝光/绿光外延片晶圆键合至临时衬底形成临时键合片；步骤S2:在临时键合片上制备独立的Micro‑LED芯片结构；步骤S3:在Micro‑LED芯片结构上设置结构保护层；步骤S4:剥离临时衬底，并清除减薄后的蓝光/绿光外延片衬底表面临时键合残留物；步骤S5:划裂减薄后的蓝光/绿光外延片为单颗Micro‑LED芯片，并剥离结构保护层。本发明有效的保护了Micro‑LED芯片结构的完整行，极大提升Micro‑LED芯片制备良率。
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公开(公告)号：CN111798764B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202010535535.4
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种μLED像素单元结构及显示器件，μLED显示器件在驱动背板上阵列设置有k个μLED像素单元，每个μLED像素单元包含ni个μLED芯片，以形成至少mi个μLED发光体；μLED芯片电极的设置方式包括两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧以及两个电极设置于μLED芯片的同一侧，μLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和互连失效后用于修复连接的备用区域，μLED芯片电极与驱动背板电极采用Au‑In键合、非Au‑In互连或Au‑In键合和非Au‑In互连复合的方式互连。本发明可以有效降低μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本，并提高μLED显示器件的良品率。
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公开(公告)号：CN110676283B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201910984749.7
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于纳米线的μLED显示设计方法，首先在衬底上生长能够产生红、绿、蓝三基色的不同纳米线材料，然后将不同纳米线材料分别溶于绝缘的光固化胶后分别栅格池的不同栅格中，并进行固化，最后在栅格池的上、下表面设置电极。本发明能够简化结构，提升μLED的产业效率。
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公开(公告)号：CN113219561A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110391730.9
申请日：2021-04-13
IPC: G02B3/00 , G02F1/1337 , G02F1/1339 , G02F1/1341 , G02F1/1343
Abstract: 本发明提出一种大景深复合微透镜及其制作方法，包括：微透镜阵列、液晶盒和电压驱动模块：所述液晶盒包括：可透光的第一基板和第二基板，设置于第一基板表面的第一电极，设置于第二基板表面的第二电极，以及设置第一基板和第二基板之间的液晶层、隔离子和取向层；所述微透镜阵列由若干个周期性排列的不同焦距的微透镜组成，并位于第一基板外表面；所述第一电极为包含M行×N列个同心圆孔的面电极，且每个同心圆孔电极的中心与每个微透镜中心重合；所述第二电极为平面电极；所述电压驱动模块用于在所述第一电极和所述第二电极之间施加工作电压。本发明操作简单，成本低，有效解决了现有技术中传统单一微透镜阵列的景深范围有限的问题。
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公开(公告)号：CN111724699B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010536411.8
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种NLED像素设置及修复方法。每个发光像素单元包括n个NLED芯片，每个像素单元包括至少m个NLED发光体；所述NLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和备用区域，通过Au‑In键合、非Au‑In互连或Au‑In键合和非Au‑In互连的复合方式将所述NLED芯片电极的互连区域与驱动背板像素电极的互连区域相连后，采用实时监测电极区域进行检测，在相应不良区域通过原位非Au‑In连接方式将NLED芯片电极备用区域连接到驱动背板电极的对应备用区域上以进行修复，不必去除键合和连接不可靠的NLED芯片。本发明有效地降低了LED器件的制作周期和制作成本，并且大大提高了LED显示器件的良品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111146367B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010062209.6
申请日：2020-01-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种微纳复合结构光提取膜的制备方法，包括步骤：步骤S1：采用软印刷方法制备具有有序微米结构的PDMS模板；步骤S2：将有序微米结构的PDMS模板进行拉伸，并进行等离子处理，在微米结构的PDMS模板上获得不同形状和尺寸的纳米图案，形成具有与所需微纳米复合结构相反的PDMS微纳米复合图案；步骤S3：将PDMS微纳米复合图案转移到所需聚合物上，得到光提取膜。本发明制作效率高，成本低，同时制备的光提取膜在有序微米结构图案嵌套无序纳米结构，可以避免器件衬底与空气界面的光损失，在不改变OLED器件的视角特性的同时，具有较强的光提取效果。
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公开(公告)号：CN111145636B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010070300.2
申请日：2020-01-21
Applicant: 福州大学
IPC: G09F3/02
Abstract: 本发明涉及一种双重防伪标识及其制备和识别方法，所述双重防伪标识为宏观上透明隐藏的初级图案标识，通过紫外光照观察识别，微观上该图案标识由微观点阵组成，且每个微观点阵包含随机褶皱子图案作为高级图案标识，采用带有高倍放大镜头的手机获取图像进行人工智能识别；高级防伪图案标识采用高温下无机材料填充引起高热膨胀系数聚合物应力重新分配产生随机褶皱图案制备而成，该双重防伪标识可通过软印刷进行复制，提高制作效率，降低成本，同时可采用具有不同折射率材料进行填平，保证防伪标识不可被重复制作或者复制，增加防伪性能。
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公开(公告)号：CN111769054A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010535346.7
申请日：2020-06-12
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L27/15
Abstract: 本发明涉及一种彩色μLED巨量转移方法。在不同发光颜色μLED芯片上表面修饰不同的抗体分子，在转移过渡基板或驱动背板修饰相应抗原分子，利用抗原抗体反应的特异性，将不同颜色μLED芯片同时批量转移到转移过渡基板或驱动背板，最后，将装载板上的彩色μLED芯片阵列批量转移至对应驱动背板进行焊接和封装。本发明方法可以精准实现不同发光颜色的μLED芯片的同时巨量转移，简化转移工艺，提高转移效率，同时降低μLED显示屏的生产成本。
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公开(公告)号：CN111145636A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010070300.2
申请日：2020-01-21
Applicant: 福州大学
IPC: G09F3/02
Abstract: 本发明涉及一种双重防伪标识及其制备和识别方法，所述双重防伪标识为宏观上透明隐藏的初级图案标识，通过紫外光照观察识别，微观上该图案标识由微观点阵组成，且每个微观点阵包含随机褶皱子图案作为高级图案标识，采用带有高倍放大镜头的手机获取图像进行人工智能识别；高级防伪图案标识采用高温下无机材料填充引起高热膨胀系数聚合物应力重新分配产生随机褶皱图案制备而成，该双重防伪标识可通过软印刷进行复制，提高制作效率，降低成本，同时可采用具有不同折射率材料进行填平，保证防伪标识不可被重复制作或者复制，增加防伪性能。
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公开(公告)号：CN109768027A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910085493.6
申请日：2019-01-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01L23/498 , H01L33/62 , H01L27/15 , H01L21/48 , H01L21/603 , G09F9/33
Abstract: 本发明涉及一种Micro-LED显示屏结构和制造方法，涉及显示器技术领域，包括设置于显示屏正面并由Micro-LED芯片构成的显示阵列，所述显示阵列中每一行每一列的Micro-LED芯片分别经金属线连接，且显示阵列的表面以及行和列的金属线之间分别设置有一层绝缘层；所述显示屏的背面设置有驱动芯片、金属焊盘以及若干条一端与驱动芯片相连接的背面金属走线，每条背面金属走线在功能上与正面的金属线一一对应；所述显示屏正面的的金属线和背面一一对应的背面金属走线经过孔方式连接并形成通路。有效克服Micro-LED显示屏设计制造过程的转移和键合难题。
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