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公开(公告)号:CN209052591U
公开(公告)日:2019-07-02
申请号:CN201820853052.7
申请日:2018-06-04
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B37/02 , C04B41/85 , H05K1/03
Abstract: 一种石墨烯改性的陶瓷基PCB覆铜板,包括陶瓷基半固化片、铜箔;陶瓷基半固化片、铜箔之间设有一层化学气相沉积石墨烯。或陶瓷基半固化片的两面皆为一层化学气相沉积石墨烯,石墨烯的外面为铜箔。其中石墨烯改性的陶瓷片是通过化学气相沉积的方法将石墨烯生长到陶瓷片的表面。然后通过热压方法将铜箔附于半固化片两侧。通过此方法制备的陶瓷基PCB覆铜板,由于陶瓷片与铜箔之间存在石墨烯,因此使覆铜板的热学、电学和机械性能大大提高。
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公开(公告)号:CN208782231U
公开(公告)日:2019-04-23
申请号:CN201820694993.0
申请日:2018-05-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种基于外尔半金属薄膜的可饱和吸收器件,器件结构由外尔半金属材料构成的可饱和吸收层和承载该饱和吸收层所需的光学薄膜功能层组成;所述的外尔半金属薄膜可饱和吸收器件分为反射型和透射型两种模式,其中,反射型结构由上至下为:光学衬底层(1)、外尔半金属可饱和吸收薄膜层(2)、缓冲层(3)和反射层(4);透射型结构由上至下为:光学衬底层(1)、外尔半金属可饱和吸收薄膜层(2)、缓冲层(3)。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN208538918U
公开(公告)日:2019-02-22
申请号:CN201820874108.7
申请日:2018-06-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本实用新型公开了一种微波辅助的磁电阻增强器件,包括由保护层、第一铁磁层、半导体层、第二铁磁层、保护层组成的层状薄膜,其材料依次为Cr、Fe、GaAs、NiFe、Cr;通过上下两侧电极通入高频微波后,沿平行于层状薄膜的磁场方向施加大于Fe、NiFe矫顽力的外加磁场,使得两个铁磁层的磁矩方向一致,此时层状薄膜处于低电阻状态;接着反向施加大于NiFe矫顽力、小于Fe矫顽力的外加磁场,使得两个铁磁层的磁矩方向相反,此时层状薄膜处于高电阻状态。本实用新型在器件两端制备电极并通入高频微波加以辅助,通过改变外加磁场实现整个器件的高电阻、低电阻状态转换,其电阻变化率可达到40%,且制备工艺简单,成本较低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN208480050U
公开(公告)日:2019-02-05
申请号:CN201821022461.9
申请日:2018-06-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本实用新型公开了一种陶瓷基PCB覆铜板,主要包括:采用电子束蒸镀的方法在烧结打磨好的陶瓷片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜,然后将得到的样品的上下两面放上铜箔,放到热压炉中进行压合覆铜,其中金属薄膜可以是钛薄膜,也可以是镍薄膜,根据所覆薄膜选择合适的蒸镀条件。由于陶瓷片比普通的半固化片更耐高温,因此非常适合此种方法。由此得到的陶瓷基PCB覆铜板的铜箔剥离强度明显提高,为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN206408285U
公开(公告)日:2017-08-15
申请号:CN201720005833.6
申请日:2017-01-04
Applicant: 南京大学
IPC: C23C14/28 , C30B23/02 , G01N23/227
Abstract: 先进材料的生长测试一体化系统,包括光源产生系统,真空传输系统,材料生长系统以及时间和自旋分辨的电子能谱测试系统;所述光源产生系统包括极紫外超短脉冲激光系统,光学参量转换系统,极紫外超短脉冲激光转换系统,时间同步装置,泵浦光和探测光合束器;所述时间和自旋分辨的电子能谱测试系统包括:合束输入窗口;真空测试腔;样品固定架;半球电子能谱分析仪,扫描电子显微镜;所述材料生长系统包括:第一和第二分子束外延生长系统;第一和第二脉冲激光沉积系统;真空传输系统包括超高真空样品输运小车和串联的超高真空管道,通过超高真空管道,在生长腔室与能谱探测腔之间来回传递;实现不同先进材料的生长和制备。
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