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公开(公告)号：CN109244234A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810996579.X
申请日：2018-08-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供的基于平面工艺的GaAs基三维霍尔传感器，包括从下至上依次设置的衬底、缓冲过渡层和第一有源层，所述第一有源层用于平行于衬底方向磁场的传感，所述衬底的材料采用半绝缘GaAs，所述缓冲过渡层的材料采用P型重掺杂GaAs,所述第一有源层的材料采用N型掺杂GaAs，所述第一有源层设有偏置输入电极、接地电极和电压输出电极。有源区和衬底材料都采用GaAs，其体积小，且可以在更宽的温度范围(0～200℃)保证磁场传感的准确性，其磁场传感的灵敏度高于现有大多数Si基或GaAs基三维霍尔传感器。
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公开(公告)号：CN105866715B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201610170027.4
申请日：2016-03-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种线性各向异性磁阻传感器的制备方法，属于磁性材料与元器件技术领域。包括以下步骤：a)在基片上制备绝缘层，然后采用光刻工艺曝光出线性各向异性磁阻传感器的单元图形；b)采用薄膜溅射工艺并在外磁场H的作用下，在步骤1处理后的基片上依次沉积铁磁层、反铁磁层，铁磁层和反铁磁层的沉积气压为0.004Pa～0.08Pa，沉积功率为30W～50W，铁磁层的厚度为30～50nm，反铁磁层的厚度为10～15nm；c)制备各向异性磁阻传感器单元电极，得到所述线性各向异性磁阻传感器。本发明采用铁磁/反铁磁双层薄膜作为磁阻薄膜、并在超低气压氛围下溅射磁阻薄膜，可实现扩大线性各向异性磁阻传感器测量范围的目的。
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公开(公告)号：CN106252813B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201610770300.7
申请日：2016-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P3/12
Abstract: 一种自偏置的自旋波波导及其制备方法，属于自旋波器件技术领域。包括基片，依次形成于基片之上的永磁薄膜、绝缘介质薄膜、软磁薄膜和保护层形成的多层薄膜结构，所述多层薄膜结构在垂直于膜面的磁场中饱和磁化后，采用单极磁头的写入磁场局域翻转永磁薄膜的磁化方向，即可形成自偏置的自旋波波导。本发明采用垂直各向异性的永磁薄膜与软磁薄膜形成交换‑弹性结构，由于永磁薄膜上下磁畴形成的磁通使软磁薄膜中的磁矩沿磁通方向整齐排布，这样，在没有偏置磁场的情况下就能形成自旋波波导，实现了自旋波波导的自偏置；其自偏置场的大小可通过永磁材料的种类及厚度调节，有利于实现集成化的自旋波波导，为集成自旋波器件的应用打下了基础。
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公开(公告)号：CN108564978A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810359615.1
申请日：2018-04-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有冗余结构的读电路，包括第一灵敏放大器、第二灵敏放大器、第三灵敏放大器、第一磁隧道结MTJ1、第二磁隧道结MTJ2、第一晶体管T1、第二晶体管T2和表决电路；三个灵敏放大器的输入端均与存储器的片选信号端连接，三个灵敏放大器的左右分支均分别通过第一磁隧道结MTJ1和第二磁隧道结MTJ2后与第一晶体管T1和第二晶体管T2后接地，三个灵敏放大器的输出端与表决电路的输入端连接；其效果是：通过使用多个灵敏放大器进行电流读取并共用磁隧道结，即使某个灵敏放大器读取错误，通过表决电路后，错误的数据可以被屏蔽掉，从而达到降低读错率、使读取数据更加准确的目的。
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公开(公告)号：CN108389718A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810112294.5
申请日：2018-02-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种同时具有面内面外易磁化方向的磁性双层石榴石材料及其制备方法，制备方法包括在钇铁石榴石薄膜基片上制备外延石榴石磁性薄膜的步骤；其中，钇铁石榴石薄膜基片和外延石榴石磁性薄膜的易磁化方向不同。本发明采用面内易磁化的石榴石磁性材料作为外延薄膜材料，并通过液相外延法、磁控溅射法或脉冲激光沉积法制备在钇铁石榴石薄膜基片上，从而增强YIG面外磁矩分量，最终制备得到同时具有面内面外易磁化方向的磁性双层石榴石材料；制备方法简单且多样化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105483613B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510834581.3
申请日：2015-11-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种X射线成像探测用微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏的制备方法，采用真空热蒸镀工艺制备微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏，包括以下步骤：(a)清洗衬底，洗净后置于热风循环干燥箱内烘干备用；(b)利用真空热蒸镀工艺在光学玻璃衬底上制备具有连续致密微晶柱结构的微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏；(c)薄膜闪烁屏制备完成后在氩气环境中静置10～12小时，再取出存储在热风循环干燥箱内，本发明制备工艺简单、费用低廉，制备的薄膜样品连续致密、与衬底的附着性好且成像质量良好，不仅可以克服传统的闪烁块材体积大、空间分辨率低的缺陷，还为闪烁成像探测器的集成化提供了一种有效手段。
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公开(公告)号：CN105845822B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201610173054.7
申请日：2016-03-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种调节巨磁电阻薄膜线性区域的方法，属于磁性材料与元器件技术领域。采用薄膜溅射工艺并在外磁场H的作用下，依次在基片上沉积第一反铁磁层/第一铁磁层/第一非磁性层/第二铁磁层/第二非磁性层/第三铁磁层/第二反铁磁层作为巨磁电阻薄膜，第三铁磁层和第二反铁磁层的溅射气压为0.004‑0.08Pa，溅射功率为30‑50W，第三铁磁层的厚度为8‑12nm，第二反铁磁层的厚度为10‑18nm。本发明在超低气压下溅射巨磁电阻薄膜探测层中的铁磁层和反铁磁层，在不减薄铁磁层厚度的条件下，使铁磁层FM2/反铁磁层AF2产生不同大小的交换偏置场，进而在不损失巨磁电阻变化率的条件下实现对巨磁电阻薄膜线性区域的调整。
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公开(公告)号：CN105175010B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201510587454.8
申请日：2015-09-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种溶胶凝胶法制备金红石二氧化钛纳米薄膜的方法，属于薄膜制备技术领域。首先以钛酸四丁酯(Ti(OBu)4)为溶质，单乙醇氨、乙二醇甲醚和丙酮的混合液为溶剂，配制钛酸四丁酯的浓度为0.1～1mol/L的前驱体溶液，其中，单乙醇氨、乙二醇甲醚和丙酮的体积比为1：1：0.5；然后加入乙酰丙酮作为螯合剂、丙三醇作为增粘剂，搅拌，得到透明均匀的溶胶；最后经过旋涂和高温烧结，在硅片上得到金红石二氧化钛纳米薄膜。本发明方法具有成本低廉、工艺简单、重复性好、可大规模制造的优点。
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公开(公告)号：CN107201500A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710427848.6
申请日：2017-06-08
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C23C14/0694 , C23C14/24 , C23C16/402 , C23C28/04
Abstract: 本发明公开了一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜及其制备方法，属于闪烁体探测器技术领域。本发明首选采用真空热蒸镀法在衬底上镀制掺铊碘化铯薄膜，然后采用等离子体增强化学气相沉积法在掺铊碘化铯薄膜表面制备纳米级别的二氧化硅薄膜，致密的二氧化硅薄膜能够有效阻止空气中水分子进入掺铊碘化铯薄膜，能够克服掺铊碘化铯薄膜容易潮解的缺陷，避免了潮解对掺铊碘化铯薄膜的光转换效率和空间分辨率等性能指标的影响提高了薄膜的抗潮解能力和使用寿命。另外，本发明处理过程简单，薄膜附着牢固，有利于实际生产应用。
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公开(公告)号：CN105112982B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510446009.X
申请日：2015-07-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种用于制备片状电磁噪声抑制材料的磁性孔洞基片及其制备方法，所述磁性孔洞基片包括铁基底和铁基底上的多孔层，多孔层为具有纳米级孔洞的碳包覆四氧化三铁，孔径为50～150nm，可通过电镀工艺在所述孔洞中沉积铁磁纳米线作为片状电磁噪声抑制材料。制备方法为：首先将干净的铁片进行阳极氧化处理，然后在葡萄糖的乙醇溶液中浸泡8～12h，烘干，最后在氩气气氛中400～600℃退火2～4h。本发明采用磁性材料作为孔洞基片材料，增强了沉积在孔洞中的磁性纳米线之间的铁磁耦合作用，具有良好的噪声吸收性能，吸收频率可达到10GHz以上；且易实现微型化、集成化，可满足高频、宽频带范围内对电磁噪声抑制的需求。
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