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公开(公告)号：CN105463379B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201510836860.3
申请日：2015-11-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种CsI:Tl闪烁薄膜直接集成可见光探测器的方法，在可见光探测器件的硅表面上直接制备连续的CsI:Tl薄膜闪烁屏，包括以下步骤：保护可见光探测器件、清洗可见光探测器件表面、利用真空热蒸镀方式在可见光探测器的硅感光表面上制备CsI:Tl薄膜闪烁屏、先在真空环境中静置后再存储于热风循环干燥箱内；本发明制备工艺简单、费用低廉，无需利用粘合剂粘合或透镜耦合等手段耦合闪烁薄膜和可见光探测器，直接在可见光探测器的硅感光表面制备CsI:Tl闪烁薄膜，不仅可以避免以上耦合手段带来的转换荧光的损耗，提高光产额，还减小了探测器设备的体积，对集成化X射线成像探测器的开发具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107164734A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710427438.1
申请日：2017-06-08
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/0694 , C23C14/18
Abstract: 本发明公开了一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜及其制备方法，属于闪烁体探测器技术领域。本发明通过采用真空热蒸镀法在衬底上先后镀制掺铊碘化铯薄膜和纳米级别的铝膜，由于铝膜在潮湿空气中会形成致密的铝氧化物，有效阻止空气中水分子进入掺铊碘化铯薄膜，因此本发明能够克服掺铊碘化铯薄膜容易潮解的缺陷，避免了潮解对掺铊碘化铯薄膜的光转换效率和空间分辨率等性能指标的影响；铝膜具有附着能力强、质硬耐磨等优势，能够有效地避免掺铊碘化铯薄膜受到损伤；另外，本发明制备工艺简单可控、成本低廉，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN105483613A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510834581.3
申请日：2015-11-25
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C23C14/0694 , C23C14/021 , C23C14/24
Abstract: 本发明提供一种X射线成像探测用微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏的制备方法，采用真空热蒸镀工艺制备微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏，包括以下步骤：(a)清洗衬底，洗净后置于热风循环干燥箱内烘干备用；(b)利用真空热蒸镀工艺在光学玻璃衬底上制备具有连续致密微晶柱结构的微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏；(c)薄膜闪烁屏制备完成后在氩气环境中静置10～12小时，再取出存储在热风循环干燥箱内，本发明制备工艺简单、费用低廉，制备的薄膜样品连续致密、与衬底的附着性好且成像质量良好，不仅可以克服传统的闪烁块材体积大、空间分辨率低的缺陷，还为闪烁成像探测器的集成化提供了一种有效手段。
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公开(公告)号：CN105483613B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510834581.3
申请日：2015-11-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种X射线成像探测用微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏的制备方法，采用真空热蒸镀工艺制备微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏，包括以下步骤：(a)清洗衬底，洗净后置于热风循环干燥箱内烘干备用；(b)利用真空热蒸镀工艺在光学玻璃衬底上制备具有连续致密微晶柱结构的微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏；(c)薄膜闪烁屏制备完成后在氩气环境中静置10～12小时，再取出存储在热风循环干燥箱内，本发明制备工艺简单、费用低廉，制备的薄膜样品连续致密、与衬底的附着性好且成像质量良好，不仅可以克服传统的闪烁块材体积大、空间分辨率低的缺陷，还为闪烁成像探测器的集成化提供了一种有效手段。
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公开(公告)号：CN107201500A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710427848.6
申请日：2017-06-08
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C23C14/0694 , C23C14/24 , C23C16/402 , C23C28/04
Abstract: 本发明公开了一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜及其制备方法，属于闪烁体探测器技术领域。本发明首选采用真空热蒸镀法在衬底上镀制掺铊碘化铯薄膜，然后采用等离子体增强化学气相沉积法在掺铊碘化铯薄膜表面制备纳米级别的二氧化硅薄膜，致密的二氧化硅薄膜能够有效阻止空气中水分子进入掺铊碘化铯薄膜，能够克服掺铊碘化铯薄膜容易潮解的缺陷，避免了潮解对掺铊碘化铯薄膜的光转换效率和空间分辨率等性能指标的影响提高了薄膜的抗潮解能力和使用寿命。另外，本发明处理过程简单，薄膜附着牢固，有利于实际生产应用。
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公开(公告)号：CN105463379A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510836860.3
申请日：2015-11-25
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C23C14/26 , C23C14/0694 , G01N23/04
Abstract: 本发明提供一种CsI:Tl闪烁薄膜直接集成可见光探测器的方法，在可见光探测器件的硅表面上直接制备连续的CsI:Tl薄膜闪烁屏，包括以下步骤：保护可见光探测器件、清洗可见光探测器件表面、利用真空热蒸镀方式在可见光探测器的硅感光表面上制备CsI:Tl薄膜闪烁屏、先在真空环境中静置后再存储于热风循环干燥箱内；本发明制备工艺简单、费用低廉，无需利用粘合剂粘合或透镜耦合等手段耦合闪烁薄膜和可见光探测器，直接在可见光探测器的硅感光表面制备CsI:Tl闪烁薄膜，不仅可以避免以上耦合手段带来的转换荧光的损耗，提高光产额，还减小了探测器设备的体积，对集成化X射线成像探测器的开发具有重要意义。
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