一种快恢复二极管
    111.
    实用新型

    公开(公告)号:CN211088282U

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201922050171.6

    申请日:2019-11-22

    Abstract: 本实用新型提供了一种快恢复二极管,涉及半导体技术领域。其中,快恢复二极管包括:晶圆;设置于所述晶圆上的元胞区,所述元胞区包括第一离子部和第二离子部,所述第一离子部沿预设方向间隔分布,相邻两个所述第一离子部之间设置有所述第二离子部。本申请在元胞区设置有第一离子部及第二离子部,其中,第一离子部与第二离子部可以为浓度不同的掺杂离子类型,形成第一离子部与第二离子部相间分布的主结区域,由此可兼顾第一离子部离子浓度下快恢复二极管的优势、第二离子部浓度下快恢复二极管的优势,有效改善快恢复二极管的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    功率模块及电器设备
    112.
    实用新型

    公开(公告)号:CN210628290U

    公开(公告)日:2020-05-26

    申请号:CN201921399261.X

    申请日:2019-08-26

    Abstract: 本实用新型提供了一种功率模块及电器设备,该功率模块包括:衬底,衬底的一侧为电路层;设置在电路层上的至少一个第一芯片,且每个第一芯片与电路层电连接;镶嵌在衬底上的印刷电路板,且印刷电路板外露在电路层一侧;且印刷电路板与至少一个第一芯片电连接;设置在印刷电路板的至少一个第二芯片,且每个第二芯片与所述印刷电路板电连接。在上述技术方案中,通过采用将印刷电路板镶嵌在衬底中承载芯片,方便了芯片的设置,并且通过芯片可以通过印刷电路板、衬底直接散热,提高了散热效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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