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公开(公告)号：CN113813091B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202111101191.7
申请日：2021-09-18
Applicant: 复旦大学附属中山医院青浦分院
IPC: A61F2/90
Abstract: 本发明涉及一种主动脉弓腔内修复手术中重建弓部分支动脉的支架，所述的主动脉弓腔内修复手术中重建弓部分支动脉的支架包括支架主体；所述的支架主体顶端设有左颈总动脉开窗和左锁骨下动脉开窗；所述的左颈总动脉开窗和左锁骨下动脉开窗底部通过涤纶材料分别缝制有呈“裤管形”的左颈总动脉分支和左颈总动脉分支；所述的左颈总动脉分支和左颈总动脉分支末端均通过编织型支架构建。其优点表现在：用于主动脉瘤累及左颈总动脉和左锁骨下动脉时，重建弓部分支动脉，维持分支动脉的血流灌注，改善头颈部和上肢血供情况，减少患者的缺血性并发症。
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公开(公告)号：CN115954357A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310070433.3
申请日：2023-02-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/06 , H01L21/8252
Abstract: 本发明提供了一种GaN HEMT功率器件与驱动模块的集成芯片，包括：衬底；衬底包括第一区域与第二区域；第一区域与第二区域沿第一方向依次排列；第一方向平行于衬底所在的平面；GaN HEMT功率器件与驱动模块；GaN HEMT功率器件与驱动模块分别形成于第一区域与第二区域；第一外延层与第二外延层；第一外延层与第二外延层沿远离衬底的方向上依次形成于衬底上，且位于驱动模块与衬底之间；其中，第一外延层是N+型掺杂、N‑型掺杂或N型掺杂，第二外延层是P+型掺杂。该技术方案解决了传统的GaN HEMT功率器件与驱动模块的互连方式存在的寄生电容电感的的问题，同时避免了集成之后的GaN HEMT功率器件与驱动模块，在GaN HEMT功率器件的高压应用中可能出现的背栅问题。
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公开(公告)号：CN115607342A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211121431.4
申请日：2020-09-24
Applicant: 复旦大学附属华山医院
IPC: A61F2/42
Abstract: 本发明提供了一种人工踝关节假体距骨植入件，用于安装在跟骨上，包括距骨假体本体，该距骨假体本体包括连为一体的内侧部和外侧部，内侧部的底面和外侧部的底面为相连且共面的平面，内侧部的顶面和外侧部的顶面均为球形弧面且两者的交接处形成距骨顶部凹缝，内侧部的内侧面和外侧部的外侧面均为垂直于底面的平面且两者呈开口方向朝前的夹角设置；其中，内侧部顶面的曲率半径大于外侧部顶面的曲率半径，并且内侧部顶面的最高点与底面之间的距离大于外侧部顶面的最高点与底面之间的距离。本距骨植入件符合亚洲人踝关节距骨内外侧穹隆面不对称的解剖学特点，用在踝关节置换手术中，能够避免踝关节置换手术后造成踝关节运动学异常。
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公开(公告)号：CN113283085B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110585878.6
申请日：2021-05-27
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: G06F30/20 , G16C10/00 , G16C20/10 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种选通器开关的仿真方法，包括通过划分格点的方式建立选通器开关的二维模型，根据所述二维模型的参数计算银原子氧化概率、银离子还原概率、银离子迁移概率以及银原子扩散概率，根据所述银原子氧化概率、所述银离子还原概率、所述银离子迁移概率以及所述银原子扩散概率更新银原子在所述二维模型中的占位，以实现银原子的堆积和扩散，能够直观地观察选通器在选通开关过程中银导电细丝在阻变层中的生长演化过程，从各个方面揭示了选通器开关的微观阻变过程，保证了选通器开关仿真的准确性。本发明还提供了一种选通器开关的系统。
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公开(公告)号：CN114999920A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210682332.7
申请日：2022-06-16
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种内侧墙制作方法，该方法包括：提供一衬底；衬底上形成有交替堆叠的牺牲层和沟道层；刻蚀牺牲层、沟道层和衬底以形成沿第一方向排列的若干鳍结构；形成沿第二方向排列的若干假栅结构；刻蚀每个鳍结构形成若干源/漏空腔；刻蚀每个鳍结构中牺牲层的沿第二方向上的两端，形成内墙空腔；以牺牲层为基础选择性生长电介质材料，以形成内墙；电介质材料填充于内墙空腔中；在源/漏空腔中外延源/漏层。本发明提供的技术方案通过在牺牲层的表面选择性生长电介质材料，解决了刻蚀附带损伤无法避免的问题，从而减少了附带损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113421964B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110677823.8
申请日：2021-06-18
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了1S1R型存储器集成结构的制备方法，包括制备选通器和阻变存储器，以及将所述选通器和所述阻变存储器串联。所述制备方法使用元素组成相同浓度不同的两份旋涂液和所述反溶剂分别配合使用并通过低温旋涂工艺沉积于两个柔性导电衬底，实现了所述两个柔性导电衬底的导电面覆盖的阻变层具有同种元素组成且厚度不同，然后通过所述步骤S3在不同厚度的阻变层表面分别沉积不同金属材料形成不同顶电极就能够得到选通器和阻变存储器，工艺简单且通过所述步骤S4在所述选通器的顶电极施加正向电压刺激后，将所述选通器和所述阻变存储器串联得到所述1S1R型存储器集成结构从而实现了1S1R结构的柔性集成。本发明还提供了一种1S1R型存储器集成结构。
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公开(公告)号：CN114639606A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210199870.0
申请日：2022-03-01
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种沟道的刻蚀方法，提供一待刻蚀对象，对所述待刻蚀对象一次刻蚀后，交替进行表面处理‑二次刻蚀，直至刻蚀掉所有的鳍结构的牺牲层；其中，一次刻蚀用于刻蚀掉所述若干鳍结构中当前宽度最小的鳍结构的全部牺牲层以及其它宽度更宽的鳍结构的部分牺牲层；表面处理用于在待刻蚀对象的沟道层与剩余的牺牲层的暴露在外的表面形成保护层；所述二次刻蚀用于刻蚀掉当前宽度次之的鳍结构的全部的牺牲层，以及所述保护层。本发明在传统的刻蚀工艺中加入氧化步骤，既实现了对沟道层的保护，又实现了在不同沟道宽度的刻蚀中，减少沟道层的损失量。
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公开(公告)号：CN114256075A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111437261.6
申请日：2021-11-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/788
Abstract: 本发明公开一种高速低漏电的分栅型半浮栅晶体管及其制备方法。该高速低漏电的分栅型半浮栅晶体管的衬底中形成有U形沟槽，半浮栅和控制栅均嵌入在该U形沟槽中，分离栅形成在半浮栅和控制栅上方，并且控制栅和分离栅均采用金属。能够有效提高器件集成密度，提升器件的开关速度，减小器件的漏电，降低器件工作功耗，有利于器件的后续电路设计及芯片集成。
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公开(公告)号：CN114246709A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011013804.7
申请日：2020-09-24
Applicant: 复旦大学附属华山医院
IPC: A61F2/42
Abstract: 本发明提供一种人工踝关节假体组件，包括：距骨植入件、胫骨组件和内衬块；距骨假体本体的内侧部包括相连接的内侧前部和内侧后部，外侧部包括相连接的外侧前部和外侧后部；内侧后顶圆弧面的半径等于内侧前顶圆弧面的半径；内侧后顶圆弧面的半径大于外侧前顶圆弧面的半径；内侧后顶圆弧面的半径大于外侧后顶圆弧面的半径；内弧形凹陷部的曲率半径等于内侧后顶圆弧面的半径，外弧形凹陷部的曲率半径等于外侧后顶圆弧面的半径；内弧形凹陷部的外侧壁与外弧形凹陷部的内侧壁相交处形成底部凸出边沿；内衬块的底部凸出边沿插入距骨顶部凹缝中；衬块顶面与板体底面接触。本发明的人工踝关节假体组件用于在踝关节置换手术中。
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公开(公告)号：CN113889413A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111070721.6
申请日：2021-09-13
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种环栅器件及其源漏制备方法、器件制备方法、电子设备，环栅器件的源漏制备方法，包括：形成基底上的鳍片，以及横跨所述鳍片的伪栅极，所述鳍片包括交替层叠的鳍片沟道层与鳍片牺牲层；所述鳍片沟道层包括处于所述伪栅极内侧的第一沟道层部分，以及未处于所述伪栅极内侧的第二沟道层部分；释放所述鳍片牺牲层；在所述鳍片沿沟道方向的两侧，基于所述第二沟道层部分，分别外延硅，形成硅材料层，并以所述第一沟道层部分作为环栅器件的沟道层；所述硅材料层连接所有沟道层；基于所需的源漏区域，对所述硅材料层进行刻蚀；基于剩余的硅材料层，外延锗硅体层，并在所述锗硅体层形成源极与漏极。
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