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公开(公告)号：CN114337550B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202111683063.8
申请日：2021-12-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明提供一种高隔离度混频器电路，用于对输入的信号进行下变频或者上变频处理，射频变压器将信号输入端口输入的单端信号转换为差分信号，并输出差分信号给混频器核；本振信号输入端口用于向混频器核输入本振信号；混频器核包括晶体管对，根据场晶体管对栅极和漏极间的非线性频率转移特性，完成对差分信号的下变频或者上变频处理后，输出双路信号给中频变压器；中频变压器将双路信号转换成单路信号给信号输出端口；能够实现下变频或者上变频处理的高隔离度，保证电路性能较优，采用有源结构，得到高隔离度的同时，能够获得很好的变频增益。
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公开(公告)号：CN118012220B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410411938.6
申请日：2024-04-08
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及一种基于威尔逊电流镜的SiC MOSFET有源栅极驱动电路，基于电流提供电路（1）提供驱动电流，由第一镜像电流源控制开关电路（4）、第二镜像电流源控制开关电路（5）分别检测待测试SiC MOSFET U1的源极的电压，并控制相应第一旁路电流产生电路（2）、第二旁路电流产生电路（3）分别工作，进而对待测试SiC MOSFET U1实现驱动；设计方案在开通和关断过程中设计切入栅极驱动电路的旁路威尔逊电流镜，用于加快开关过程中的栅源电压（#imgabs0#）变化速度，从而在不影响漏源电压（#imgabs1#）、漏极电流（#imgabs2#）过冲的情况下加快开关速度，从而达到减小开关损耗的目的。
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公开(公告)号：CN118198115A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410622788.3
申请日：2024-05-20
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，公开了一种高压低功耗SOI LIGBT，其在漂移区内引入自阴极至阳极逐渐减小的介质槽，靠近主栅极结构的介质槽内有多晶硅槽为辅助槽栅，该槽栅与主栅短接。在阻断时，变宽度介质槽使得漂移区内杂质分布呈由阴极至阳极增加，获得均匀表面电场，大大提高器件耐压；在正向导通时，介质槽在漂移区近阴极端形成窄台面，实现注入增强和低导通压降；在关断过程中，相同耐压级别下，漂移区内过剩载流子小，实现快关断和低关断损耗。本发明可实现高耐压，在不增加导通压降的情况下，具有更低的关断损耗。
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公开(公告)号：CN117825936B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410239774.3
申请日：2024-03-04
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G01R31/3185
Abstract: 本发明属于集成电路硬件安全技术领域，公开了基于改进的线性反馈移位寄存器的安全测试电路，通过控制模块控制改进的线性反馈移位寄存器的状态，利用种子信号产生模块提供改进的线性反馈移位寄存器所需要的种子信号，改进的线性反馈移位寄存器模块输出难以预测的序列作为内部测试密钥提供给安全扫描链；安全扫描链的结构是动态的，输出经过混淆的数据，攻击者难以得到真正的扫描数据；通过明文限制模块对扫描链输出进行限制，进一步增强加密电路的安全性，防止差分密码攻击。本发明所述电路可以保护加密芯片免受基于扫描链的攻击，并且面积开销相对较小，且不会增加测试时间，在不影响芯片正常功能的同时又能够实现芯片安全测试的目的。
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公开(公告)号：CN115799260B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310046535.1
申请日：2023-01-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开一种负电容围栅纳米片晶体管结构CMOS反相器及其制造方法，属于基本电气元件的技术领域。负电容围栅纳米片结构CMOS反相器包括一个P型负电容围栅纳米片晶体管和一个N型负电容围栅纳米片晶体管。每个负电容围栅纳米片晶体管包括：衬底、有源区和环绕式栅极；有源区包括源漏和多层纳米片结构，纳米片由侧墙和内侧墙共同支撑。环绕式栅极由依次包围覆盖在纳米片外围的氧化层、铁电材料层和金属栅组成，从而产生负电容效应，该铁电材料层具有电压放大功能，可降低器件的亚阈值摆幅到60mV/decade以下。有效改善CMOS反相器的电压转移特性，进一步微缩CMOS反相器特征尺寸，提高器件集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114124100B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202111457615.3
申请日：2021-12-01
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明提供了一种具有背景失配校准的噪声整形SAR ADC，属于集成电路技术领域。本发明所采用的SAR ADC架构类似于通用SAR ADC，结构包括采样和保持(S/H)模块、二进制加权电容式DAC(CDAC)、SAR逻辑块、比较器和数字加法器；所呈现的拓扑与通用SAR ADC的不同之处在于，它嵌入了两个附加模块：噪声整形和DAC校准模块。偶尔激活的校准模块能够通过使用一组子DAC的机制执行DAC失配校准；在典型的SAR转换中通常被丢弃的残差信息Vresidue则被NS块重新使用，从而可以改变带内比较器噪声和量化噪声。本发明将NS‑SAR与新的背景校准相结合，同时结合了ΣΔ和SAR架构的优点，实现了高精度低功耗架构，并且克服了比较器噪声和DAC失配误差对电路的限制。
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公开(公告)号：CN113746464B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202111035555.6
申请日：2021-09-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供了一种LDMOS性能优化的自适应衬底电压调节电路，通过电压比较器和单输入双输出直流稳压电源转换器控制LDMOS关态和开态的衬底电压，在提高关态击穿电压的同时保证开态性能不变，改善了两者的折衷关系。在实际制造过程中，采用常规的CMOS工艺就可以实现该技术，无需增加额外掩模版和工艺流程，制备简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN117038704A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310969940.0
申请日：2023-08-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/51 , H01L21/328 , H01L21/334
Abstract: 本发明公开了一种复合场限环圆形版图横向功率器件及制备方法，括衬底、埋氧层、有源层、复合场限环、源极金属、栅极金属和漏极金属；横向功率器件的横截面呈圆形或椭圆形，有源层包括从内至外依次同轴布设的半导体漏区、漂移区和半导体阱区；复合场限环具有至少两个，以半导体漏区的中心为圆心，等距内嵌在漂移区的顶面中；每个复合场限环均包括P型区域和介质区域；P型区域围绕在介质区域的两侧及底面。本发明中复合场限环的高K介质材料，能够有效调制表面电场避免表面电荷对场限环的影响，从而提高击穿电压；同时提高漂移区掺杂浓度，降低器件导通电阻。另外，栅介质、场介质和复合场限环中的介质采用同种介质材料，降低工艺难度。
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公开(公告)号：CN117012807A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310924658.0
申请日：2023-07-26
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了基于指型介质的分布式峰值电场横向功率器件，属于基本电气元件的技术领域。通过在功率器件的漂移区内部引入长度不一的指型介质区域，并按照一定的规则进行排布设计。指型介质区域的指尖位置能够形成新的峰值电场，错峰设计也能防止相邻介质产生的电场峰值叠加而导致器件在指尖位置提前击穿，从而使得器件承受更高的耐压。在器件的正向导通阶段，所引入的指型介质能够提高漂移区掺杂浓度，这有助于增强器件载流子的漂移能力，增强器件的正向导通性能。采用该结构制造的硅基、SOI基、碳化硅基、氮化镓基横向功率器件具有击穿电压高、比导通电阻低等优良的性能。
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公开(公告)号：CN116825817A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311019567.9
申请日：2023-08-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了基于介质定位的浮空场限环功率器件及制备方法，包括器件主体、高K介质槽区和P型浮空场限环；器件主体包括N型掺杂的半导体漂移区；高K介质槽区等间距布设在半导体漂移区的顶部中心，且包括凹槽和填充在凹槽内的高K介质；位于高K介质槽区之间的有源层形成为半导体岛区；半导体岛区通过P型掺杂形成P型浮空场限环，且P型浮空场限环的结深大于高K介质槽区的深度。凹槽为条状槽、网状槽或矩形槽等。本发明的P型浮空场限环基于介质凹槽进行定位，能减少掩膜等工艺步骤，凹槽内淀积的高K介质能有效调制表面电场并避免表面电荷对P型浮空场限环的影响，从而提高击穿电压，同时提高漂移区浓度，降低器件导通电阻。
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